Стр. 20
| Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 | Стр.48 | Стр.49 | Стр.50 | Стр.51 | Стр.52 | Стр.53 | Стр.54 | Стр.55 | Стр.56 | Стр.57 | Стр.58 | Стр.59 | Стр.60 | Стр.61 | Стр.62 | Стр.63 | Стр.64 | Стр.65 | Стр.66 | Стр.67 | Стр.68 | Стр.69 | Стр.70 | Стр.71 | Стр.72 | Стр.73 | Стр.74 | Стр.75 | Стр.76 | Стр.77 | Стр.78 | Стр.79 | Стр.80 | Стр.81 | Стр.82 | Стр.83 | Стр.84 | Стр.85 | Стр.86 | Стр.87 | Стр.88 | Стр.89 | Стр.90 |
как:
3.3.3.1. Органо-металлические соединения на 293100800
основе алюминия, галлия или индия с
чистотой металлической основы свыше
99,999%;
3.3.3.2. Органо-мышьяковистые, 293100800
органо-сурьмянистые и органо-фосфорные
соединения с чистотой органической
элементной основы свыше 99,999%
Примечание.
По пункту 3.3.3 контролируются только
соединения, чей металлический, частично
металлический или неметаллический
элемент непосредственно связан с
углеродом в органической части молекулы
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, 284800000;
имеющие чистоту свыше 99,999% даже 285000100
после растворения в инертных газах или
водороде
Примечание.
По пункту 3.3.4 не контролируются
гидриды, содержащие 20% и более молей
инертных газов или водорода
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение, специально
созданное для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пунктам
3.1.1.2-3.1.2.7 или по пункту 3.2
3.4.2. Программное обеспечение, специально
созданное для применения в
оборудовании, управляемом встроенной
программой и контролируемом по пункту
3.2
3.4.3. Программное обеспечение систем
автоматизированного проектирования
(САПР), предназначенное для
полупроводниковых приборов или
интегральных схем, имеющее любую из
следующих составляющих:
3.4.3.1. Правила проектирования или правила
проверки (верификации) схем;
3.4.3.2. Моделирование схем по их физической
топологии; или
3.4.3.3. Имитаторы литографических процессов для
проектирования
Техническое примечание.
Имитатор литографических процессов -
это пакет программного обеспечения,
используемый на этапе проектирования
для определения последовательности
операций литографии, травления и
осаждения в целях воплощения
маскирующих шаблонов в конкретные
топологические рисунки проводников,
диэлектриков или полупроводникового
материала
Примечание.
По пункту 3.4.3 не контролируется
программное обеспечение, специально
созданное для описания принципиальных
схем, логического моделирования,
раскладки и маршрутизации
(трассировки), проверки топологии или
размножения шаблонов
Особое примечание.
Библиотеки, проектные атрибуты или
сопутствующие данные для проектирования
полупроводниковых приборов или
интегральных схем рассматриваются как
технология
3.5. Технология
3.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
материалов, контролируемых по пунктам
3.1, 3.2 или 3.5
Примечание.
По пункту 3.5.1 не контролируются
технологии разработки или производства:
а) микроволновых транзисторов,
работающих на частотах ниже 31 ГГц;
б) интегральных схем, контролируемых
по пунктам 3.1.1.1.3-3.1.1.1.12,
имеющих оба нижеперечисленных признака:
1) использующие проектные нормы
1 мкм или выше; и
2) не содержащие многослойных структур
Особое примечание.
Термин "многослойные структуры" в
подпункте 2 пункта "б" примечания не
включает приборы, содержащие максимум
два металлических слоя и два слоя
поликремния
3.5.2. Прочие технологии для разработки или
производства:
а) вакуумных микроэлектронных приборов;
б) полупроводниковых приборов на
гетероструктурах, таких, как
транзисторы с высокой подвижностью
электронов, биполярных транзисторов на
гетероструктуре, приборов с квантовыми
ямами или приборов на сверхрешетках;
в) сверхпроводящих электронных
приборов;
г) подложек пленок алмаза для
электронных компонентов
Категория 4. Вычислительная техника
Примечания:
1. ЭВМ, сопутствующее оборудование или
программное обеспечение,
задействованные в телекоммуникациях или
локальных вычислительных сетях, должны
быть также проанализированы на
соответствие характеристикам,
указанным в части 1 Категории 5
(Телекоммуникации)
Особые примечания:
а) устройства управления, которые
непосредственно связывают шины или
каналы центральных процессоров,
оперативную память или контроллеры
накопителей на магнитных дисках, не
входят в понятие телекоммуникационной
аппаратуры, рассматриваемой в части 1
Категории 5 (Телекоммуникации);
б) для определения контрольного статуса
программного обеспечения, которое
специально создано для коммутации
пакетов, следует использовать пункт
5.4.1
2. ЭВМ, сопутствующее оборудование или
программное обеспечение, выполняющие
функции криптографии, криптоанализа,
сертифицируемой многоуровневой защиты
информации или сертифицируемые функции
изоляции пользователей либо
ограничивающие электромагнитную
совместимость (ЭМС), должны быть также
проанализированы на соответствие
характеристикам, указанным в части 2
Категории 5 (Защита информации)
4.1. Системы, оборудование и компоненты
4.1.1. Нижеперечисленные ЭВМ и сопутствующее
оборудование, а также электронные
сборки и специально разработанные для
них компоненты:
4.1.1.1. Специально созданные для достижения 8471
любой из следующих характеристик:
а) по техническим условиям пригодные
для работы при температуре внешней
среды ниже 228 К (-45°С) или выше
358 К (85°С)
Примечание.
По пункту 4.1.1.1 не контролируются
ЭВМ, специально созданные для
гражданских автомобилей или
железнодорожных локомотивов;
б) радиационно стойкие, превышающие
любое из следующих требований:
1) поглощенная доза 5х10 в степени 3
рад (кремний);
2) мощность дозы на сбой 5х10 в степени
6 рад (кремний)/c; или
3) сбой от высокоэнергетической частицы
10 в степени -7 ошибок/бит/день;
4.1.1.2. Имеющие характеристики или 8471
функциональные особенности,
превосходящие пределы, указанные в
части 2 Категории 5 (Защита информации)
4.1.2. Гибридные ЭВМ, электронные сборки и 847110
специально разработанные для них
компоненты:
а) имеющие в своем составе цифровые
ЭВМ, которые контролируются по
пункту 4.1.3;
б) имеющие в своем составе
аналого-цифровые преобразователи,
обладающие всеми следующими
характеристиками:
1) 32 каналами или более; и
| Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 | Стр.48 | Стр.49 | Стр.50 | Стр.51 | Стр.52 | Стр.53 | Стр.54 | Стр.55 | Стр.56 | Стр.57 | Стр.58 | Стр.59 | Стр.60 | Стр.61 | Стр.62 | Стр.63 | Стр.64 | Стр.65 | Стр.66 | Стр.67 | Стр.68 | Стр.69 | Стр.70 | Стр.71 | Стр.72 | Стр.73 | Стр.74 | Стр.75 | Стр.76 | Стр.77 | Стр.78 | Стр.79 | Стр.80 | Стр.81 | Стр.82 | Стр.83 | Стр.84 | Стр.85 | Стр.86 | Стр.87 | Стр.88 | Стр.89 | Стр.90 |
|
