Леваневский Валерий Законодательство Беларуси 2011 год
Загрузить Adobe Flash Player

  Главная

  Законодательство РБ

  Кодексы Беларуси

  Законодательные и нормативные акты по дате принятия

  Законодательные и нормативные акты принятые различными органами власти

  Законодательные и нормативные акты по темам

  Законодательные и нормативные акты по виду документы

  Международное право в Беларуси

  Законодательство СССР

  Законы других стран

  Кодексы

  Законодательство РФ

  Право Украины

  Полезные ресурсы

  Контакты

  Новости сайта

  Поиск документа


Полезные ресурсы

- Таможенный кодекс таможенного союза

- Каталог предприятий и организаций СНГ

- Законодательство Республики Беларусь по темам

- Законодательство Республики Беларусь по дате принятия

- Законодательство Республики Беларусь по органу принятия

- Законы Республики Беларусь

- Новости законодательства Беларуси

- Тюрьмы Беларуси

- Законодательство России

- Деловая Украина

- Автомобильный портал

- The legislation of the Great Britain


Правовые новости





Постановление Совет Министров Союзного государства N 7 "О научно-технической программе Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"

Архив ноябрь 2011 года

<< Назад | <<< Навигация

Содержание


Совет Министров Союзного государства ПОСТАНОВЛЯЕТ:

1. Утвердить научно-техническую программу Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (далее - Программа), представленную Министерством промышленности и торговли Российской Федерации и Министерством промышленности Республики Беларусь (прилагается).

2. Осуществить финансирование работ по реализации мероприятий Программы в 2010 - 2013 годах из бюджета Союзного государства в объеме 1500 000,0 тыс. рублей, в том числе за счет долевых отчислений Российской Федерации - 975000,0 тыс. рублей, за счет долевых отчислений Республики Беларусь - 525000,0 тыс. рублей.

3. Финансирование работ по реализации мероприятий Программы в 2010 году в объеме 195000,0 тыс. рублей (доля Российской Федерации - 127000,0 тыс. рублей, доля Республики Беларусь - 68000,0 тыс. рублей) осуществить в соответствии со статьями 6 и 12 Декрета Высшего Государственного Совета Союзного государства "О бюджете Союзного государства на 2010 год" от 10 декабря 2009 г. N 3 по согласованию с Парламентским Собранием Союза Беларуси и России.

4. Постоянному Комитету Союзного государства в месячный срок внести изменения в сводную бюджетную роспись доходов и расходов бюджета Союзного государства на 2010 год по расходам, предусмотренным в пункте 3 настоящего постановления, и направить необходимые документы о внесении изменений в установленном порядке в Министерство финансов Республики Беларусь и Министерство финансов Российской Федерации.

5. Настоящее постановление вступает в силу со дня его подписания.


Председатель Совета Министров Союзного государства В.Путин


                                                       УТВЕРЖДЕНО
                                                       Постановление
                                                       Совета Министров
                                                       Союзного государства
                                                       23.04.2010 N 7

Министерство промышленности          Министерство промышленности и торговли
Республики Беларусь                  Российской Федерации
Министр                              Министр
        А.М.Радевич                           В.Б.Христенко

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ПРОГРАММА СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА "РАЗРАБОТКА И ОСВОЕНИЕ СЕРИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ДЛЯ АППАРАТУРЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ И ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ"


СОДЕРЖАНИЕ


1. Содержание проблемы, обоснование ее актуальности и необходимости разработки программы для решения проблемы

2. Основные цели и задачи, этапы и сроки реализации программы

3. Система программных мероприятий

4. Ресурсное обеспечение программы

5. Механизмы реализации программы

6. Организация управления программой и контроля за ходом ее реализации

7. Оценка эффективности социально-экономических и экологических последствий от реализации программы

Паспорт программы

Приложение 1. Индикатор и показатели реализации мероприятий программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"

Приложение 2. Технико-экономическое обоснование программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"


1. Содержание проблемы, обоснование ее актуальности и необходимости разработки программы для решения проблемы


Программа Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (далее - Программа) разработана в соответствии с постановлением Совета Министров Союзного государства от 19 августа 2008 года N 35.

Основной проблемой, на решение которой направлена Программа, является обеспечение стратегически значимых радиоэлектронных систем государств - участников Союзного государства электронной компонентной базой (ЭКБ) специального назначения и двойного применения, разработанной на предприятиях электронной промышленности Беларуси и России.

Основными причинами ее возникновения являются:

постоянное повышение доли устаревшей специальной ЭКБ в системах вооружения, военной и специальной техники (ВВСТ);

рост применения зарубежных электронных компонентов при одновременном снижении уровня обеспеченности отечественными электронными компонентами ведущихся разработок и серийного производства систем ВВСТ (как отмечено в Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 г., во вновь разрабатываемых отечественных системах ВВСТ применяется до 70% иностранных электронных компонентов);

действие за рубежом ограничений на поставку в Россию специальных электронных компонентов, в силу чего разработчикам радиоэлектронных систем приходится довольствоваться не соответствующей необходимым требованиям заказчиков номенклатурой импортной ЭКБ, что приводит к целому ряду негативных моментов и, в частности, к дополнительным затратам на вынужденную проверку изделий при ее применении;

утрата технологии производства ЭКБ разработки 70 - 80-х годов, хотя и устаревшей, но являющейся основой находящихся в настоящее время на вооружении образцов ВВСТ, причем наиболее существенные потери понесло производство радиационно-стойкой компонентной базы;

значительное ослабление или полное отсутствие производственной кооперации и координации работ организаций электронной промышленности России со значительной частью крупных организаций отрасли, оставшихся за ее пределами.

Таким образом, широкое применение в создаваемых системах ВВСТ зарубежной ЭКБ индустриального и военного исполнения и ослабление государственного контроля в этой области в сочетании с утратой Россией и Беларусью передовых научно-технических позиций в сфере разработки и производства специальной ЭКБ создало реальную угрозу национальной безопасности государств - участников Союзного государства.

Поэтому в "Основах политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и дальнейшую перспективу" и в "Государственной Программе развития и повышения эффективности работы микроэлектронной отрасли Республики Беларусь на 2001 - 2010 гг." ставится задача по достижению технологической независимости от иностранных государств в разработке, производстве и применении ЭКБ, используемой в электронных системах, имеющих стратегическое значение для национальной безопасности России и Беларуси.

Основные принципы решения этой задачи определены в Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года, а базовым инструментом ее решения является федеральная целевая программа "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы.

Однако ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы не предусматривает разработку конкретных типономиналов ЭКБ. Ее основными задачами являются разработка базовых промышленных технологий и базовых конструкций радиоэлектронных компонентов и приборов, техническое перевооружение предприятий и организаций радиоэлектронного комплекса на основе передовых технологий, опережающее развитие вертикально интегрированных систем автоматизированного проектирования сложных электронных компонентов, аппаратуры и систем.

Поэтому проблема разработки и освоения производства конкретных типономиналов специальной ЭКБ, в частности интегральных микросхем (ИМС) и полупроводниковых приборов, является актуальной и стратегически важной для создания конкурентоспособных радиоэлектронных систем и систем ВВСТ государств - участников Союзного государства.

Особенности специальной ЭКБ:

широкая номенклатура ЭКБ;

повышенные требования по эксплуатации (температура, влажность, радиационная стойкость, повышенная надежность, устойчивость к механическим воздействиям и так далее);

относительно небольшие объемы выпуска заказываемой продукции;

требуемый длительный жизненный цикл поставляемых изделий, включая необходимость воспроизводства в течение 10 - 15 лет.

В силу этого российские производители ЭКБ, являющиеся, как правило, акционерными обществами, в которых значительно ослаблено государственное влияние и контроль за деятельностью, не проявляют заинтересованности в разработке специальной ЭКБ за счет собственных средств. Ведущее предприятие электронной промышленности Беларуси НПО "Интеграл" не может на равных условиях участвовать в реализации федеральных целевых программ по развитию ЭКБ.

Поэтому непринятие межгосударственных мер по решению проблемы разработки специальной ЭКБ в Беларуси и России (инерционный сценарий) приведет к дальнейшему увеличению доли импортной ЭКБ в радиоэлектронных военных комплексах и в системах ВВСТ, что негативно отразится на состоянии обороноспособности и информационной безопасности государств - участников Союзного государства.

Наиболее эффективным путем решения этой проблемы является активный сценарий, связанный с принятием комплексно-целевой программы Союзного государства по разработке и освоению производства серии конкретных типономиналов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения. Это позволит, во-первых, оптимизировать номенклатуру разрабатываемых микросхем и полупроводниковых приборов и исключить дублирование работ; во-вторых, будут выработаны и согласованы с разработчиками радиоэлектронных систем и средств ВВСТ общие технические требования к разрабатываемой ЭКБ, в том числе в части стойкости к внешним воздействующим специальным факторам; в-третьих, в полной мере будет задействован научно-технический и производственный потенциал белорусского НПО "Интеграл" для разработки и освоения широкой номенклатуры специальной ЭКБ в интересах российских потребителей; в-четвертых, будет предусмотрена возможность изготовления опытных образцов и освоения производства отдельных типов разрабатываемой ЭКБ на действующих и создаваемых в России производственных линиях высокого технологического уровня; наконец, будет оказана необходимая государственная финансовая поддержка предприятиям электронной промышленности Беларуси и России в разработке конкретных типов специальной ЭКБ.

Ожидаемый результат - разработка и освоение производства конкретных типономиналов специальной ЭКБ для вновь разрабатываемых стратегически значимых радиоэлектронных систем управления, связи, обработки и защиты информации, систем радиоэлектронной борьбы и электронного противодействия, систем ВВСТ, что полностью соответствует приоритетам государственной политики по укреплению обороноспособности и информационной безопасности государств - участников Союзного государства.

Целесообразность программного решения проблемы на союзном уровне обусловлена следующими причинами:

межотраслевым, межведомственным и межгосударственным характером проблемы, так как в разрабатываемой специальной ЭКБ заинтересован целый ряд министерств и ведомств России и Беларуси, в том числе силовых;

необходимостью принятия решений на уровне Совета Министров Республики Беларусь, Правительства Российской Федерации и Совета Министров Союзного государства, поскольку номенклатура (типономиналы) разрабатываемой специальной ЭКБ и ее основные технические характеристики будут во многом определять тактико-технические характеристики вновь разрабатываемых систем ВВСТ государств - участников Союзного государства;

комплексностью подхода, необходимостью увязки союзной программы по разработке интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения с другими национальными (включая ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы), межгосударственными и союзными программами.


2. Основные цели и задачи, этапы и сроки реализации программы


В соответствии со статьей 17 Договора о создании Союзного государства объединенная система технического обеспечения Вооруженных сил государств-участников относится к исключительному ведению Союзного государства.

В системах ВВСТ доля радиоэлектронной аппаратуры достигает 70%, так что без расширения номенклатуры электронной компонентной базы, повышения ее технического и технологического уровня невозможно осуществлять создание перспективных и модернизацию существующих образцов вооружений и военной техники России и Беларуси.

Поэтому актуальность Программы обусловлена, во-первых, необходимостью расширения номенклатуры выпускаемых в России и Беларуси интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения; во-вторых, реализация Программы станет реальным шагом на пути снижения зависимости России и Беларуси от импорта зарубежной ЭКБ и повышения экспортного потенциала оборонно-промышленного комплекса государств-участников. Программа полностью отвечает Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года, в которой указывается на необходимость расширить состав совместных межгосударственных российско-белорусских программ по разработке специальной ЭКБ для задач реализации совместных крупномасштабных проектов и интеграции экономик.

Целью Программы является создание импортозамещающей ЭКБ специального и двойного применения для стратегически значимых радиоэлектронных систем и систем ВВСТ.

Задача Программы - создание типономиналов ЭКБ повышенной степени интеграции с высокими надежностными, функциональными и точностными характеристиками и соответствующей группой стойкости к специальным внешним воздействующим факторам и освоение производства разработанной ЭКБ на предприятиях России и Беларуси.

Эта задача может быть решена только программными методами в масштабе Союзного государства в увязке с проблемами, стоящими как перед радиоэлектронной, так и перед другими отраслями промышленности России и Беларуси.

Показателями эффективности выполнения программных мероприятий является количество освоенных в производстве конкретных типономиналов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения (к 2014 г. - не менее 90 типономиналов).

Реализация Программы планируется в один этап с 2010 года по 2013 год.


3. Система программных мероприятий


Мероприятия, которые предлагается реализовать для достижения целей Программы, приведены в таблице 1 и структурированы по следующим направлениям:

НИОКР по разработке интегральных микросхем, в том числе:

микропроцессоров и микроконтроллеров,

программируемых логических интегральных схем (ПЛИС) и базовых матричных кристаллов (БМК),

матричных кремниевых мультиплексоров,

микросхем запоминающих устройств (ЗУ),

схем интерфейса,

схем для источников вторичного электропитания,

операционных усилителей, компараторов, аналого-цифровых схем,

микросхем для устройств отображения информации,

"систем на кристалле";

ряда других микросхем для аппаратуры специального и двойного применения;

НИОКР по разработке полупроводниковых приборов, в том числе:

ДМОП-транзисторов и канальных МОП-транзисторов,

биполярных транзисторов с изолированным затвором,

стабилитронов,

импульсных диодов Шоттки;

НИР по разработке нормативно-правовой базы, повышению качества и информационно-аналитическому обеспечению разработок ЭКБ, в том числе:

по разработке методов ускоренных испытаний на безотказность и наработку на отказ применительно к микросхемам с субмикронными размерами элементов;

по исследованию надежности элементной базы КМОП ИМС с субмикронными проектными нормами.


Таблица 1


Укрупненный перечень мероприятий Программы


------------+--------------------+-----------------------------------------+-------------------------
¦           ¦                    ¦          Объемы финансирования          ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦           (млн. росс. руб.):            ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦           всего, в том числе:           ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦     из бюджета Союзного государства     ¦                        ¦
¦   Номер   ¦    Наименование    ¦       из внебюджетных источников        ¦                        ¦
¦мероприятия¦    мероприятий     +---------+-------+-------+-------+-------+  Ожидаемые результаты  ¦
¦           ¦                    ¦ 2010 -  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦2013 гг. ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦(в ценах ¦2010 г.¦2011 г.¦2012 г.¦2013 г.¦                        ¦
¦           ¦                    ¦ соотв.  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦  лет)   ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦                          1. НИОКР по разработке интегральных микросхем                            ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦    1.1    ¦Разработка ряда 8-, ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦16-, 32-разрядных   ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦микропроцессоров и  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦микроконтроллеров, в¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦том числе устойчивых¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦к специальным       ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦внешним             ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦воздействующим      ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦факторам (СВВФ), а  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦также кристаллов для¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦контактных и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦бесконтактных       ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦(радиочастотных)    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦средств             ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦идентификации, в том¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦числе:              ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦   1.1.1   ¦Разработка ряда     ¦  192,4  ¦ 21,5  ¦ 38,9  ¦ 48,3  ¦ 83,7  ¦Опытные образцы         ¦
¦           ¦микропроцессоров и  ¦  96,2   ¦ 11,5  ¦ 21,2  ¦ 25,0  ¦ 38,5  ¦RISC-микроконтроллера с ¦
¦           ¦микроконтроллеров, в¦  ----   ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦FLASH-памятью,          ¦
¦           ¦том числе устойчивых¦  96,2   ¦ 10,0  ¦ 17,7  ¦ 23,3  ¦ 45,2  ¦устойчивого к СВВФ      ¦
¦           ¦к СВВФ              ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(функциональный аналог  ¦
¦           ¦                    ¦ числе:  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ATtini 2313, ф. Atmel); ¦
¦           ¦                    ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦микросхемы              ¦
¦           ¦                    ¦  192,4  ¦ 21,5  ¦ 38,9  ¦ 48,3  ¦ 83,7  ¦многоканального         ¦
¦           ¦                    ¦  96,2   ¦ 11,5  ¦ 21,2  ¦ 25,0  ¦ 38,5  ¦формирователя временных ¦
¦           ¦                    ¦  ----   ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦интервалов, устойчивой  ¦
¦           ¦                    ¦  96,2   ¦ 10,0  ¦ 17,7  ¦ 23,3  ¦ 45,2  ¦к СВВФ (основные        ¦
¦           ¦                    ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦технические             ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦характеристики:         ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦напряжение питания:     ¦
¦           ¦                    ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦5,0 В +/- 10%; частота  ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦сигнала синхронизации:  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦100 МГц; точность       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦установки фронтов       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦импульсов: 10 нс;       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦разрядность кодов       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦фронтов импульсов:      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦8 бит; диапазон рабочих ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦температур: от минус 60 ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦до +125 °C;             ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦устойчивость к СВВФ:    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦2Ус); БИС для           ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦электронного паспорта   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦изделий (частота        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦операционного поля      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦13,56 МГц, объем ЭСППЗУ ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦1024 байта);            ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦микроконтроллера с      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦10-разрядным АЦП,       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦устойчивого к СВВФ      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(функциональный аналог  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦T89C51АС2, ф. Atmel);   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦микросхемы автономного  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦CAN-контроллера,        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦устойчивого к           ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦воздействию СВВФ        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(функциональный аналог  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦МСР 2515 ф. Microchip)  ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦   1.1.2   ¦Разработка ряда     ¦  250,0  ¦ 30,5  ¦ 52,7  ¦ 76,0  ¦ 90,8  ¦Опытные образцы:        ¦
¦           ¦8-разрядных         ¦  125,0  ¦ 16,3  ¦ 26,4  ¦ 41,4  ¦ 40,9  ¦8-разрядного            ¦
¦           ¦микроконтроллеров с ¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦микроконтроллера с      ¦
¦           ¦Ethernet            ¦  125,0  ¦ 14,2  ¦ 26,3  ¦ 34,6  ¦ 49,9  ¦Ethernet интерфейсом,   ¦
¦           ¦интерфейсом, с      ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦устойчивого к СВВФ      ¦
¦           ¦загружаемой памятью ¦ числе:  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(функциональный аналог  ¦
¦           ¦программ, с         ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦PIC18F66 ф. Microchip); ¦
¦           ¦12-разрядными АЦП и ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦спецстойкого            ¦
¦           ¦ЦАП, устойчивых к   ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦микроконтроллера с      ¦
¦           ¦СВВФ;               ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦загружаемой памятью     ¦
¦           ¦радиационно-стойкого¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦программ (система       ¦
¦           ¦32-разрядного       ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦команд - PIC17);        ¦
¦           ¦процессора цифровой ¦  250,0  ¦ 30,5  ¦ 52,7  ¦ 76,0  ¦ 90,8  ¦микроконтроллера с      ¦
¦           ¦обработки сигналов с¦  125,0  ¦ 16,3  ¦ 26,4  ¦ 41,4  ¦ 40,9  ¦12-разрядными АЦП и ЦАП,¦
¦           ¦плавающей запятой;  ¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦устойчивого к СВВФ      ¦
¦           ¦микропроцессорной   ¦  125,0  ¦ 14,2  ¦ 26,3  ¦ 34,6  ¦ 49,9  ¦(функциональный аналог  ¦
¦           ¦СБИС типа "система  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦PIC16С770               ¦
¦           ¦на кристалле" с     ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ф. Microchip);          ¦
¦           ¦встроенной          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦радиационно-стойкого    ¦
¦           ¦операционной        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦32-разрядного           ¦
¦           ¦системой для        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦процессора цифровой     ¦
¦           ¦интеллектуальных    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦обработки сигналов с    ¦
¦           ¦карт и электронных  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦плавающей запятой,      ¦
¦           ¦документов          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦функционально           ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦совместимого с серийно  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦выпускаемыми            ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦процессорами линейки    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦1867 (тактовая частота  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦50 МГц;                 ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦производительность 50   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦MFLOPS; внутреннее ОЗУ  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦данных 2Кx32, бит;      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Кэш ОЗУ 64x32, бит;     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦внутреннее ПЗУ программ ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦4Kx32, бит; два         ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦последовательных порта  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦с организацией          ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦8/16/24/32 бит;         ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦мультипроцессорный      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦интерфейс; блок прямого ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦доступа к памяти (DMA); ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦два 32-разрядных        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦таймера);               ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦микропроцессорной СБИС  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦типа "система на        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦кристалле" с встроенной ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦операционной системой   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦для интеллектуальных    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦карт и электронных      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦документов (зарубежные  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦аналоги SLE66LX640P,    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ф. Infineon; ST19WR66,  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦STM; P5CD072,           ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ф. Philips)             ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦    1.2    ¦Разработка микросхем¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦СОЗУ емкостью 64К,  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦256К, 1М, 4М и 8М,  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦ряда ЭСППЗУ,        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦однократно и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦многократно         ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦программируемых ПЗУ ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦для изделий         ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦специального        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦назначения и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦двойного применения,¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦в том числе:        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦   1.2.1   ¦Разработка          ¦  312,0  ¦ 38,0  ¦ 65,9  ¦ 95,0  ¦ 113,1 ¦Опытные образцы:        ¦
¦           ¦однократно          ¦  156,0  ¦ 20,3  ¦ 33,1  ¦ 51,8  ¦ 50,8  ¦микросхемы однократно   ¦
¦           ¦электрически        ¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦электрически            ¦
¦           ¦программируемого ЗУ ¦  156,0  ¦ 17,7  ¦ 32,8  ¦ 43,2  ¦ 62,3  ¦программируемого ЗУ     ¦
¦           ¦емкостью 1М,        ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦емкостью 1М, стойкого к ¦
¦           ¦стойкого к          ¦ числе:  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦спецфакторам            ¦
¦           ¦спецфакторам,       ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦(разрядность слова - 8; ¦
¦           ¦микросхем           ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦емкость - 1 Мбит; время ¦
¦           ¦статических ОЗУ     ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦доступа по чтению -     ¦
¦           ¦емкостью 4 и 8 Мбит ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦40 нс; напряжение       ¦
¦           ¦и многократно       ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦программирования -      ¦
¦           ¦программируемого ПЗУ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦напряжение питания      ¦
¦           ¦для задания         ¦  312,0  ¦ 38,0  ¦ 65,9  ¦ 95,0  ¦ 113,1 ¦3,3 В; тип ячейки -     ¦
¦           ¦конфигурации ПЛИС   ¦  156,0  ¦ 20,3  ¦ 33,1  ¦ 51,8  ¦ 50,8  ¦antifuse; диапазон      ¦
¦           ¦                    ¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦напряжения питания -    ¦
¦           ¦                    ¦  156,0  ¦ 17,7  ¦ 32,8  ¦ 43,2  ¦ 62,3  ¦3,0 - 5,5 В);           ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦микросхем статических   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ОЗУ емкостью 4 Мбит и   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦8 Мбит (аналог CY7C1049 ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ф. Cypress) и           ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦многократно             ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦программируемого ПЗУ    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦емкостью 1 Мбит для     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦задания конфигурации    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ПЛИС (функциональный    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦аналог AT17LV010        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ф. Atmel)               ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦   1.2.2   ¦Разработка          ¦  178,4  ¦ 20,4  ¦ 29,7  ¦ 40,3  ¦ 88,0  ¦Элементная база,        ¦
¦           ¦элементной базы,    ¦  89,2   ¦  9,8  ¦ 15,9  ¦ 26,8  ¦ 36,7  ¦библиотеки              ¦
¦           ¦библиотек           ¦  ----   ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦проектирования и        ¦
¦           ¦проектирования и    ¦  89,2   ¦ 10,6  ¦ 13,8  ¦ 13,5  ¦ 51,3  ¦опытные образцы         ¦
¦           ¦микросхем           ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦микросхем:              ¦
¦           ¦двухпортового СОЗУ  ¦ числе:  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦двухпортового СОЗУ      ¦
¦           ¦емкостью 256 К; FRAM¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦емкостью 256 К          ¦
¦           ¦ЗУ емкостью 64 К;   ¦  178,4  ¦ 20,4  ¦ 29,7  ¦ 40,3  ¦ 88,0  ¦(прототип IDT7007,      ¦
¦           ¦ОЗУ емкостью 256 К, ¦  89,2   ¦  9,8  ¦ 15,9  ¦ 26,8  ¦ 36,7  ¦ф. IDT); FRAM ЗУ        ¦
¦           ¦устойчивого к СВВФ; ¦  ----   ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦емкостью 64 К (прототип ¦
¦           ¦ЭСППЗУ емкостью     ¦  89,2   ¦ 10,6  ¦ 13,8  ¦ 13,5  ¦ 51,3  ¦FM24C256-SE,            ¦
¦           ¦256 К               ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ф. Ramtron); ОЗУ        ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦емкостью 256 К,         ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦устойчивого к СВВФ;     ¦
¦           ¦                    ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦ЭСППЗУ емкостью         ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦256 К (прототип         ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦AT24C256 ф. Atmel)      ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦    1.3    ¦Разработка семейства¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦ПЛИС и БМК, в том   ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦числе устойчивых к  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦СВВФ, для аппаратуры¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦специального        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦назначения и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦двойного применения,¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦а также разработка  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦программных средств ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦для перевода        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦проектов,           ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦реализованных на    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦зарубежных ПЛИС, в  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦полузаказные СБИС на¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦отечественных БМК, в¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦том числе:          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦   1.3.1   ¦Разработка стойкой к¦  272,0  ¦ 33,2  ¦ 57,5  ¦ 82,8  ¦ 98,5  ¦Опытные образцы:        ¦
¦           ¦СВВФ ПЛИС с системой¦  136,0  ¦ 17,8  ¦ 28,8  ¦ 45,2  ¦ 44,2  ¦стойкой к СВВФ ПЛИС     ¦
¦           ¦устойчивости к      ¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦емкостью 30 тысяч       ¦
¦           ¦одиночным сбоям,    ¦  136,0  ¦ 15,4  ¦ 28,7  ¦ 37,6  ¦ 54,3  ¦вентилей с системой     ¦
¦           ¦ряда базовых        ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦устойчивости к          ¦
¦           ¦матричных кристаллов¦ числе:  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦одиночным сбоям         ¦
¦           ¦(БМК), семейства    ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦(напряжение питания, В: ¦
¦           ¦радиационно-стойких ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦2,5 - 3,3; типовая      ¦
¦           ¦КМОП БМК с          ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦логическая емкость:     ¦
¦           ¦компилированными    ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦30 тыс. вентилей;       ¦
¦           ¦ОЗУ, семейства      ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦количество логических   ¦
¦           ¦радиационно-стойких ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦элементов: 1728; объем  ¦
¦           ¦ПЛИС с              ¦  272,0  ¦ 33,2  ¦ 57,5  ¦ 82,8  ¦ 98,5  ¦встроенной памяти, бит: ¦
¦           ¦энергонезависимой   ¦  136,0  ¦ 17,8  ¦ 28,8  ¦ 45,2  ¦ 44,2  ¦12288; разрабатываемая  ¦
¦           ¦сегнетоэлектрической¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ПЛИС функционально      ¦
¦           ¦(FRAM) памятью      ¦  136,0  ¦ 15,4  ¦ 28,7  ¦ 37,6  ¦ 54,3  ¦совместима с ПЛИС FLEX  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦10K30 ф. Altera);       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦базовых матричных       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦кристаллов (БМК) с      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦числом вентилей до      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦1000000 и тактовой      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦частотой 200 МГц;       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦радиационно-стойких     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦КМОП БМК с              ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦компилированными ОЗУ    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(эквивалентное число    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦вентилей - до 200000;   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦аналоги: семейство БМК  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦серии 1537ХМ (Россия),  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦семейство БМК MG2RTP    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(ф. Atmel));            ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦семейство радиационно-  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦стойких ПЛИС с          ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦энергонезависимой       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦сегнетоэлектрической    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(FRAM) памятью          ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(эквивалентное число    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦вентилей:               ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦60000 - 100000;         ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦емкость                 ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦сегнетоэлектрической    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(FRAM) памяти: 256      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Кбит; напряжение        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦питания: 3,3 или 5,0 В) ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦   1.3.2   ¦Разработка серии    ¦  89,8   ¦ 13,8  ¦ 17,5  ¦ 39,5  ¦ 19,0  ¦Опытные образцы         ¦
¦           ¦однократно          ¦  44,9   ¦  7,5  ¦  9,0  ¦ 21,4  ¦  7,0  ¦однократно              ¦
¦           ¦программируемых     ¦  ----   ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦ ----  ¦программируемых         ¦
¦           ¦логических схем на  ¦  44,9   ¦  6,3  ¦  8,5  ¦ 18,1  ¦ 12,0  ¦логических схем на 2 К  ¦
¦           ¦2 К и 8 К вентилей, ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦и 8 К вентилей,         ¦
¦           ¦устойчивых к СВВФ;  ¦ числе:  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦устойчивых к СВВФ       ¦
¦           ¦аналогового базового¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦(функциональные аналоги ¦
¦           ¦матричного кристалла¦  89,8   ¦ 13,8  ¦ 17,5  ¦ 39,5  ¦ 19,0  ¦RH1020, RH1280,         ¦
¦           ¦для создания        ¦  44,9   ¦  7,5  ¦  9,0  ¦ 21,4  ¦  7,0  ¦ф. Actel); аналогового  ¦
¦           ¦полузаказных        ¦  ----   ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦ ----  ¦базового матричного     ¦
¦           ¦аналоговых СБИС,    ¦  44,9   ¦  6,3  ¦  8,5  ¦ 18,1  ¦ 12,0  ¦кристалла для создания  ¦
¦           ¦устойчивых к СВВФ;  ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦полузаказных аналоговых ¦
¦           ¦программных средств ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦СБИС, устойчивых к СВВФ ¦
¦           ¦для перевода        ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦(напряжение питания:    ¦
¦           ¦проектов,           ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦3 - 15 В; 36 типовых    ¦
¦           ¦реализованных на    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦операционных            ¦
¦           ¦ПЛИС фирмы Xilinx, в¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦усилителей; 512         ¦
¦           ¦заказные СБИС       ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦двухвходовых вентилей;  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦64 двухтактных          ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦триггера; масочное      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦программирование).      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Программные средства    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦для перевода проектов,  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦реализованных на ПЛИС   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ф. Xilinx, в заказные   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦СБИС (библиотеки        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦функциональных и        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦структурных описаний    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦элементов отечественных ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦СБИС; программные       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦средства                ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦перепроектирования      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(синтеза) в базисах     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦библиотек отечественных ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦СБИС; программные       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦средства преобразования ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦и оптимизации           ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦RTL-описаний логических ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦схем; программные       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦средства синтеза        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦макроэлементов,         ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦реализующих             ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦математические функции; ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦программные средства    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦логической верификации  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦процесса повторного     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦синтеза)                ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦    1.4    ¦Разработка          ¦  89,4   ¦ 15,7  ¦ 19,8  ¦ 37,4  ¦ 16,5  ¦Опытные образцы         ¦
¦           ¦библиотеки элементов¦  44,7   ¦  8,0  ¦ 10,2  ¦ 20,5  ¦  6,0  ¦элементной базы         ¦
¦           ¦и СФ-блоков для     ¦  ----   ¦  ---  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦матричных кремниевых    ¦
¦           ¦создания            ¦  44,7   ¦  7,7  ¦  9,6  ¦ 16,9  ¦ 10,5  ¦мультиплексоров для     ¦
¦           ¦унифицированного    ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦фотоприемных устройств  ¦
¦           ¦типоразмерного ряда ¦ числе:  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(накопитель для матрицы ¦
¦           ¦кремниевых          ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦изображения 320 x 240   ¦
¦           ¦мультиплексоров для ¦  89,4   ¦ 15,7  ¦ 19,8  ¦ 37,4  ¦ 16,5  ¦пикселов); микросхемы   ¦
¦           ¦ИК ФПУ и разработка ¦  44,7   ¦  8,0  ¦ 10,2  ¦ 20,5  ¦  6,0  ¦12-разрядного           ¦
¦           ¦опытных образцов    ¦  ----   ¦  ---  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦4-канального            ¦
¦           ¦мультиплексора для  ¦  44,7   ¦  7,7  ¦  9,6  ¦ 16,9  ¦ 10,5  ¦цифро-аналогового       ¦
¦           ¦фотоприемных матриц ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦преобразователя         ¦
¦           ¦третьего поколения  ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦(прототип DAC8412       ¦
¦           ¦дальнего ИК         ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦ф. Analog Devices) и    ¦
¦           ¦диапазона и БИС     ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦микросхемы              ¦
¦           ¦управления и        ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦широкополосного видео   ¦
¦           ¦обработки сигналов  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦мультиплексора 4 x 1    ¦
¦           ¦мультиплексора, в   ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(прототип AD9300,       ¦
¦           ¦том числе разработка¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ф. Analog Devices)      ¦
¦           ¦элементной базы     ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦матричных кремниевых¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦мультиплексоров для ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦фотоприемных        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦устройств,          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦микросхемы          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦12-разрядного       ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦4-канального        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦цифро-аналогового   ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦преобразователя и   ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦микросхемы          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦широкополосного     ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦видео мультиплексора¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦4 x 1               ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦    1.5    ¦Разработка ряда схем¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦интерфейса, в том   ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦числе устойчивых к  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦СВВФ, для аппаратуры¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦специального        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦назначения и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦двойного применения,¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦в том числе:        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦   1.5.1   ¦Разработка комплекта¦  57,2   ¦ 10,0  ¦ 15,1  ¦ 13,8  ¦ 18,3  ¦Опытные образцы         ¦
¦           ¦интерфейсных        ¦  28,6   ¦  6,3  ¦  7,0  ¦  7,9  ¦  7,4  ¦микросхем               ¦
¦           ¦интегральных        ¦  ----   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦приемопередатчиков      ¦
¦           ¦микросхем           ¦  28,6   ¦  3,7  ¦  8,1  ¦  5,9  ¦ 10,9  ¦стандарта RS-485 с      ¦
¦           ¦приемопередатчиков  ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦пониженным до 3 В       ¦
¦           ¦стандарта RS-485 и  ¦ числе:  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦напряжением питания     ¦
¦           ¦комплекта микросхем ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦(аналоги MAX 3485, MAX  ¦
¦           ¦интерфейсных        ¦  57,2   ¦ 10,0  ¦ 15,1  ¦ 13,8  ¦ 18,3  ¦3486, ф. Maxim) и       ¦
¦           ¦приемопередатчиков  ¦  28,6   ¦  6,3  ¦  7,0  ¦  7,9  ¦  7,4  ¦микросхем интерфейсных  ¦
¦           ¦манчестерского кода ¦  ----   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦приемопередатчиков      ¦
¦           ¦                    ¦  28,6   ¦  3,7  ¦  8,1  ¦  5,9  ¦ 10,9  ¦манчестерского кода с   ¦
¦           ¦                    ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦пониженным напряжением  ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦питания 3.3 В (аналоги  ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦HI-1573, HI-1574,       ¦
¦           ¦                    ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦ф. Holt Integrated      ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦Circuits), устойчивых к ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦СВВФ                    ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦   1.5.2   ¦Разработка          ¦  42,0   ¦  4,9  ¦  9,0  ¦ 13,0  ¦ 15,1  ¦Опытные образцы         ¦
¦           ¦микросхемы          ¦  21,0   ¦  2,5  ¦  4,6  ¦  7,1  ¦  6,8  ¦микросхемы              ¦
¦           ¦приемопередатчика   ¦  ----   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦приемопередатчика       ¦
¦           ¦интерфейса LVDS     ¦  21,0   ¦  2,4  ¦  4,4  ¦  5,9  ¦  8,3  ¦интерфейса LVDS,        ¦
¦           ¦                    ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦устойчивой к СВВФ       ¦
¦           ¦                    ¦ числе:  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(аналог DS90LV049       ¦
¦           ¦                    ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦ф. NS)                  ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦  42,0   ¦  4,9  ¦  9,0  ¦ 13,0  ¦ 15,1  ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦  21,0   ¦  2,5  ¦  4,6  ¦  7,1  ¦  6,8  ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦  ----   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦  21,0   ¦  2,4  ¦  4,4  ¦  5,9  ¦  8,3  ¦                        ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦    1.6    ¦Разработка ряда     ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦микросхем для       ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦источников          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦вторичного          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦электропитания в    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦аппаратуре          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦специального        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦назначения и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦двойного применения,¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦в том числе:        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦   1.6.1   ¦Разработка микросхем¦  68,0   ¦  5,1  ¦ 11,0  ¦ 14,9  ¦ 37,0  ¦Опытные образцы         ¦
¦           ¦микромощного        ¦  34,0   ¦  2,6  ¦  5,0  ¦  9,4  ¦ 17,0  ¦микросхем: микромощного ¦
¦           ¦стабилизатора       ¦  ----   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦стабилизатора           ¦
¦           ¦напряжения,         ¦  34,0   ¦  2,5  ¦  6,0  ¦  5,5  ¦ 20,0  ¦напряжения (входное     ¦
¦           ¦малошумящего        ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦напряжение: 6 - 16 В;   ¦
¦           ¦двухдиапазонного    ¦ числе:  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦выходное напряжение:    ¦
¦           ¦источника опорного  ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦5 В +/- 2%; ток         ¦
¦           ¦напряжения,         ¦  68,0   ¦  5,1  ¦ 11,0  ¦ 14,9  ¦ 37,0  ¦потребления: не более   ¦
¦           ¦регулятора          ¦  34,0   ¦  2,6  ¦  5,0  ¦  9,4  ¦ 17,0  ¦6 мкА; температурный    ¦
¦           ¦напряжения          ¦  ----   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦коэффициент выходного   ¦
¦           ¦положительной       ¦  34,0   ¦  2,5  ¦  6,0  ¦  5,5  ¦ 20,0  ¦напряжения: не более    ¦
¦           ¦полярности с низким ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦+/-1 мВ/°C; ближайший   ¦
¦           ¦остаточным          ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦функциональный аналог   ¦
¦           ¦напряжением для     ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦ADM663 ф. Analog        ¦
¦           ¦источников питания  ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦Devices); малошумящего  ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦двухдиапазонного        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦источника опорного      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦напряжения (аналог      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦AD780, ф. Analog        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Devices); регулятора    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦напряжения              ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦положительной           ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦полярности с низким     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦остаточным напряжением  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦для источников питания  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(аналог AMS1117A,       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ф. Advanced Monolitic   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Systems)                ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦   1.6.2   ¦Разработка СБИС     ¦  44,0   ¦  5,4  ¦  9,3  ¦ 13,4  ¦ 15,9  ¦Опытные образцы СБИС    ¦
¦           ¦повышающего         ¦  22,0   ¦  2,9  ¦  4,7  ¦  7,3  ¦  7,1  ¦повышающего             ¦
¦           ¦преобразователя     ¦  ----   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦преобразователя         ¦
¦           ¦напряжения (DCDC)   ¦  22,0   ¦  2,5  ¦  4,6  ¦  6,1  ¦  8,8  ¦напряжения DCDC (аналог ¦
¦           ¦для применения в    ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦RICOH RH5RIXX)          ¦
¦           ¦устройствах и       ¦ числе:  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦системах,           ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦использующих        ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦                        ¦
¦           ¦низковольтные       ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦                        ¦
¦           ¦источники питания   ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦  44,0   ¦  5,4  ¦  9,3  ¦ 13,4  ¦ 15,9  ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦  22,0   ¦  2,9  ¦  4,7  ¦  7,3  ¦  7,1  ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦  ----   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦                        ¦
¦           ¦                    ¦  22,0   ¦  2,5  ¦  4,6  ¦  6,1  ¦  8,8  ¦                        ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦    1.7    ¦Разработка ряда     ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦операционных        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦усилителей,         ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦компараторов,       ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦аналого-цифровых    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦схем для аппаратуры ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦специального        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦назначения и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦двойного применения,¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦в том числе:        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦   1.7.1   ¦Разработка          ¦  120,0  ¦ 14,7  ¦ 25,4  ¦ 36,5  ¦ 43,4  ¦Опытные образцы:        ¦
¦           ¦биполярных          ¦  60,0   ¦  7,9  ¦ 12,7  ¦ 19,9  ¦ 19,5  ¦биполярных интегральных ¦
¦           ¦интегральных        ¦  ----   ¦  ---  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦функционально полных    ¦
¦           ¦функционально полных¦  60,0   ¦  6,8  ¦ 12,7  ¦ 16,6  ¦ 23,9  ¦ЦАП (время установления ¦
¦           ¦ЦАП и АЦП на 16     ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦выходного сигнала       ¦
¦           ¦двоичных разрядов,  ¦ числе:  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦+/-0,003% от Ufs = 10 В ¦
¦           ¦шестиканального     ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦- не более 5 мкс;       ¦
¦           ¦16-разрядного АЦП с ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦число разрядов 16) и    ¦
¦           ¦напряжением питания ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦АЦП (время              ¦
¦           ¦3 В и 5 В           ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦преобразования          ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦выходного сигнала       ¦
¦           ¦                    ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Ufs = 10 В - не более   ¦
¦           ¦                    ¦  120,0  ¦ 14,7  ¦ 25,4  ¦ 36,5  ¦ 43,4  ¦16 мкс; число разрядов  ¦
¦           ¦                    ¦  60,0   ¦  7,9  ¦ 12,7  ¦ 19,9  ¦ 19,5  ¦16);                    ¦
¦           ¦                    ¦  ----   ¦  ---  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦шестиканального         ¦
¦           ¦                    ¦  60,0   ¦  6,8  ¦ 12,7  ¦ 16,6  ¦ 23,9  ¦16-разрядного АЦП с     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦напряжением питания 3 В ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦и 5 В (аналог AD73360   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ф. Analog Devices)      ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦   1.7.2   ¦Разработка          ¦  58,0   ¦  0,0  ¦  8,0  ¦ 11,5  ¦ 38,5  ¦Опытные образцы         ¦
¦           ¦микросхемы датчика  ¦  29,0   ¦  0,0  ¦  2,0  ¦  8,5  ¦ 18,5  ¦микросхемы датчика      ¦
¦           ¦температуры и       ¦  ----   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦температуры (аналог     ¦
¦           ¦комплекта микросхем ¦  29,0   ¦  0,0  ¦  6,0  ¦  3,0  ¦ 20,0  ¦TMP01, ф. Analog        ¦
¦           ¦для контроля        ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Devices);               ¦
¦           ¦питания, устойчивых ¦ числе:  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦комплекта микросхем для ¦
¦           ¦к СВВФ              ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦контроля питания,       ¦
¦           ¦                    ¦  58,0   ¦  0,0  ¦  8,0  ¦ 11,5  ¦ 38,5  ¦устойчивых к СВВФ       ¦
¦           ¦                    ¦  29,0   ¦  0,0  ¦  2,0  ¦  8,5  ¦ 18,5  ¦(аналог MAX809/810,     ¦
¦           ¦                    ¦  ----   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦ф. Maxim): контроль     ¦
¦           ¦                    ¦  29,0   ¦  0,0  ¦  6,0  ¦  3,0  ¦ 20,0  ¦питания +2,5В; +3,0В;   ¦
¦           ¦                    ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦+3,3В; +5,0В низким и   ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦высоким уровнями        ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦сигнала сброса;         ¦
¦           ¦                    ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦устойчивость к СВВФ:    ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦2Ус; диапазон рабочих   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦температур: от минус 60 ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦до +125 °C              ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦    1.8    ¦Разработка          ¦  75,0   ¦  4,0  ¦ 20,5  ¦ 34,5  ¦ 16,0  ¦Опытные образцы         ¦
¦           ¦интегральных схем   ¦  37,5   ¦  3,0  ¦ 10,5  ¦ 20,0  ¦  4,0  ¦микросхемы драйвера с   ¦
¦           ¦для управления      ¦  ----   ¦  ---  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦программируемым         ¦
¦           ¦устройствами        ¦  37,5   ¦  1,0  ¦ 10,0  ¦ 14,5  ¦ 12,0  ¦мультиплексом для       ¦
¦           ¦отображения         ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦сегментных ЖКИ (аналог  ¦
¦           ¦информации, в том   ¦ числе:  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦HT1621, ф. Holtek) и    ¦
¦           ¦числе микросхемы    ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦комплекта микросхем     ¦
¦           ¦драйвера с          ¦  75,0   ¦  4,0  ¦ 20,5  ¦ 34,5  ¦ 16,0  ¦высоковольтных          ¦
¦           ¦программируемым     ¦  37,5   ¦  3,0  ¦ 10,5  ¦ 20,0  ¦  4,0  ¦драйверов               ¦
¦           ¦мультиплексом для   ¦  ----   ¦  ---  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦строк/столбцов для      ¦
¦           ¦сегментных ЖКИ и    ¦  37,5   ¦  1,0  ¦ 10,0  ¦ 14,5  ¦ 12,0  ¦устройств управления    ¦
¦           ¦комплекта микросхем ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦информационными         ¦
¦           ¦высоковольтных      ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦экранами на             ¦
¦           ¦драйверов           ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦газоплазменных панелях  ¦
¦           ¦строк/столбцов для  ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦(аналоги миPD16306,     ¦
¦           ¦устройств управления¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦миPD16337 ф. NEC)       ¦
¦           ¦информационными     ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦экранами на         ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦газоплазменных      ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
¦           ¦панелях             ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                        ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+------------------------+
¦    1.9    ¦Разработка СБИС типа¦  520,0  ¦ 63,2  ¦ 109,8 ¦ 158,3 ¦ 188,7 ¦Опытные образцы:        ¦
¦           ¦"система на         ¦  260,0  ¦ 33,9  ¦ 55,1  ¦ 86,3  ¦ 84,7  ¦СБИС цифровой системы   ¦
¦           ¦кристалле" для      ¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----- ¦приема и обработки      ¦
¦           ¦построения новейших ¦  260,0  ¦ 29,3  ¦ 54,7  ¦ 72,0  ¦ 104,0 ¦высокочастотных         ¦
¦           ¦систем радиосвязи,  ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦сигналов (состав:       ¦
¦           ¦радиолокации,       ¦ числе:  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦аналого-цифровые        ¦
¦           ¦цифрового           ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦преобразователи         ¦

Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4

Право Беларуси 2009

карта новых документов

Разное

При полном или частичном использовании материалов сайта ссылка на pravo.levonevsky.org обязательна

© 2006-2017г. www.levonevsky.org

TopList

Законодательство Беларуси и других стран

Законодательство России кодексы, законы, указы (изьранное), постановления, архив


Законодательство Республики Беларусь по дате принятия:

2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 2002 2001 2000 до 2000 года

Защита прав потребителя
ЗОНА - специальный проект

Бюллетень "ПРЕДПРИНИМАТЕЛЬ" - о предпринимателях.



Новые документы




NewsBY.org. News of Belarus

UK Laws - Legal Portal

Legal portal of Belarus

Russian Business

The real estate of Russia

Valery Levaneuski. Personal website of the Belarus politician, the former political prisoner