Постановление Совет Министров Союзного государства N 7 "О научно-технической программе Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"
Архив ноябрь 2011 года
<< Назад |
<<< Навигация Содержание
Совет Министров Союзного государства ПОСТАНОВЛЯЕТ:
1. Утвердить научно-техническую программу Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (далее - Программа), представленную Министерством промышленности и торговли Российской Федерации и Министерством промышленности Республики Беларусь (прилагается).
2. Осуществить финансирование работ по реализации мероприятий Программы в 2010 - 2013 годах из бюджета Союзного государства в объеме 1500 000,0 тыс. рублей, в том числе за счет долевых отчислений Российской Федерации - 975000,0 тыс. рублей, за счет долевых отчислений Республики Беларусь - 525000,0 тыс. рублей.
3. Финансирование работ по реализации мероприятий Программы в 2010 году в объеме 195000,0 тыс. рублей (доля Российской Федерации - 127000,0 тыс. рублей, доля Республики Беларусь - 68000,0 тыс. рублей) осуществить в соответствии со статьями 6 и 12 Декрета Высшего Государственного Совета Союзного государства "О бюджете Союзного государства на 2010 год" от 10 декабря 2009 г. N 3 по согласованию с Парламентским Собранием Союза Беларуси и России.
4. Постоянному Комитету Союзного государства в месячный срок внести изменения в сводную бюджетную роспись доходов и расходов бюджета Союзного государства на 2010 год по расходам, предусмотренным в пункте 3 настоящего постановления, и направить необходимые документы о внесении изменений в установленном порядке в Министерство финансов Республики Беларусь и Министерство финансов Российской Федерации.
5. Настоящее постановление вступает в силу со дня его подписания.
Председатель Совета Министров Союзного государства В.Путин
УТВЕРЖДЕНО
Постановление
Совета Министров
Союзного государства
23.04.2010 N 7
Министерство промышленности Министерство промышленности и торговли
Республики Беларусь Российской Федерации
Министр Министр
А.М.Радевич В.Б.Христенко
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ПРОГРАММА СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА "РАЗРАБОТКА И ОСВОЕНИЕ СЕРИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ДЛЯ АППАРАТУРЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ И ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ"
СОДЕРЖАНИЕ
1. Содержание проблемы, обоснование ее актуальности и необходимости разработки программы для решения проблемы
2. Основные цели и задачи, этапы и сроки реализации программы
3. Система программных мероприятий
4. Ресурсное обеспечение программы
5. Механизмы реализации программы
6. Организация управления программой и контроля за ходом ее реализации
7. Оценка эффективности социально-экономических и экологических последствий от реализации программы
Паспорт программы
Приложение 1. Индикатор и показатели реализации мероприятий программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"
Приложение 2. Технико-экономическое обоснование программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"
1. Содержание проблемы, обоснование ее актуальности и необходимости разработки программы для решения проблемы
Программа Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (далее - Программа) разработана в соответствии с постановлением Совета Министров Союзного государства от 19 августа 2008 года N 35.
Основной проблемой, на решение которой направлена Программа, является обеспечение стратегически значимых радиоэлектронных систем государств - участников Союзного государства электронной компонентной базой (ЭКБ) специального назначения и двойного применения, разработанной на предприятиях электронной промышленности Беларуси и России.
Основными причинами ее возникновения являются:
постоянное повышение доли устаревшей специальной ЭКБ в системах вооружения, военной и специальной техники (ВВСТ);
рост применения зарубежных электронных компонентов при одновременном снижении уровня обеспеченности отечественными электронными компонентами ведущихся разработок и серийного производства систем ВВСТ (как отмечено в Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 г., во вновь разрабатываемых отечественных системах ВВСТ применяется до 70% иностранных электронных компонентов);
действие за рубежом ограничений на поставку в Россию специальных электронных компонентов, в силу чего разработчикам радиоэлектронных систем приходится довольствоваться не соответствующей необходимым требованиям заказчиков номенклатурой импортной ЭКБ, что приводит к целому ряду негативных моментов и, в частности, к дополнительным затратам на вынужденную проверку изделий при ее применении;
утрата технологии производства ЭКБ разработки 70 - 80-х годов, хотя и устаревшей, но являющейся основой находящихся в настоящее время на вооружении образцов ВВСТ, причем наиболее существенные потери понесло производство радиационно-стойкой компонентной базы;
значительное ослабление или полное отсутствие производственной кооперации и координации работ организаций электронной промышленности России со значительной частью крупных организаций отрасли, оставшихся за ее пределами.
Таким образом, широкое применение в создаваемых системах ВВСТ зарубежной ЭКБ индустриального и военного исполнения и ослабление государственного контроля в этой области в сочетании с утратой Россией и Беларусью передовых научно-технических позиций в сфере разработки и производства специальной ЭКБ создало реальную угрозу национальной безопасности государств - участников Союзного государства.
Поэтому в "Основах политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и дальнейшую перспективу" и в "Государственной Программе развития и повышения эффективности работы микроэлектронной отрасли Республики Беларусь на 2001 - 2010 гг." ставится задача по достижению технологической независимости от иностранных государств в разработке, производстве и применении ЭКБ, используемой в электронных системах, имеющих стратегическое значение для национальной безопасности России и Беларуси.
Основные принципы решения этой задачи определены в Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года, а базовым инструментом ее решения является федеральная целевая программа "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы.
Однако ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы не предусматривает разработку конкретных типономиналов ЭКБ. Ее основными задачами являются разработка базовых промышленных технологий и базовых конструкций радиоэлектронных компонентов и приборов, техническое перевооружение предприятий и организаций радиоэлектронного комплекса на основе передовых технологий, опережающее развитие вертикально интегрированных систем автоматизированного проектирования сложных электронных компонентов, аппаратуры и систем.
Поэтому проблема разработки и освоения производства конкретных типономиналов специальной ЭКБ, в частности интегральных микросхем (ИМС) и полупроводниковых приборов, является актуальной и стратегически важной для создания конкурентоспособных радиоэлектронных систем и систем ВВСТ государств - участников Союзного государства.
Особенности специальной ЭКБ:
широкая номенклатура ЭКБ;
повышенные требования по эксплуатации (температура, влажность, радиационная стойкость, повышенная надежность, устойчивость к механическим воздействиям и так далее);
относительно небольшие объемы выпуска заказываемой продукции;
требуемый длительный жизненный цикл поставляемых изделий, включая необходимость воспроизводства в течение 10 - 15 лет.
В силу этого российские производители ЭКБ, являющиеся, как правило, акционерными обществами, в которых значительно ослаблено государственное влияние и контроль за деятельностью, не проявляют заинтересованности в разработке специальной ЭКБ за счет собственных средств. Ведущее предприятие электронной промышленности Беларуси НПО "Интеграл" не может на равных условиях участвовать в реализации федеральных целевых программ по развитию ЭКБ.
Поэтому непринятие межгосударственных мер по решению проблемы разработки специальной ЭКБ в Беларуси и России (инерционный сценарий) приведет к дальнейшему увеличению доли импортной ЭКБ в радиоэлектронных военных комплексах и в системах ВВСТ, что негативно отразится на состоянии обороноспособности и информационной безопасности государств - участников Союзного государства.
Наиболее эффективным путем решения этой проблемы является активный сценарий, связанный с принятием комплексно-целевой программы Союзного государства по разработке и освоению производства серии конкретных типономиналов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения. Это позволит, во-первых, оптимизировать номенклатуру разрабатываемых микросхем и полупроводниковых приборов и исключить дублирование работ; во-вторых, будут выработаны и согласованы с разработчиками радиоэлектронных систем и средств ВВСТ общие технические требования к разрабатываемой ЭКБ, в том числе в части стойкости к внешним воздействующим специальным факторам; в-третьих, в полной мере будет задействован научно-технический и производственный потенциал белорусского НПО "Интеграл" для разработки и освоения широкой номенклатуры специальной ЭКБ в интересах российских потребителей; в-четвертых, будет предусмотрена возможность изготовления опытных образцов и освоения производства отдельных типов разрабатываемой ЭКБ на действующих и создаваемых в России производственных линиях высокого технологического уровня; наконец, будет оказана необходимая государственная финансовая поддержка предприятиям электронной промышленности Беларуси и России в разработке конкретных типов специальной ЭКБ.
Ожидаемый результат - разработка и освоение производства конкретных типономиналов специальной ЭКБ для вновь разрабатываемых стратегически значимых радиоэлектронных систем управления, связи, обработки и защиты информации, систем радиоэлектронной борьбы и электронного противодействия, систем ВВСТ, что полностью соответствует приоритетам государственной политики по укреплению обороноспособности и информационной безопасности государств - участников Союзного государства.
Целесообразность программного решения проблемы на союзном уровне обусловлена следующими причинами:
межотраслевым, межведомственным и межгосударственным характером проблемы, так как в разрабатываемой специальной ЭКБ заинтересован целый ряд министерств и ведомств России и Беларуси, в том числе силовых;
необходимостью принятия решений на уровне Совета Министров Республики Беларусь, Правительства Российской Федерации и Совета Министров Союзного государства, поскольку номенклатура (типономиналы) разрабатываемой специальной ЭКБ и ее основные технические характеристики будут во многом определять тактико-технические характеристики вновь разрабатываемых систем ВВСТ государств - участников Союзного государства;
комплексностью подхода, необходимостью увязки союзной программы по разработке интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения с другими национальными (включая ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы), межгосударственными и союзными программами.
2. Основные цели и задачи, этапы и сроки реализации программы
В соответствии со статьей 17 Договора о создании Союзного государства объединенная система технического обеспечения Вооруженных сил государств-участников относится к исключительному ведению Союзного государства.
В системах ВВСТ доля радиоэлектронной аппаратуры достигает 70%, так что без расширения номенклатуры электронной компонентной базы, повышения ее технического и технологического уровня невозможно осуществлять создание перспективных и модернизацию существующих образцов вооружений и военной техники России и Беларуси.
Поэтому актуальность Программы обусловлена, во-первых, необходимостью расширения номенклатуры выпускаемых в России и Беларуси интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения; во-вторых, реализация Программы станет реальным шагом на пути снижения зависимости России и Беларуси от импорта зарубежной ЭКБ и повышения экспортного потенциала оборонно-промышленного комплекса государств-участников. Программа полностью отвечает Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года, в которой указывается на необходимость расширить состав совместных межгосударственных российско-белорусских программ по разработке специальной ЭКБ для задач реализации совместных крупномасштабных проектов и интеграции экономик.
Целью Программы является создание импортозамещающей ЭКБ специального и двойного применения для стратегически значимых радиоэлектронных систем и систем ВВСТ.
Задача Программы - создание типономиналов ЭКБ повышенной степени интеграции с высокими надежностными, функциональными и точностными характеристиками и соответствующей группой стойкости к специальным внешним воздействующим факторам и освоение производства разработанной ЭКБ на предприятиях России и Беларуси.
Эта задача может быть решена только программными методами в масштабе Союзного государства в увязке с проблемами, стоящими как перед радиоэлектронной, так и перед другими отраслями промышленности России и Беларуси.
Показателями эффективности выполнения программных мероприятий является количество освоенных в производстве конкретных типономиналов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения (к 2014 г. - не менее 90 типономиналов).
Реализация Программы планируется в один этап с 2010 года по 2013 год.
3. Система программных мероприятий
Мероприятия, которые предлагается реализовать для достижения целей Программы, приведены в таблице 1 и структурированы по следующим направлениям:
НИОКР по разработке интегральных микросхем, в том числе:
микропроцессоров и микроконтроллеров,
программируемых логических интегральных схем (ПЛИС) и базовых матричных кристаллов (БМК),
матричных кремниевых мультиплексоров,
микросхем запоминающих устройств (ЗУ),
схем интерфейса,
схем для источников вторичного электропитания,
операционных усилителей, компараторов, аналого-цифровых схем,
микросхем для устройств отображения информации,
"систем на кристалле";
ряда других микросхем для аппаратуры специального и двойного применения;
НИОКР по разработке полупроводниковых приборов, в том числе:
ДМОП-транзисторов и канальных МОП-транзисторов,
биполярных транзисторов с изолированным затвором,
стабилитронов,
импульсных диодов Шоттки;
НИР по разработке нормативно-правовой базы, повышению качества и информационно-аналитическому обеспечению разработок ЭКБ, в том числе:
по разработке методов ускоренных испытаний на безотказность и наработку на отказ применительно к микросхемам с субмикронными размерами элементов;
по исследованию надежности элементной базы КМОП ИМС с субмикронными проектными нормами.
Таблица 1
Укрупненный перечень мероприятий Программы
------------+--------------------+-----------------------------------------+-------------------------
¦ ¦ ¦ Объемы финансирования ¦ ¦
¦ ¦ ¦ (млн. росс. руб.): ¦ ¦
¦ ¦ ¦ всего, в том числе: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ из бюджета Союзного государства ¦ ¦
¦ Номер ¦ Наименование ¦ из внебюджетных источников ¦ ¦
¦мероприятия¦ мероприятий +---------+-------+-------+-------+-------+ Ожидаемые результаты ¦
¦ ¦ ¦ 2010 - ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ ¦2013 гг. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ ¦(в ценах ¦2010 г.¦2011 г.¦2012 г.¦2013 г.¦ ¦
¦ ¦ ¦ соотв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ лет) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1. НИОКР по разработке интегральных микросхем ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.1 ¦Разработка ряда 8-, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦16-, 32-разрядных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦микропроцессоров и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦микроконтроллеров, в¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦том числе устойчивых¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦к специальным ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦внешним ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦воздействующим ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦факторам (СВВФ), а ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦также кристаллов для¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦контактных и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦бесконтактных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦(радиочастотных) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦средств ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦идентификации, в том¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.1.1 ¦Разработка ряда ¦ 192,4 ¦ 21,5 ¦ 38,9 ¦ 48,3 ¦ 83,7 ¦Опытные образцы ¦
¦ ¦микропроцессоров и ¦ 96,2 ¦ 11,5 ¦ 21,2 ¦ 25,0 ¦ 38,5 ¦RISC-микроконтроллера с ¦
¦ ¦микроконтроллеров, в¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦FLASH-памятью, ¦
¦ ¦том числе устойчивых¦ 96,2 ¦ 10,0 ¦ 17,7 ¦ 23,3 ¦ 45,2 ¦устойчивого к СВВФ ¦
¦ ¦к СВВФ ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(функциональный аналог ¦
¦ ¦ ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ATtini 2313, ф. Atmel); ¦
¦ ¦ ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦микросхемы ¦
¦ ¦ ¦ 192,4 ¦ 21,5 ¦ 38,9 ¦ 48,3 ¦ 83,7 ¦многоканального ¦
¦ ¦ ¦ 96,2 ¦ 11,5 ¦ 21,2 ¦ 25,0 ¦ 38,5 ¦формирователя временных ¦
¦ ¦ ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦интервалов, устойчивой ¦
¦ ¦ ¦ 96,2 ¦ 10,0 ¦ 17,7 ¦ 23,3 ¦ 45,2 ¦к СВВФ (основные ¦
¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технические ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦характеристики: ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦напряжение питания: ¦
¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦5,0 В +/- 10%; частота ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦сигнала синхронизации: ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦100 МГц; точность ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦установки фронтов ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦импульсов: 10 нс; ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦разрядность кодов ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦фронтов импульсов: ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦8 бит; диапазон рабочих ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦температур: от минус 60 ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦до +125 °C; ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивость к СВВФ: ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦2Ус); БИС для ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦электронного паспорта ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦изделий (частота ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦операционного поля ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦13,56 МГц, объем ЭСППЗУ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦1024 байта); ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микроконтроллера с ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦10-разрядным АЦП, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивого к СВВФ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(функциональный аналог ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦T89C51АС2, ф. Atmel); ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микросхемы автономного ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦CAN-контроллера, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивого к ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦воздействию СВВФ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(функциональный аналог ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦МСР 2515 ф. Microchip) ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.1.2 ¦Разработка ряда ¦ 250,0 ¦ 30,5 ¦ 52,7 ¦ 76,0 ¦ 90,8 ¦Опытные образцы: ¦
¦ ¦8-разрядных ¦ 125,0 ¦ 16,3 ¦ 26,4 ¦ 41,4 ¦ 40,9 ¦8-разрядного ¦
¦ ¦микроконтроллеров с ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦микроконтроллера с ¦
¦ ¦Ethernet ¦ 125,0 ¦ 14,2 ¦ 26,3 ¦ 34,6 ¦ 49,9 ¦Ethernet интерфейсом, ¦
¦ ¦интерфейсом, с ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивого к СВВФ ¦
¦ ¦загружаемой памятью ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(функциональный аналог ¦
¦ ¦программ, с ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦PIC18F66 ф. Microchip); ¦
¦ ¦12-разрядными АЦП и ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦спецстойкого ¦
¦ ¦ЦАП, устойчивых к ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦микроконтроллера с ¦
¦ ¦СВВФ; ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦загружаемой памятью ¦
¦ ¦радиационно-стойкого¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦программ (система ¦
¦ ¦32-разрядного ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦команд - PIC17); ¦
¦ ¦процессора цифровой ¦ 250,0 ¦ 30,5 ¦ 52,7 ¦ 76,0 ¦ 90,8 ¦микроконтроллера с ¦
¦ ¦обработки сигналов с¦ 125,0 ¦ 16,3 ¦ 26,4 ¦ 41,4 ¦ 40,9 ¦12-разрядными АЦП и ЦАП,¦
¦ ¦плавающей запятой; ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦устойчивого к СВВФ ¦
¦ ¦микропроцессорной ¦ 125,0 ¦ 14,2 ¦ 26,3 ¦ 34,6 ¦ 49,9 ¦(функциональный аналог ¦
¦ ¦СБИС типа "система ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦PIC16С770 ¦
¦ ¦на кристалле" с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. Microchip); ¦
¦ ¦встроенной ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦радиационно-стойкого ¦
¦ ¦операционной ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦32-разрядного ¦
¦ ¦системой для ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессора цифровой ¦
¦ ¦интеллектуальных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦обработки сигналов с ¦
¦ ¦карт и электронных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦плавающей запятой, ¦
¦ ¦документов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦функционально ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦совместимого с серийно ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выпускаемыми ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессорами линейки ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦1867 (тактовая частота ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦50 МГц; ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦производительность 50 ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦MFLOPS; внутреннее ОЗУ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦данных 2Кx32, бит; ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Кэш ОЗУ 64x32, бит; ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦внутреннее ПЗУ программ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦4Kx32, бит; два ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦последовательных порта ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с организацией ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦8/16/24/32 бит; ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦мультипроцессорный ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦интерфейс; блок прямого ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦доступа к памяти (DMA); ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦два 32-разрядных ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦таймера); ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микропроцессорной СБИС ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦типа "система на ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦кристалле" с встроенной ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦операционной системой ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦для интеллектуальных ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦карт и электронных ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦документов (зарубежные ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦аналоги SLE66LX640P, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. Infineon; ST19WR66, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦STM; P5CD072, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. Philips) ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.2 ¦Разработка микросхем¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦СОЗУ емкостью 64К, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦256К, 1М, 4М и 8М, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ряда ЭСППЗУ, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦однократно и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦многократно ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦программируемых ПЗУ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦для изделий ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦специального ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦назначения и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦двойного применения,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.2.1 ¦Разработка ¦ 312,0 ¦ 38,0 ¦ 65,9 ¦ 95,0 ¦ 113,1 ¦Опытные образцы: ¦
¦ ¦однократно ¦ 156,0 ¦ 20,3 ¦ 33,1 ¦ 51,8 ¦ 50,8 ¦микросхемы однократно ¦
¦ ¦электрически ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦электрически ¦
¦ ¦программируемого ЗУ ¦ 156,0 ¦ 17,7 ¦ 32,8 ¦ 43,2 ¦ 62,3 ¦программируемого ЗУ ¦
¦ ¦емкостью 1М, ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦емкостью 1М, стойкого к ¦
¦ ¦стойкого к ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦спецфакторам ¦
¦ ¦спецфакторам, ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦(разрядность слова - 8; ¦
¦ ¦микросхем ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦емкость - 1 Мбит; время ¦
¦ ¦статических ОЗУ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦доступа по чтению - ¦
¦ ¦емкостью 4 и 8 Мбит ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦40 нс; напряжение ¦
¦ ¦и многократно ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦программирования - ¦
¦ ¦программируемого ПЗУ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжение питания ¦
¦ ¦для задания ¦ 312,0 ¦ 38,0 ¦ 65,9 ¦ 95,0 ¦ 113,1 ¦3,3 В; тип ячейки - ¦
¦ ¦конфигурации ПЛИС ¦ 156,0 ¦ 20,3 ¦ 33,1 ¦ 51,8 ¦ 50,8 ¦antifuse; диапазон ¦
¦ ¦ ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦напряжения питания - ¦
¦ ¦ ¦ 156,0 ¦ 17,7 ¦ 32,8 ¦ 43,2 ¦ 62,3 ¦3,0 - 5,5 В); ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микросхем статических ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ОЗУ емкостью 4 Мбит и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦8 Мбит (аналог CY7C1049 ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. Cypress) и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦многократно ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦программируемого ПЗУ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦емкостью 1 Мбит для ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания конфигурации ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ПЛИС (функциональный ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦аналог AT17LV010 ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. Atmel) ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.2.2 ¦Разработка ¦ 178,4 ¦ 20,4 ¦ 29,7 ¦ 40,3 ¦ 88,0 ¦Элементная база, ¦
¦ ¦элементной базы, ¦ 89,2 ¦ 9,8 ¦ 15,9 ¦ 26,8 ¦ 36,7 ¦библиотеки ¦
¦ ¦библиотек ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦проектирования и ¦
¦ ¦проектирования и ¦ 89,2 ¦ 10,6 ¦ 13,8 ¦ 13,5 ¦ 51,3 ¦опытные образцы ¦
¦ ¦микросхем ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦микросхем: ¦
¦ ¦двухпортового СОЗУ ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦двухпортового СОЗУ ¦
¦ ¦емкостью 256 К; FRAM¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦емкостью 256 К ¦
¦ ¦ЗУ емкостью 64 К; ¦ 178,4 ¦ 20,4 ¦ 29,7 ¦ 40,3 ¦ 88,0 ¦(прототип IDT7007, ¦
¦ ¦ОЗУ емкостью 256 К, ¦ 89,2 ¦ 9,8 ¦ 15,9 ¦ 26,8 ¦ 36,7 ¦ф. IDT); FRAM ЗУ ¦
¦ ¦устойчивого к СВВФ; ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦емкостью 64 К (прототип ¦
¦ ¦ЭСППЗУ емкостью ¦ 89,2 ¦ 10,6 ¦ 13,8 ¦ 13,5 ¦ 51,3 ¦FM24C256-SE, ¦
¦ ¦256 К ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. Ramtron); ОЗУ ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦емкостью 256 К, ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦устойчивого к СВВФ; ¦
¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ЭСППЗУ емкостью ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦256 К (прототип ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦AT24C256 ф. Atmel) ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.3 ¦Разработка семейства¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ПЛИС и БМК, в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦числе устойчивых к ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦СВВФ, для аппаратуры¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦специального ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦назначения и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦двойного применения,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦а также разработка ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦программных средств ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦для перевода ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦проектов, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦реализованных на ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦зарубежных ПЛИС, в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦полузаказные СБИС на¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦отечественных БМК, в¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.3.1 ¦Разработка стойкой к¦ 272,0 ¦ 33,2 ¦ 57,5 ¦ 82,8 ¦ 98,5 ¦Опытные образцы: ¦
¦ ¦СВВФ ПЛИС с системой¦ 136,0 ¦ 17,8 ¦ 28,8 ¦ 45,2 ¦ 44,2 ¦стойкой к СВВФ ПЛИС ¦
¦ ¦устойчивости к ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦емкостью 30 тысяч ¦
¦ ¦одиночным сбоям, ¦ 136,0 ¦ 15,4 ¦ 28,7 ¦ 37,6 ¦ 54,3 ¦вентилей с системой ¦
¦ ¦ряда базовых ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивости к ¦
¦ ¦матричных кристаллов¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦одиночным сбоям ¦
¦ ¦(БМК), семейства ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦(напряжение питания, В: ¦
¦ ¦радиационно-стойких ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦2,5 - 3,3; типовая ¦
¦ ¦КМОП БМК с ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦логическая емкость: ¦
¦ ¦компилированными ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦30 тыс. вентилей; ¦
¦ ¦ОЗУ, семейства ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦количество логических ¦
¦ ¦радиационно-стойких ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦элементов: 1728; объем ¦
¦ ¦ПЛИС с ¦ 272,0 ¦ 33,2 ¦ 57,5 ¦ 82,8 ¦ 98,5 ¦встроенной памяти, бит: ¦
¦ ¦энергонезависимой ¦ 136,0 ¦ 17,8 ¦ 28,8 ¦ 45,2 ¦ 44,2 ¦12288; разрабатываемая ¦
¦ ¦сегнетоэлектрической¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ПЛИС функционально ¦
¦ ¦(FRAM) памятью ¦ 136,0 ¦ 15,4 ¦ 28,7 ¦ 37,6 ¦ 54,3 ¦совместима с ПЛИС FLEX ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦10K30 ф. Altera); ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦базовых матричных ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦кристаллов (БМК) с ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦числом вентилей до ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦1000000 и тактовой ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦частотой 200 МГц; ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦радиационно-стойких ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КМОП БМК с ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦компилированными ОЗУ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(эквивалентное число ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦вентилей - до 200000; ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦аналоги: семейство БМК ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серии 1537ХМ (Россия), ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦семейство БМК MG2RTP ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(ф. Atmel)); ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦семейство радиационно- ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦стойких ПЛИС с ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦энергонезависимой ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сегнетоэлектрической ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(FRAM) памятью ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(эквивалентное число ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦вентилей: ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦60000 - 100000; ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦емкость ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сегнетоэлектрической ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(FRAM) памяти: 256 ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Кбит; напряжение ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦питания: 3,3 или 5,0 В) ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.3.2 ¦Разработка серии ¦ 89,8 ¦ 13,8 ¦ 17,5 ¦ 39,5 ¦ 19,0 ¦Опытные образцы ¦
¦ ¦однократно ¦ 44,9 ¦ 7,5 ¦ 9,0 ¦ 21,4 ¦ 7,0 ¦однократно ¦
¦ ¦программируемых ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦программируемых ¦
¦ ¦логических схем на ¦ 44,9 ¦ 6,3 ¦ 8,5 ¦ 18,1 ¦ 12,0 ¦логических схем на 2 К ¦
¦ ¦2 К и 8 К вентилей, ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦и 8 К вентилей, ¦
¦ ¦устойчивых к СВВФ; ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивых к СВВФ ¦
¦ ¦аналогового базового¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦(функциональные аналоги ¦
¦ ¦матричного кристалла¦ 89,8 ¦ 13,8 ¦ 17,5 ¦ 39,5 ¦ 19,0 ¦RH1020, RH1280, ¦
¦ ¦для создания ¦ 44,9 ¦ 7,5 ¦ 9,0 ¦ 21,4 ¦ 7,0 ¦ф. Actel); аналогового ¦
¦ ¦полузаказных ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦базового матричного ¦
¦ ¦аналоговых СБИС, ¦ 44,9 ¦ 6,3 ¦ 8,5 ¦ 18,1 ¦ 12,0 ¦кристалла для создания ¦
¦ ¦устойчивых к СВВФ; ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦полузаказных аналоговых ¦
¦ ¦программных средств ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦СБИС, устойчивых к СВВФ ¦
¦ ¦для перевода ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦(напряжение питания: ¦
¦ ¦проектов, ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦3 - 15 В; 36 типовых ¦
¦ ¦реализованных на ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦операционных ¦
¦ ¦ПЛИС фирмы Xilinx, в¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦усилителей; 512 ¦
¦ ¦заказные СБИС ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦двухвходовых вентилей; ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦64 двухтактных ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦триггера; масочное ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦программирование). ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Программные средства ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦для перевода проектов, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦реализованных на ПЛИС ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. Xilinx, в заказные ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦СБИС (библиотеки ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦функциональных и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структурных описаний ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦элементов отечественных ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦СБИС; программные ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦средства ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦перепроектирования ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(синтеза) в базисах ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦библиотек отечественных ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦СБИС; программные ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦средства преобразования ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦и оптимизации ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦RTL-описаний логических ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦схем; программные ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦средства синтеза ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦макроэлементов, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦реализующих ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦математические функции; ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦программные средства ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦логической верификации ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процесса повторного ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦синтеза) ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.4 ¦Разработка ¦ 89,4 ¦ 15,7 ¦ 19,8 ¦ 37,4 ¦ 16,5 ¦Опытные образцы ¦
¦ ¦библиотеки элементов¦ 44,7 ¦ 8,0 ¦ 10,2 ¦ 20,5 ¦ 6,0 ¦элементной базы ¦
¦ ¦и СФ-блоков для ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦матричных кремниевых ¦
¦ ¦создания ¦ 44,7 ¦ 7,7 ¦ 9,6 ¦ 16,9 ¦ 10,5 ¦мультиплексоров для ¦
¦ ¦унифицированного ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦фотоприемных устройств ¦
¦ ¦типоразмерного ряда ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(накопитель для матрицы ¦
¦ ¦кремниевых ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦изображения 320 x 240 ¦
¦ ¦мультиплексоров для ¦ 89,4 ¦ 15,7 ¦ 19,8 ¦ 37,4 ¦ 16,5 ¦пикселов); микросхемы ¦
¦ ¦ИК ФПУ и разработка ¦ 44,7 ¦ 8,0 ¦ 10,2 ¦ 20,5 ¦ 6,0 ¦12-разрядного ¦
¦ ¦опытных образцов ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦4-канального ¦
¦ ¦мультиплексора для ¦ 44,7 ¦ 7,7 ¦ 9,6 ¦ 16,9 ¦ 10,5 ¦цифро-аналогового ¦
¦ ¦фотоприемных матриц ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦преобразователя ¦
¦ ¦третьего поколения ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦(прототип DAC8412 ¦
¦ ¦дальнего ИК ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ф. Analog Devices) и ¦
¦ ¦диапазона и БИС ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦микросхемы ¦
¦ ¦управления и ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦широкополосного видео ¦
¦ ¦обработки сигналов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦мультиплексора 4 x 1 ¦
¦ ¦мультиплексора, в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(прототип AD9300, ¦
¦ ¦том числе разработка¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. Analog Devices) ¦
¦ ¦элементной базы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦матричных кремниевых¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦мультиплексоров для ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦фотоприемных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦устройств, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦микросхемы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦12-разрядного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦4-канального ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦цифро-аналогового ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦преобразователя и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦микросхемы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦широкополосного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦видео мультиплексора¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦4 x 1 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.5 ¦Разработка ряда схем¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦интерфейса, в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦числе устойчивых к ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦СВВФ, для аппаратуры¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦специального ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦назначения и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦двойного применения,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.5.1 ¦Разработка комплекта¦ 57,2 ¦ 10,0 ¦ 15,1 ¦ 13,8 ¦ 18,3 ¦Опытные образцы ¦
¦ ¦интерфейсных ¦ 28,6 ¦ 6,3 ¦ 7,0 ¦ 7,9 ¦ 7,4 ¦микросхем ¦
¦ ¦интегральных ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦приемопередатчиков ¦
¦ ¦микросхем ¦ 28,6 ¦ 3,7 ¦ 8,1 ¦ 5,9 ¦ 10,9 ¦стандарта RS-485 с ¦
¦ ¦приемопередатчиков ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦пониженным до 3 В ¦
¦ ¦стандарта RS-485 и ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжением питания ¦
¦ ¦комплекта микросхем ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦(аналоги MAX 3485, MAX ¦
¦ ¦интерфейсных ¦ 57,2 ¦ 10,0 ¦ 15,1 ¦ 13,8 ¦ 18,3 ¦3486, ф. Maxim) и ¦
¦ ¦приемопередатчиков ¦ 28,6 ¦ 6,3 ¦ 7,0 ¦ 7,9 ¦ 7,4 ¦микросхем интерфейсных ¦
¦ ¦манчестерского кода ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦приемопередатчиков ¦
¦ ¦ ¦ 28,6 ¦ 3,7 ¦ 8,1 ¦ 5,9 ¦ 10,9 ¦манчестерского кода с ¦
¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦пониженным напряжением ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦питания 3.3 В (аналоги ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦HI-1573, HI-1574, ¦
¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ф. Holt Integrated ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦Circuits), устойчивых к ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦СВВФ ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.5.2 ¦Разработка ¦ 42,0 ¦ 4,9 ¦ 9,0 ¦ 13,0 ¦ 15,1 ¦Опытные образцы ¦
¦ ¦микросхемы ¦ 21,0 ¦ 2,5 ¦ 4,6 ¦ 7,1 ¦ 6,8 ¦микросхемы ¦
¦ ¦приемопередатчика ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦приемопередатчика ¦
¦ ¦интерфейса LVDS ¦ 21,0 ¦ 2,4 ¦ 4,4 ¦ 5,9 ¦ 8,3 ¦интерфейса LVDS, ¦
¦ ¦ ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивой к СВВФ ¦
¦ ¦ ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(аналог DS90LV049 ¦
¦ ¦ ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. NS) ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ 42,0 ¦ 4,9 ¦ 9,0 ¦ 13,0 ¦ 15,1 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ 21,0 ¦ 2,5 ¦ 4,6 ¦ 7,1 ¦ 6,8 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ¦
¦ ¦ ¦ 21,0 ¦ 2,4 ¦ 4,4 ¦ 5,9 ¦ 8,3 ¦ ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.6 ¦Разработка ряда ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦микросхем для ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦источников ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦вторичного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦электропитания в ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦аппаратуре ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦специального ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦назначения и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦двойного применения,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.6.1 ¦Разработка микросхем¦ 68,0 ¦ 5,1 ¦ 11,0 ¦ 14,9 ¦ 37,0 ¦Опытные образцы ¦
¦ ¦микромощного ¦ 34,0 ¦ 2,6 ¦ 5,0 ¦ 9,4 ¦ 17,0 ¦микросхем: микромощного ¦
¦ ¦стабилизатора ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦стабилизатора ¦
¦ ¦напряжения, ¦ 34,0 ¦ 2,5 ¦ 6,0 ¦ 5,5 ¦ 20,0 ¦напряжения (входное ¦
¦ ¦малошумящего ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжение: 6 - 16 В; ¦
¦ ¦двухдиапазонного ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выходное напряжение: ¦
¦ ¦источника опорного ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦5 В +/- 2%; ток ¦
¦ ¦напряжения, ¦ 68,0 ¦ 5,1 ¦ 11,0 ¦ 14,9 ¦ 37,0 ¦потребления: не более ¦
¦ ¦регулятора ¦ 34,0 ¦ 2,6 ¦ 5,0 ¦ 9,4 ¦ 17,0 ¦6 мкА; температурный ¦
¦ ¦напряжения ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦коэффициент выходного ¦
¦ ¦положительной ¦ 34,0 ¦ 2,5 ¦ 6,0 ¦ 5,5 ¦ 20,0 ¦напряжения: не более ¦
¦ ¦полярности с низким ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦+/-1 мВ/°C; ближайший ¦
¦ ¦остаточным ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦функциональный аналог ¦
¦ ¦напряжением для ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ADM663 ф. Analog ¦
¦ ¦источников питания ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦Devices); малошумящего ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦двухдиапазонного ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦источника опорного ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжения (аналог ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦AD780, ф. Analog ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Devices); регулятора ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжения ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦положительной ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦полярности с низким ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦остаточным напряжением ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦для источников питания ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(аналог AMS1117A, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. Advanced Monolitic ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Systems) ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.6.2 ¦Разработка СБИС ¦ 44,0 ¦ 5,4 ¦ 9,3 ¦ 13,4 ¦ 15,9 ¦Опытные образцы СБИС ¦
¦ ¦повышающего ¦ 22,0 ¦ 2,9 ¦ 4,7 ¦ 7,3 ¦ 7,1 ¦повышающего ¦
¦ ¦преобразователя ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦преобразователя ¦
¦ ¦напряжения (DCDC) ¦ 22,0 ¦ 2,5 ¦ 4,6 ¦ 6,1 ¦ 8,8 ¦напряжения DCDC (аналог ¦
¦ ¦для применения в ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦RICOH RH5RIXX) ¦
¦ ¦устройствах и ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦системах, ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦использующих ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦
¦ ¦низковольтные ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦
¦ ¦источники питания ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ 44,0 ¦ 5,4 ¦ 9,3 ¦ 13,4 ¦ 15,9 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ 22,0 ¦ 2,9 ¦ 4,7 ¦ 7,3 ¦ 7,1 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ¦
¦ ¦ ¦ 22,0 ¦ 2,5 ¦ 4,6 ¦ 6,1 ¦ 8,8 ¦ ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.7 ¦Разработка ряда ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦операционных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦усилителей, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦компараторов, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦аналого-цифровых ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦схем для аппаратуры ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦специального ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦назначения и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦двойного применения,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.7.1 ¦Разработка ¦ 120,0 ¦ 14,7 ¦ 25,4 ¦ 36,5 ¦ 43,4 ¦Опытные образцы: ¦
¦ ¦биполярных ¦ 60,0 ¦ 7,9 ¦ 12,7 ¦ 19,9 ¦ 19,5 ¦биполярных интегральных ¦
¦ ¦интегральных ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦функционально полных ¦
¦ ¦функционально полных¦ 60,0 ¦ 6,8 ¦ 12,7 ¦ 16,6 ¦ 23,9 ¦ЦАП (время установления ¦
¦ ¦ЦАП и АЦП на 16 ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выходного сигнала ¦
¦ ¦двоичных разрядов, ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦+/-0,003% от Ufs = 10 В ¦
¦ ¦шестиканального ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦- не более 5 мкс; ¦
¦ ¦16-разрядного АЦП с ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦число разрядов 16) и ¦
¦ ¦напряжением питания ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦АЦП (время ¦
¦ ¦3 В и 5 В ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦преобразования ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦выходного сигнала ¦
¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Ufs = 10 В - не более ¦
¦ ¦ ¦ 120,0 ¦ 14,7 ¦ 25,4 ¦ 36,5 ¦ 43,4 ¦16 мкс; число разрядов ¦
¦ ¦ ¦ 60,0 ¦ 7,9 ¦ 12,7 ¦ 19,9 ¦ 19,5 ¦16); ¦
¦ ¦ ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦шестиканального ¦
¦ ¦ ¦ 60,0 ¦ 6,8 ¦ 12,7 ¦ 16,6 ¦ 23,9 ¦16-разрядного АЦП с ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦напряжением питания 3 В ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦и 5 В (аналог AD73360 ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ф. Analog Devices) ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.7.2 ¦Разработка ¦ 58,0 ¦ 0,0 ¦ 8,0 ¦ 11,5 ¦ 38,5 ¦Опытные образцы ¦
¦ ¦микросхемы датчика ¦ 29,0 ¦ 0,0 ¦ 2,0 ¦ 8,5 ¦ 18,5 ¦микросхемы датчика ¦
¦ ¦температуры и ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦температуры (аналог ¦
¦ ¦комплекта микросхем ¦ 29,0 ¦ 0,0 ¦ 6,0 ¦ 3,0 ¦ 20,0 ¦TMP01, ф. Analog ¦
¦ ¦для контроля ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Devices); ¦
¦ ¦питания, устойчивых ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦комплекта микросхем для ¦
¦ ¦к СВВФ ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦контроля питания, ¦
¦ ¦ ¦ 58,0 ¦ 0,0 ¦ 8,0 ¦ 11,5 ¦ 38,5 ¦устойчивых к СВВФ ¦
¦ ¦ ¦ 29,0 ¦ 0,0 ¦ 2,0 ¦ 8,5 ¦ 18,5 ¦(аналог MAX809/810, ¦
¦ ¦ ¦ ---- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ ---- ¦ф. Maxim): контроль ¦
¦ ¦ ¦ 29,0 ¦ 0,0 ¦ 6,0 ¦ 3,0 ¦ 20,0 ¦питания +2,5В; +3,0В; ¦
¦ ¦ ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦+3,3В; +5,0В низким и ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦высоким уровнями ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦сигнала сброса; ¦
¦ ¦ ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦устойчивость к СВВФ: ¦
¦ ¦ ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦2Ус; диапазон рабочих ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦температур: от минус 60 ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦до +125 °C ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.8 ¦Разработка ¦ 75,0 ¦ 4,0 ¦ 20,5 ¦ 34,5 ¦ 16,0 ¦Опытные образцы ¦
¦ ¦интегральных схем ¦ 37,5 ¦ 3,0 ¦ 10,5 ¦ 20,0 ¦ 4,0 ¦микросхемы драйвера с ¦
¦ ¦для управления ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦программируемым ¦
¦ ¦устройствами ¦ 37,5 ¦ 1,0 ¦ 10,0 ¦ 14,5 ¦ 12,0 ¦мультиплексом для ¦
¦ ¦отображения ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сегментных ЖКИ (аналог ¦
¦ ¦информации, в том ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦HT1621, ф. Holtek) и ¦
¦ ¦числе микросхемы ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦комплекта микросхем ¦
¦ ¦драйвера с ¦ 75,0 ¦ 4,0 ¦ 20,5 ¦ 34,5 ¦ 16,0 ¦высоковольтных ¦
¦ ¦программируемым ¦ 37,5 ¦ 3,0 ¦ 10,5 ¦ 20,0 ¦ 4,0 ¦драйверов ¦
¦ ¦мультиплексом для ¦ ---- ¦ --- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦строк/столбцов для ¦
¦ ¦сегментных ЖКИ и ¦ 37,5 ¦ 1,0 ¦ 10,0 ¦ 14,5 ¦ 12,0 ¦устройств управления ¦
¦ ¦комплекта микросхем ¦ Россия: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦информационными ¦
¦ ¦высоковольтных ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦экранами на ¦
¦ ¦драйверов ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦газоплазменных панелях ¦
¦ ¦строк/столбцов для ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦ --- ¦(аналоги миPD16306, ¦
¦ ¦устройств управления¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦ 0,0 ¦миPD16337 ф. NEC) ¦
¦ ¦информационными ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦экранами на ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦газоплазменных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦панелях ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦ 1.9 ¦Разработка СБИС типа¦ 520,0 ¦ 63,2 ¦ 109,8 ¦ 158,3 ¦ 188,7 ¦Опытные образцы: ¦
¦ ¦"система на ¦ 260,0 ¦ 33,9 ¦ 55,1 ¦ 86,3 ¦ 84,7 ¦СБИС цифровой системы ¦
¦ ¦кристалле" для ¦ ----- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ---- ¦ ----- ¦приема и обработки ¦
¦ ¦построения новейших ¦ 260,0 ¦ 29,3 ¦ 54,7 ¦ 72,0 ¦ 104,0 ¦высокочастотных ¦
¦ ¦систем радиосвязи, ¦ в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сигналов (состав: ¦
¦ ¦радиолокации, ¦ числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦аналого-цифровые ¦
¦ ¦цифрового ¦Беларусь:¦ ¦ ¦ ¦ ¦преобразователи ¦
Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4
Право Беларуси 2009 карта новых документов |