Стр. 17
| Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 | Стр.48 | Стр.49 | Стр.50 | Стр.51 | Стр.52 | Стр.53 | Стр.54 | Стр.55 | Стр.56 | Стр.57 | Стр.58 | Стр.59 | Стр.60 | Стр.61 | Стр.62 | Стр.63 | Стр.64 | Стр.65 | Стр.66 | Стр.67 | Стр.68 | Стр.69 | Стр.70 | Стр.71 | Стр.72 | Стр.73 | Стр.74 | Стр.75 | Стр.76 | Стр.77 | Стр.78 | Стр.79 | Стр.80 | Стр.81 | Стр.82 | Стр.83 | Стр.84 | Стр.85 | Стр.86 | Стр.87 | Стр.88 | Стр.89 | Стр.90 |
содержащие лампы, контролируемые по
пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие
характеристики:
а) рабочие частоты свыше 3 ГГц;
б) среднюю плотность выходной мощности,
превышающую 80 Вт/кг; и
в) объем менее 400 куб.см
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.8 не контролируется
аппаратура, разработанная или пригодная
для работы на стандартных частотах
гражданских телекоммуникаций
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и
специально спроектированные для них
компоненты, такие, как:
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических 854160000
волнах и на акустических волнах в
тонкой подложке (т.е. приборы для
обработки сигналов, использующие
упругие волны в материале), имеющие
любую из следующих характеристик:
а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или
б) несущую частоту более 1 ГГц, но не
превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности
более 55 дБ;
2) произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
частот (в МГц) более 100;
3) ширину полосы частот более 250 МГц;
или
4) задержку рассеяния, превышающую
10 мкс; или
в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и
дополнительно имеющие любую из
следующих характеристик:
1) произведение максимального времени
задержки (в мкс) на ширину полосы
частот (в МГц) более 100;
2) задержку рассеяния, превышающую
10 мкс; или
3) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы направленности
более 55 дБ и ширину полосы частот,
превышающую 50 МГц;
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических волнах 854160000
(т.е. приборы для обработки сигналов,
использующие упругие волны в
материале), обеспечивающие
непосредственную обработку сигналов на
частотах свыше 1 ГГц;
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки 854160000
сигналов, использующие взаимодействие
между акустическими волнами (объемными
или поверхностными) и световыми
волнами, что позволяет непосредственно
обрабатывать сигналы или изображения,
включая анализ спектра, корреляцию или
свертку
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, содержащие 8540;
компоненты, изготовленные из 8541;
сверхпроводящих материалов, специально 8542;
спроектированные для работы при 8543
температурах ниже критической
температуры хотя бы одной из
сверхпроводящих составляющих, имеющие
хотя бы один из следующих признаков:
а) электромагнитное усиление:
1) на частотах, равных или ниже 31 ГГц,
с уровнем шумов ниже 0,5 дБ; или
2) на частотах свыше 31 ГГц;
б) токовые переключатели для цифровых
схем, использующие сверхпроводящие
вентили, у которых произведение времени
задержки на вентиль (в секундах) на
рассеяние мощности на вентиль (в
ваттах) ниже 10 в степени -14 Дж; или
в) селекцию частоты на всех частотах с
использованием резонансных контуров с
добротностью, превышающей 10000
3.1.1.5. Нижеперечисленные накопители энергии:
3.1.1.5.1. Батареи и батареи на фотоэлектрических 8506;
элементах, такие, как: 8507;
854140910
а) первичные элементы и батареи с
плотностью энергии свыше 480 Вт.ч/кг и
пригодные по техническим условиям для
работы в диапазоне температур от 243 К
(-30°С) и ниже до 343 К (70°С) и выше
Техническое примечание.
Плотность энергии определяется путем
умножения средней мощности в ваттах
(произведение среднего напряжения в
вольтах на средний ток в амперах) на
длительность цикла разряда в часах, при
котором напряжение на разомкнутых
клеммах падает до 75% от номинала, и
деления полученного произведения на
общую массу элемента (или батареи)
в кг;
б) подзаряжаемые элементы и батареи с
плотностью энергии свыше 150 Вт.ч/кг
после 75 циклов заряда-разряда при токе
разряда, равном С/5 ч (С - номинальная
емкость в ампер-часах), при работе в
диапазоне температур от 253 К (-20°С)
и ниже до 333 К (60°С) и выше;
в) батареи, по техническим условиям
годные для применения в космосе, и
радиационно стойкие батареи на
фотоэлектрических элементах с удельной
мощностью свыше 160 Вт/кв.м при рабочей
температуре 301 К (28°С) и
вольфрамовом источнике, нагретом до
2800 К (2527°С) и создающем
энергетическую освещенность 1 кВт/кв.м
Примечание.
По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются
батареи объемом 27 куб.см и меньше
(например, стандартные угольные
элементы или батареи типа R14);
3.1.1.5.2. Накопители большой энергии, такие, как: 8506;
8507;
8532
а) накопители с частотой повторения
менее 10 Гц (одноразовые накопители),
имеющие все следующие характеристики:
1) номинальное напряжение 5 кВ или
более;
2) плотность энергии 250 Дж/кг или
более; и
3) общую энергию 25 кДж или более;
б) накопители с частотой повторения
10 Гц и более (многоразовые
накопители), имеющие все следующие
характеристики:
1) номинальное напряжение не менее
5 кВ;
2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг;
3) общую энергию не менее 100 Дж; и
4) количество циклов заряда-разряда не
менее 10000;
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и 850519900
соленоиды, специально спроектированные
на полный заряд или разряд менее чем за
одну секунду, имеющие все
нижеперечисленные характеристики:
а) энергию, выделяемую при разряде,
превышающую 10 кДж за первую секунду;
б) внутренний диаметр токопроводящих
обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию свыше
8 Т или суммарную плотность тока в
обмотке больше 300 А/кв.мм
Примечание.
По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются
сверхпроводящие электромагниты или
соленоиды, специально спроектированные
для медицинской аппаратуры
магниторезонансной томографии
3.1.1.6. Вращающиеся преобразователи абсолютного 903180310
углового положения вала в код, имеющие
любую из следующих характеристик:
а) разрешение лучше 1/265000 от полного
диапазона (18 бит); или
б) точность лучше +-2,5 угл.с
3.1.2. Нижеперечисленная электронная
аппаратура общего назначения:
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально
разработанная измерительная магнитная
лента для нее, такие, как:
3.1.2.1.1. Накопители на магнитной ленте для 852039900;
аналоговой аппаратуры, включая 852090900;
аппаратуру с возможностью записи 852110300;
цифровых сигналов (например, 852110800
использующие модуль цифровой записи
высокой плотности), имеющие любую из
следующих характеристик:
а) полосу частот, превышающую 4 МГц на
электронный канал или дорожку;
| Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 | Стр.48 | Стр.49 | Стр.50 | Стр.51 | Стр.52 | Стр.53 | Стр.54 | Стр.55 | Стр.56 | Стр.57 | Стр.58 | Стр.59 | Стр.60 | Стр.61 | Стр.62 | Стр.63 | Стр.64 | Стр.65 | Стр.66 | Стр.67 | Стр.68 | Стр.69 | Стр.70 | Стр.71 | Стр.72 | Стр.73 | Стр.74 | Стр.75 | Стр.76 | Стр.77 | Стр.78 | Стр.79 | Стр.80 | Стр.81 | Стр.82 | Стр.83 | Стр.84 | Стр.85 | Стр.86 | Стр.87 | Стр.88 | Стр.89 | Стр.90 |
|