Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 22.12.2006 N 14/129 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"
Документ утратил силу
Архив ноябрь 2011 года
<< Назад |
<<< Главная страница
Стр. 14
Стр.1 ... | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | ... Стр.28 +------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.3.2 ¦Более трех шин данных или команд либо ¦8542 21 45; ¦
¦ ¦последовательных портов связи, ¦8542 21 500 0;¦
¦ ¦обеспечивающих в отдельности прямое ¦8542 21 83; ¦
¦ ¦внешнее соединение между параллельными¦8542 21 850 0;¦
¦ ¦микросхемами микропроцессоров со ¦8542 60 000 ¦
¦ ¦скоростью передачи 1000 Мбайт/с или ¦ ¦
¦ ¦более ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание. ¦
¦Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые ¦
¦матричные процессоры и цифровые сопроцессоры ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.4 ¦Интегральные схемы памяти, ¦8542 21 45; ¦
¦ ¦изготовленные на полупроводниковых ¦8542 21 500 0;¦
¦ ¦соединениях ¦8542 21 83; ¦
¦ ¦ ¦8542 21 850 0;¦
¦ ¦ ¦8542 60 000 ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.5 ¦Следующие интегральные схемы для ¦8542 29 600 0;¦
¦ ¦аналого-цифровых и цифроаналоговых ¦8542 29 900 9;¦
¦ ¦преобразователей: ¦8542 60 000 9 ¦
¦ ¦а) аналого-цифровые преобразователи, ¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦разрешающую способность 8 бит или ¦ ¦
¦ ¦более, но менее 10 бит, со скоростью ¦ ¦
¦ ¦на выходе более 500 млн. слов в ¦ ¦
¦ ¦секунду ¦ ¦
¦ ¦разрешающую способность 10 бит или ¦ ¦
¦ ¦более, но менее 12 бит, со скоростью ¦ ¦
¦ ¦на выходе более 200 млн. слов в ¦ ¦
¦ ¦секунду ¦ ¦
¦ ¦разрешающую способность 12 бит со ¦ ¦
¦ ¦скоростью на выходе более 50 млн. слов¦ ¦
¦ ¦в секунду ¦ ¦
¦ ¦разрешающую способность более 12 бит, ¦ ¦
¦ ¦но равную или меньше 14 бит, со ¦ ¦
¦ ¦скоростью на выходе более 5 млн. слов ¦ ¦
¦ ¦в секунду ¦ ¦
¦ ¦или разрешающую способность более 14 ¦ ¦
¦ ¦бит со скоростью на выходе более 1 ¦ ¦
¦ ¦млн. слов в секунду ¦ ¦
¦ ¦б) цифроаналоговые преобразователи с ¦ ¦
¦ ¦разрешающей способностью 12 бит или ¦ ¦
¦ ¦более и временем установления сигнала ¦ ¦
¦ ¦менее 10 нс ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Технические примечания: ¦
¦ n ¦
¦1. Разрешающая способность n битов соответствует 2 уровням ¦
¦квантования ¦
¦2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей ¦
¦способности аналого-цифрового преобразователя ¦
¦3. Скорость на выходе является максимальной скоростью на выходе ¦
¦преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом ¦
¦по частоте дискретизации. Поставщики могут также ссылаться на ¦
¦скорость на выходе как на частоту выборки, скорость ¦
¦преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют ¦
¦в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с) ¦
¦4. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в ¦
¦секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.6 ¦Электронно-оптические и оптические ¦8542 ¦
¦ ¦интегральные схемы для обработки ¦ ¦
¦ ¦сигналов, имеющие одновременно все ¦ ¦
¦ ¦перечисленные составляющие: ¦ ¦
¦ ¦а) один внутренний лазерный диод или ¦ ¦
¦ ¦более ¦ ¦
¦ ¦б) один внутренний светочувствительный¦ ¦
¦ ¦элемент или более; и ¦ ¦
¦ ¦в) световоды ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.7 ¦Программируемые пользователем ¦8542 21 690 0;¦
¦ ¦логические устройства, имеющие любую ¦8542 21 990 0 ¦
¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) эквивалентное количество ¦ ¦
¦ ¦задействованных логических элементов ¦ ¦
¦ ¦более 30000 (в пересчете на элементы с¦ ¦
¦ ¦двумя входами) ¦ ¦
¦ ¦б) типовое время задержки основного ¦ ¦
¦ ¦логического элемента менее 0,1 нс; или¦ ¦
¦ ¦в) частоту переключения выше 133 МГц ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание. ¦
¦Пункт 3.1.1.1.7 включает: простые программируемые логические ¦
¦устройства (ППЛУ) сложные программируемые логические устройства ¦
¦(СПЛУ) программируемые пользователем вентильные матрицы ¦
¦(ППВМ) программируемые пользователем логические матрицы ¦
¦(ППЛМ) программируемые пользователем межсоединения (ППМС) ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Особое Примечание. ¦
¦Программируемые пользователем логические устройства также ¦
¦известны как программируемые пользователем вентильные или ¦
¦программируемые пользователем логические матрицы ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.8 ¦Интегральные схемы для нейронных сетей¦8542 ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.9 ¦Заказные интегральные схемы, функции ¦8542 21 690 0;¦
¦ ¦которых неизвестны или изготовителю не¦8542 21 990 0;¦
¦ ¦известно, распространяется ли статус ¦8542 29; ¦
¦ ¦контроля на аппаратуру, в которой ¦8542 60 000 ¦
¦ ¦будут использоваться эти интегральные ¦ ¦
¦ ¦схемы, с любой из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) более 1000 выводов ¦ ¦
¦ ¦б) типовое время задержки основного ¦ ¦
¦ ¦логического элемента менее 0,1 нс; или¦ ¦
¦ ¦в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.10 ¦Цифровые интегральные схемы, иные, ¦8542 ¦
¦ ¦нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 -¦ ¦
¦ ¦3.1.1.1.9 и пункте 3.1.1.1.11, ¦ ¦
¦ ¦созданные на основе любого ¦ ¦
¦ ¦полупроводникового соединения и ¦ ¦
¦ ¦характеризующиеся любым из ¦ ¦
¦ ¦нижеследующего: ¦ ¦
¦ ¦а) эквивалентным количеством ¦ ¦
¦ ¦логических элементов более 3000 (в ¦ ¦
¦ ¦пересчете на элементы с двумя ¦ ¦
¦ ¦входами); или ¦ ¦
¦ ¦б) частотой переключения выше 1,2 ГГц ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.11 ¦Процессоры быстрого преобразования ¦8542 21 45; ¦
¦ ¦Фурье, имеющие расчетное время ¦8542 21 500 0;¦
¦ ¦выполнения комплексного N-точечного ¦8542 21 83; ¦
¦ ¦сложного быстрого преобразования Фурье¦8542 21 850 0;¦
¦ ¦менее (N log N) / 20480 мс, ¦8542 60 000 ¦
¦ ¦ 2 ¦ ¦
¦ ¦где N - количество точек ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Техническое примечание. ¦
¦В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.11 ¦
¦дает результат времени выполнения 500 мкс ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Примечания: ¦
¦1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на ¦
¦которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по ¦
¦параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1 ¦
¦2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: ¦
¦монолитные интегральные схемы ¦
¦гибридные интегральные схемы ¦
¦многокристальные интегральные схемы ¦
¦пленочные интегральные схемы, ¦
¦включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире" ¦
¦оптические интегральные схемы ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2 ¦Компоненты микроволнового или ¦ ¦
¦ ¦миллиметрового диапазона: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.1 ¦Нижеперечисленные электронные ¦ ¦
¦ ¦вакуумные лампы и катоды: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.1.1 ¦Лампы бегущей волны импульсного или ¦8540 79 000 0 ¦
¦ ¦непрерывного действия: ¦ ¦
¦ ¦а) работающие на частотах, превышающих¦ ¦
¦ ¦31,8 ГГц ¦ ¦
¦ ¦б) имеющие элемент подогрева катода со¦ ¦
¦ ¦временем выхода лампы на предельную ¦ ¦
¦ ¦радиочастотную мощность менее 3 с ¦ ¦
¦ ¦в) лампы с сопряженными резонаторами ¦ ¦
¦ ¦или их модификации с относительной ¦ ¦
¦ ¦шириной полосы частот более 7% или ¦ ¦
¦ ¦пиком мощности, превышающим 2,5 кВт ¦ ¦
¦ ¦г) спиральные лампы или их ¦ ¦
¦ ¦модификации, имеющие любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦мгновенную ширину полосы частот более ¦ ¦
¦ ¦одной октавы и произведение средней ¦ ¦
¦ ¦мощности (выраженной в кВт) на рабочую¦ ¦
¦ ¦частоту (выраженную в ГГц) более 0,5 ¦ ¦
¦ ¦мгновенную ширину полосы частот в одну¦ ¦
¦ ¦октаву или менее и произведение ¦ ¦
¦ ¦средней мощности (выраженной в кВт) на¦ ¦
¦ ¦рабочую частоту (выраженную в ГГц) ¦ ¦
¦ ¦более 1; или ¦ ¦
¦ ¦пригодные для применения в космосе ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.1.2 ¦Лампы-усилители магнетронного типа с ¦8540 71 000 0 ¦
¦ ¦коэффициентом усиления более 17 дБ ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.1.3 ¦Импрегнированные катоды, разработанные¦8540 99 000 0 ¦
¦ ¦для электронных ламп, эмитирующие в ¦ ¦
¦ ¦непрерывном режиме и штатных условиях ¦ ¦
¦ ¦работы ток плотностью, превышающей 5 ¦ ¦
¦ ¦А/кв.см ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечания. ¦
¦1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, ¦
¦спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который ¦
¦удовлетворяет всем следующим характеристикам: ¦
¦а) частота не превышает 31,8 ГГц; и ¦
¦б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для ¦
¦обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения ¦
¦2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, которые ¦
¦непригодны для применения в космосе и удовлетворяют всем ¦
¦следующим характеристикам: ¦
¦а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; и ¦
¦б) спроектированные для работы в любом диапазоне частот, ¦
¦который удовлетворяет всем следующим характеристикам: ¦
¦частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и ¦
¦диапазон распределен Международным союзом электросвязи для ¦
¦обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.2 ¦Монолитные микроволновые интегральные ¦8542 29; ¦
¦ ¦схемы (ММИС) - усилители мощности, ¦8542 60 000; ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих ¦8542 70 000 0 ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц ¦ ¦
¦ ¦включительно и со средней выходной ¦ ¦
¦ ¦мощностью, превышающей 4 Вт (36 дБ, ¦ ¦
¦ ¦отсчитываемых относительно уровня ¦ ¦
¦ ¦1 мВт), с относительной шириной полосы¦ ¦
¦ ¦частот более 15% ¦ ¦
¦ ¦б) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц ¦ ¦
¦ ¦включительно и со средней выходной ¦ ¦
¦ ¦мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, ¦ ¦
¦ ¦отсчитываемых относительно уровня ¦ ¦
¦ ¦1 мВт), с относительной шириной полосы¦ ¦
¦ ¦частот более 10% ¦ ¦
¦ ¦в) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц ¦ ¦
¦ ¦включительно и со средней выходной ¦ ¦
¦ ¦мощностью, превышающей 0,8 Вт (29 дБ, ¦ ¦
¦ ¦отсчитываемых относительно уровня ¦ ¦
¦ ¦1 мВт), с относительной шириной полосы¦ ¦
¦ ¦частот более 10% ¦ ¦
¦ ¦г) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц¦ ¦
¦ ¦включительно ¦ ¦
¦ ¦д) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц¦ ¦
¦ ¦включительно и со средней выходной ¦ ¦
¦ ¦мощностью, превышающей 0,25 Вт (24 дБ,¦ ¦
¦ ¦отсчитываемых относительно уровня ¦ ¦
¦ ¦1 мВт), с относительной шириной полосы¦ ¦
¦ ¦частот более 10%; или ¦ ¦
¦ ¦е) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах выше 43,5 ГГц ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечания: ¦
¦1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется радиопередающее ¦
¦спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для ¦
¦работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц ¦
¦2. Контрольный статус ММИС, рабочая частота которых охватывает ¦
¦более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.2, ¦
¦определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной ¦
¦мощности ¦
¦3. Примечания, приведенные после пункта 3.1 категории 3, ¦
¦подразумевают, что по пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, ¦
¦если они специально разработаны для иных целей, например для ¦
¦телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.3 ¦Микроволновые транзисторы, имеющие ¦8541 21 000 0;¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦8541 29 000 0 ¦
¦ ¦а) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц ¦ ¦
¦ ¦включительно и имеющие среднюю ¦ ¦
¦ ¦выходную мощность, превышающую 60 Вт ¦ ¦
¦ ¦(47,8 дБ, отсчитываемых относительно ¦ ¦
¦ ¦уровня 1 мВт) ¦ ¦
¦ ¦б) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц ¦ ¦
¦ ¦включительно и имеющие среднюю ¦ ¦
¦ ¦выходную мощность, превышающую 20 Вт ¦ ¦
¦ ¦(43 дБ, отсчитываемых относительно ¦ ¦
¦ ¦уровня 1 мВт) ¦ ¦
¦ ¦в) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц¦ ¦
¦ ¦включительно и имеющие среднюю ¦ ¦
¦ ¦выходную мощность, превышающую 0,5 Вт ¦ ¦
¦ ¦(27 дБ, отсчитываемых относительно ¦ ¦
¦ ¦уровня 1 мВт) ¦ ¦
¦ ¦г) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц¦ ¦
¦ ¦включительно и имеющие среднюю ¦ ¦
¦ ¦выходную мощность, превышающую 1 Вт ¦ ¦
¦ ¦(30 дБ, отсчитываемых относительно ¦ ¦
¦ ¦уровня 1 мВт); или ¦ ¦
¦ ¦д) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах выше 43,5 ГГц ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание. ¦
¦Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает ¦
¦более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.3, ¦
¦определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной ¦
¦мощности ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.4 ¦Микроволновые твердотельные усилители ¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦и микроволновые сборки / модули, ¦ ¦
¦ ¦содержащие микроволновые усилители, ¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц ¦ ¦
¦ ¦включительно и со средней выходной ¦ ¦
¦ ¦мощностью, превышающей 60 Вт (47,8 дБ,¦ ¦
¦ ¦отсчитываемых относительно уровня 1 ¦ ¦
¦ ¦мВт), с относительной шириной полосы ¦ ¦
¦ ¦частот более 15% ¦ ¦
¦ ¦б) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц ¦ ¦
¦ ¦включительно и со средней выходной ¦ ¦
¦ ¦мощностью, превышающей 15 Вт (42 дБ, ¦ ¦
¦ ¦отсчитываемых относительно уровня ¦ ¦
¦ ¦1 мВт), с относительной шириной полосы¦ ¦
¦ ¦частот более 10% ¦ ¦
¦ ¦в) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц¦ ¦
¦ ¦включительно ¦ ¦
¦ ¦г) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц¦ ¦
¦ ¦включительно и со средней выходной ¦ ¦
¦ ¦мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, ¦ ¦
¦ ¦отсчитываемых относительно уровня ¦ ¦
¦ ¦1 мВт), с относительной шириной полосы¦ ¦
¦ ¦частот более 10% ¦ ¦
¦ ¦д) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах выше 43,5 ГГц; или ¦ ¦
¦ ¦е) предназначенные для работы на ¦ ¦
¦ ¦частотах выше 3 ГГц и имеющие все ¦ ¦
¦ ¦следующее: среднюю выходную мощность Р¦ ¦
¦ ¦(Вт), большую, чем результат от ¦ ¦
¦ ¦деления величины 150 (Вт x ГГц2) на ¦ ¦
¦ ¦максимальную рабочую частоту f (ГГц) в¦ ¦
¦ ¦квадрате, то есть: Р > 150 / f2 или в ¦ ¦
¦ ¦единицах размерности [(Вт) > (Вт x ¦ ¦
¦ ¦ГГц2)/(ГГц)2];относительную ширину ¦ ¦
¦ ¦полосы частот 5% или более; ¦ ¦
¦ ¦любые две взаимно перпендикулярные ¦ ¦
¦ ¦стороны с длиной d (см), равной или ¦ ¦
¦ ¦меньше, чем результат от деления ¦ ¦
¦ ¦величины 15 (см x ГГц) на наименьшую ¦ ¦
¦ ¦рабочую частоту f (ГГц), то есть: d <=¦ ¦
¦ ¦15 / f или в единицах размерности ¦ ¦
¦ ¦[(см) <= (см x ГГц)/(ГГц)] ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Особое Примечание. ¦
¦Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться ¦
¦критерии, описанные в пункте 3.1.1.2.2 ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Примечания: ¦
¦1. По пункту 3.1.1.2.4 не контролируется радиопередающее ¦
¦спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для ¦
¦работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц ¦
¦2. Контрольный статус изделия, рабочая частота которого ¦
¦охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте ¦
¦3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом средней ¦
¦выходной мощности ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.5 ¦Полосовые или заградительные фильтры с¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦электронной или магнитной ¦ ¦
¦ ¦перестройкой, содержащие более пяти ¦ ¦
¦ ¦настраиваемых резонаторов, ¦ ¦
¦ ¦обеспечивающих настройку в полосе ¦ ¦
¦ ¦частот с соотношением максимальной и ¦ ¦
¦ ¦минимальной частот 1,5:1 (f max / f ¦ ¦
¦ ¦min) менее чем за 10 мкс, и имеющие ¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) полосу пропускания частоты более ¦ ¦
¦ ¦0,5% от резонансной частоты; или ¦ ¦
¦ ¦б) полосу подавления частоты менее ¦ ¦
¦ ¦0,5% от резонансной частоты ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.6 ¦Смесители и преобразователи, ¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦разработанные для расширения ¦ ¦
¦ ¦частотного диапазона аппаратуры, ¦ ¦
¦ ¦указанной в пункте 3.1.2.3, 3.1.2.5 ¦ ¦
¦ ¦или 3.1.2.6 ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.2.7 ¦Микроволновые усилители мощности СВЧ- ¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦диапазона, содержащие лампы, ¦ ¦
¦ ¦контролируемые по пункту 3.1.1.2, и ¦ ¦
¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) рабочие частоты выше 3 ГГц ¦ ¦
¦ ¦б) плотность средней выходной ¦ ¦
¦ ¦мощности, превышающую 80 Вт/кг; и ¦ ¦
¦ ¦в) объем менее 400 куб.см ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание. ¦
¦По пункту 3.1.1.2.7 не контролируется аппаратура, ¦
¦спроектированная для работы в любом диапазоне частот, ¦
¦распределенном Международным союзом электросвязи для ¦
¦обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.3 ¦Приборы на акустических волнах и ¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для них ¦ ¦
¦ ¦компоненты: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.3.1 ¦Приборы на поверхностных акустических ¦8541 60 000 0 ¦
¦ ¦волнах и на акустических волнах в ¦ ¦
¦ ¦тонком поверхностном слое (то есть ¦ ¦
¦ ¦приборы для обработки сигналов, ¦ ¦
¦ ¦использующие упругие волны в ¦ ¦
¦ ¦материале), имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) несущую частоту выше 2,5 ГГц ¦ ¦
¦ ¦б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не ¦ ¦
¦ ¦превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно ¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦частотное подавление боковых лепестков¦ ¦
¦ ¦диаграммы направленности более 55 дБ ¦ ¦
¦ ¦произведение максимального времени ¦ ¦
¦ ¦задержки (в мкс) на ширину полосы ¦ ¦
¦ ¦частот (в МГц) более 100 ¦ ¦
¦ ¦ширину полосы частот выше 250 МГц; или¦ ¦
¦ ¦дисперсионную задержку более 10 мкс; ¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и ¦ ¦
¦ ¦дополнительно имеющие любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦произведение максимального времени ¦ ¦
¦ ¦задержки (в мкс) на ширину полосы ¦ ¦
¦ ¦частот (в МГц) более 100 ¦ ¦
¦ ¦дисперсионную задержку более 10 мкс; ¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦частотное подавление боковых лепестков¦ ¦
¦ ¦диаграммы направленности более 55 дБ и¦ ¦
¦ ¦ширину полосы частот, превышающую 50 ¦ ¦
¦ ¦МГц ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.3.2 ¦Приборы на объемных акустических ¦8541 60 000 0 ¦
¦ ¦волнах (то есть приборы для обработки ¦ ¦
¦ ¦сигналов, использующие упругие волны в¦ ¦
¦ ¦материале), обеспечивающие ¦ ¦
¦ ¦непосредственную обработку сигналов на¦ ¦
¦ ¦частотах, превышающих 1 ГГц ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.3.3 ¦Акустооптические приборы обработки ¦8541 60 000 0 ¦
¦ ¦сигналов, использующие взаимодействие ¦ ¦
¦ ¦между акустическими волнами (объемными¦ ¦
¦ ¦или поверхностными) и световыми ¦ ¦
¦ ¦волнами, что позволяет непосредственно¦ ¦
¦ ¦обрабатывать сигналы или изображения, ¦ ¦
¦ ¦включая анализ спектра, корреляцию или¦ ¦
¦ ¦свертку ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.4 ¦Электронные приборы и схемы, ¦8540; ¦
¦ ¦содержащие компоненты, изготовленные ¦8541; ¦
¦ ¦из сверхпроводящих материалов, ¦8542; ¦
¦ ¦специально спроектированные для работы¦8543 ¦
¦ ¦при температурах ниже критической ¦ ¦
¦ ¦температуры хотя бы одной из ¦ ¦
¦ ¦сверхпроводящих составляющих, имеющие ¦ ¦
¦ ¦хотя бы один из следующих признаков: ¦ ¦
¦ ¦а) токовые переключатели для цифровых ¦ ¦
¦ ¦схем, использующие сверхпроводящие ¦ ¦
¦ ¦вентили, у которых произведение ¦ ¦
¦ ¦времени задержки на вентиль (в ¦ ¦
¦ ¦секундах) на рассеиваемую мощность на ¦ ¦
¦ ¦ -14 ¦ ¦
¦ ¦вентиль (в ваттах) менее 10 Дж; или¦ ¦
¦ ¦б) селекцию частоты на всех частотах с¦ ¦
¦ ¦использованием резонансных контуров с ¦ ¦
¦ ¦добротностью, превышающей 10000 ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5 ¦Нижеперечисленные мощные ¦ ¦
¦ ¦энергетические устройства: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.1 ¦Батареи и сборки фотоэлектрических ¦ ¦
¦ ¦элементов: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.1.1 ¦Первичные элементы и батареи с ¦8506; ¦
¦ ¦плотностью энергии, превышающей 480 ¦8507; ¦
¦ ¦Вт·ч/кг, и пригодные для работы в ¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦диапазоне температур от ниже 243 К (- ¦ ¦
¦ ¦30 град. C) до выше 343 К (70 град. C)¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.1.2 ¦Подзаряжаемые элементы и батареи с ¦8506; ¦
¦ ¦плотностью энергии более 150 Вт ч/кг ¦8507; ¦
¦ ¦после 75 циклов заряд-разряда при токе¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦разряда, равном С/5 (С - номинальная ¦ ¦
¦ ¦емкость в ампер-часах, 5 - время ¦ ¦
¦ ¦разряда в часах), при работе в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне температур ¦ ¦
¦ ¦от ниже 253 К (-20 град. C) ¦ ¦
¦ ¦до выше 333 К (60 град. C) ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Техническое примечание. ¦
¦Плотность энергии определяется путем умножения средней мощности ¦
¦в ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ¦
¦ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при ¦
¦котором напряжение на разомкнутых клеммах падает до 75% от ¦
¦номинала, и деления полученного произведения на общую массу ¦
¦элемента (или батареи) в килограммах ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.1.3 ¦Батареи, пригодные для применения в ¦8506; ¦
¦ ¦космосе, и радиационно-стойкие сборки ¦8507; ¦
¦ ¦фотоэлектрических элементов с удельной¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦мощностью более 160 Вт/кв.м при ¦ ¦
¦ ¦рабочей температуре 301 К (28 град. C)¦ ¦
¦ ¦и облучении от вольфрамового ¦ ¦
¦ ¦источника, нагретого до температуры ¦ ¦
¦ ¦2800 К (2527 град. C) с плотностью ¦ ¦
¦ ¦мощности излучения 1 кВт/кв.м ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание. ¦
¦По пунктам 3.1.1.5.1.1 - 3.1.1.5.1.3 не контролируются батареи ¦
¦объемом 27 куб.см или менее (например, стандартные элементы с ¦
¦угольными стержнями или батареи типа R14) ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.2 ¦Высокоэнергетические накопительные ¦ ¦
¦ ¦конденсаторы: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.2.1 ¦Конденсаторы с частотой повторения ¦8506; ¦
¦ ¦ниже 10 Гц (одноразрядные ¦8507; ¦
¦ ¦конденсаторы), имеющие все следующие ¦8532 ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или ¦ ¦
¦ ¦более ¦ ¦
¦ ¦б) плотность энергии 250 Дж/кг или ¦ ¦
¦ ¦более; и ¦ ¦
¦ ¦в) полную энергию 25 кДж или более ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.2.2 ¦Конденсаторы с частотой повторения 10 ¦8506; ¦
¦ ¦Гц и выше (многоразрядные ¦8507; ¦
¦ ¦конденсаторы), имеющие все следующие ¦8532 ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или ¦ ¦
¦ ¦более; ¦ ¦
¦ ¦б) плотность энергии 50 Дж/кг или ¦ ¦
¦ ¦более ¦ ¦
¦ ¦в) полную энергию 100 Дж или более; и ¦ ¦
¦ ¦г) количество циклов заряд-разряда ¦ ¦
¦ ¦10000 или более ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.5.3 ¦Сверхпроводящие электромагниты и ¦8504 50; ¦
¦ ¦соленоиды, специально разработанные на¦8505 90 100 0 ¦
¦ ¦полный заряд или разряд менее чем за ¦ ¦
¦ ¦1 с, имеющие все нижеперечисленные ¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) энергию, выделяемую при разряде, ¦ ¦
¦ ¦превышающую 10 кДж за первую секунду ¦ ¦
¦ ¦б) внутренний диаметр токонесущих ¦ ¦
¦ ¦обмоток более 250 мм; и ¦ ¦
¦ ¦в) номинальную магнитную индукцию ¦ ¦
¦ ¦больше 8 Т или суммарную плотность ¦ ¦
¦ ¦тока в обмотке более 300 А/кв.мм ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание. ¦
¦По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие ¦
¦электромагниты или соленоиды, специально разработанные для ¦
¦медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.6 ¦Цифровые преобразователи абсолютного ¦9031 80 320 0;¦
¦ ¦углового положения вращающегося вала, ¦9031 80 340 0 ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) разрешение лучше 1/265000 от ¦ ¦
¦ ¦полного диапазона (18 бит); или ¦ ¦
¦ ¦б) точность лучше +/- 2,5 угл. с ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2 ¦Нижеперечисленная электронная ¦ ¦
¦ ¦аппаратура общего назначения: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.1 ¦Записывающая аппаратура и специально ¦ ¦
¦ ¦разработанная измерительная магнитная ¦ ¦
¦ ¦лента для нее: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.1.1 ¦Устройства записи на магнитной ленте ¦8520 32 500 0;¦
¦ ¦показаний аналоговой аппаратуры, ¦8520 32 990 0;¦
¦ ¦включая аппаратуру с возможностью ¦8520 39 900 0;¦
¦ ¦записи цифровых сигналов (например, ¦8520 90 900 0;¦
¦ ¦использующие модуль цифровой записи ¦8521 10 300 0;¦
¦ ¦высокой плотности), имеющие любую из ¦8521 10 800 0 ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) полосу частот, превышающую 4 МГц на¦ ¦
¦ ¦электронный канал или дорожку ¦ ¦
¦ ¦б) полосу частот, превышающую 2 МГц на¦ ¦
¦ ¦электронный канал или дорожку, при ¦ ¦
¦ ¦количестве дорожек более 42; или ¦ ¦
¦ ¦в) ошибку рассогласования (основную) ¦ ¦
¦ ¦временной шкалы, измеренную по ¦ ¦
¦ ¦методикам соответствующих руководящих ¦ ¦
¦ ¦материалов Межведомственного совета по¦ ¦
¦ ¦радиопромышленности (IRIG) или ¦ ¦
¦ ¦Ассоциации электронной промышленности ¦ ¦
¦ ¦(EIA), менее +/- 0,1 мкс ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание. ¦
¦Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально ¦
¦разработанные для гражданского применения, не рассматриваются ¦
¦как записывающие устройства, использующие ленту ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.1.2 ¦Цифровые видеомагнитофоны на магнитной¦8521 10; ¦
¦ ¦ленте, имеющие максимальную пропускную¦8521 90 000 0 ¦
¦ ¦способность цифрового интерфейса более¦ ¦
¦ ¦360 Мбит/с ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание. ¦
¦По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны ¦
¦на магнитной ленте, специально разработанные для телевизионной ¦
¦записи, использующие формат сигнала, который может включать ¦
¦сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый ¦
¦для применения в гражданском телевидении Международным союзом ¦
¦электросвязи, Международной электротехнической комиссией, ¦
¦Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, ¦
¦Европейским союзом радиовещания, Европейским институтом ¦
¦стандартов по телекоммуникациям или Институтом инженеров по ¦
¦электротехнике и радиоэлектронике ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.1.3 ¦Устройства записи на магнитной ленте ¦8471 70 600 0;¦
¦ ¦показаний цифровой аппаратуры, ¦8521 10 ¦
¦ ¦использующие принципы спирального ¦ ¦
¦ ¦сканирования или принципы ¦ ¦
¦ ¦фиксированной головки и имеющие любую ¦ ¦
¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную пропускную способность¦ ¦
¦ ¦цифрового интерфейса более 175 Мбит/с;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦б) пригодные для применения в космосе ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание. ¦
¦По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются устройства записи данных ¦
¦на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для ¦
¦преобразования в цифровую запись высокой плотности и ¦
¦предназначенные для записи только цифровых данных ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.1.4 ¦Аппаратура с максимальной пропускной ¦8521 90 000 0 ¦
¦ ¦способностью цифрового интерфейса, ¦ ¦
¦ ¦превышающей 175 Мбит/с, разработанная ¦ ¦
¦ ¦в целях переделки цифровых ¦ ¦
¦ ¦видеомагнитофонов на магнитной ленте ¦ ¦
¦ ¦для использования их как устройств ¦ ¦
¦ ¦записи данных цифровой аппаратуры ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.1.5 ¦Приборы для преобразования сигналов в ¦8471 90 000 0;¦
¦ ¦цифровую форму и записи переходных ¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦процессов, имеющие все следующие ¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) скорость преобразования в цифровую ¦ ¦
¦ ¦форму 200 млн. проб в секунду или ¦ ¦
¦ ¦более и разрешение 10 бит или более; и¦ ¦
¦ ¦б) непрерывную пропускную способность ¦ ¦
¦ ¦2 Гбит/с или более ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Техническое примечание. ¦
¦Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине ¦
¦непрерывная пропускная способность есть произведение ¦
¦наибольшего объема слов на количество бит в слове. Непрерывная ¦
¦пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных ¦
¦аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее ¦
¦устройство без потерь при сохранении скорости выборки и ¦
¦аналого-цифрового преобразования ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.1.6 ¦Устройства записи данных цифровой ¦8471 50; ¦
¦ ¦аппаратуры, использующие способ ¦8471 60 100 0;¦
¦ ¦хранения на магнитном диске, имеющие ¦8471 60 900 0;¦
¦ ¦все следующие характеристики: ¦8471 70 100 0;¦
¦ ¦а) скорость преобразования в цифровую ¦8471 70 510 0;¦
¦ ¦форму 100 млн. проб в секунду и ¦8471 70 530 0;¦
¦ ¦разрешение 8 бит или более; и ¦8520 90 100 0;¦
¦ ¦б) непрерывную пропускную способность ¦8520 90 900 0;¦
¦ ¦не менее 1 Гбит/с или более ¦8521 90 000 0 ¦
¦ ¦ ¦8522 90 590 0;¦
¦ ¦ ¦8522 90 930 0;¦
¦ ¦ ¦8522 90 980 0 ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.2 ¦Электронные сборки синтезаторов ¦8543 20 000 0 ¦
¦ ¦частот, имеющие время переключения ¦ ¦
¦ ¦частоты менее 1 мс ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.3 ¦Анализаторы сигналов радиочастот: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.3.1 ¦Анализаторы сигналов, способные ¦9030 83 900 0;¦
¦ ¦анализировать любые сигналы с частотой¦9030 89 920 0 ¦
¦ ¦выше 31,8 ГГц, но не превышающей 37,5 ¦ ¦
¦ ¦ГГц, и имеющие разрешающую способность¦ ¦
¦ ¦3 дБ для ширины полосы пропускания ¦ ¦
¦ ¦более 10 МГц ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.3.2 ¦Анализаторы сигналов, способные ¦9030 83 900 0;¦
¦ ¦анализировать сигналы с частотой выше ¦9030 89 920 0 ¦
¦ ¦43,5 ГГц ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.3.3 ¦Динамические анализаторы сигналов с ¦9030 83 900 0;¦
¦ ¦полосой частот в реальном масштабе ¦9030 89 920 0 ¦
¦ ¦времени, превышающей 500 кГц ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание. ¦
¦По пункту 3.1.2.3.3 не контролируются динамические анализаторы ¦
¦сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания ¦
¦фиксированных долей (известны также как октавные или дробно- ¦
¦октавные фильтры) ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.4 ¦Генераторы сигналов синтезированных ¦8543 20 000 0 ¦
¦ ¦частот, формирующие выходные частоты с¦ ¦
¦ ¦управлением по параметрам точности, ¦ ¦
¦ ¦кратковременной и долговременной ¦ ¦
¦ ¦стабильности на основе или с помощью ¦ ¦
¦ ¦внутренней эталонной частоты и имеющие¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную синтезируемую частоту,¦ ¦
¦ ¦выше 31,8 ГГц, но не превышающую 43,5 ¦ ¦
¦ ¦ГГц, и предназначенные для создания ¦ ¦
¦ ¦длительности импульса менее 100 нс ¦ ¦
¦ ¦б) максимальную синтезируемую частоту ¦ ¦
¦ ¦выше 43,5 ГГц ¦ ¦
¦ ¦в) время переключения с одной ¦ ¦
¦ ¦выбранной частоты на другую менее ¦ ¦
¦ ¦1 мс; или ¦ ¦
¦ ¦г) фазовый шум одной боковой полосы ¦ ¦
¦ ¦лучше - (126 + 20 lgF - 20 lgf) в ¦ ¦
¦ ¦единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц ¦ ¦
¦ ¦где F - смещение от рабочей частоты в ¦ ¦
¦ ¦Гц, а f - рабочая частота в МГц ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание. ¦
¦По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой ¦
¦выходная частота создается либо путем сложения или вычитания ¦
¦частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем ¦
¦сложения или вычитания с последующим умножением результирующей ¦
¦частоты ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Техническое примечание. ¦
¦Для целей подпункта "а" пункта 3.1.2.4 длительность импульса ¦
¦определяется как временной интервал между передним фронтом ¦
¦импульса, достигающим 90% от максимума, и задним фронтом ¦
¦импульса, достигающим 10% от максимума ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.5 ¦Схемные анализаторы (панорамные ¦9030 40 900 0 ¦
¦ ¦измерители полных сопротивлений; ¦ ¦
¦ ¦измерители амплитуды, фазы и групповой¦ ¦
¦ ¦задержки двух сигналов относительно ¦ ¦
¦ ¦опорного сигнала) с максимальной ¦ ¦
¦ ¦рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.6 ¦Микроволновые приемники-тестеры, ¦8527 90 980 0 ¦
¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную рабочую частоту, ¦ ¦
¦ ¦превышающую 43,5 ГГц; и ¦ ¦
¦ ¦б) способные одновременно измерять ¦ ¦
¦ ¦амплитуду и фазу ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.2.7 ¦Атомные эталоны частоты, имеющие любую¦8543 20 000 0 ¦
¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) долговременную стабильность ¦ ¦
¦ ¦ -11 ¦ ¦
¦ ¦(старение) меньше (лучше) 1 x 10 ¦ ¦
¦ ¦в месяц; или ¦ ¦
¦ ¦б) пригодные для применения в космосе ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание. ¦
¦По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые ¦
¦эталоны, непригодные для применения в космосе ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Особое Примечание. ¦
¦В отношении атомных эталонов частоты, указанных в подпункте "б" ¦
¦пункта 3.1.2.7, см. также пункт 3.1.1 раздела 2 ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.3 ¦Терморегулирующие системы охлаждения ¦8419 89 989 0;¦
¦ ¦диспергированной жидкостью, ¦8424 89 950 9;¦
¦ ¦использующие оборудование с замкнутым ¦8479 89 980 0 ¦
¦ ¦контуром для перемещения и регенерации¦ ¦
¦ ¦жидкости в герметичной камере, в ¦ ¦
¦ ¦которой жидкий диэлектрик распыляется ¦ ¦
¦ ¦на электронные компоненты при помощи ¦ ¦
¦ ¦специально разработанных распыляющих ¦ ¦
¦ ¦сопел, применяемых для поддержания ¦ ¦
¦ ¦температуры электронных компонентов в ¦ ¦
¦ ¦пределах их рабочего диапазона, а ¦ ¦
¦ ¦также специально разработанные для них¦ ¦
¦ ¦компоненты ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2 ¦Испытательное, контрольное и ¦ ¦
¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1 ¦Нижеперечисленное оборудование для ¦ ¦
¦ ¦производства полупроводниковых ¦ ¦
¦ ¦приборов или материалов и специально ¦ ¦
¦ ¦разработанные компоненты и оснастка ¦ ¦
¦ ¦для них: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.1 ¦Оборудование для эпитаксиального ¦ ¦
¦ ¦выращивания: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.1.1 ¦Оборудование, обеспечивающее ¦8479 89 650 0 ¦
¦ ¦производство любого из следующего: ¦ ¦
¦ ¦а) силиконового слоя с отклонением ¦ ¦
¦ ¦равномерности его толщины менее ¦ ¦
¦ ¦+/-2,5% на расстоянии 200 мм или ¦ ¦
¦ ¦более; или ¦ ¦
¦ ¦б) слоя из любого материала, отличного¦ ¦
¦ ¦от силикона, с отклонением ¦ ¦
¦ ¦равномерности толщины менее +/-2,5% на¦ ¦
¦ ¦расстоянии 75 мм или более ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.1.2 ¦Установки (реакторы) для химического ¦8419 89 200 0 ¦
¦ ¦осаждения из паровой фазы ¦ ¦
¦ ¦металлоорганических соединений, ¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для ¦ ¦
¦ ¦выращивания кристаллов ¦ ¦
¦ ¦полупроводниковых соединений с ¦ ¦
¦ ¦использованием материалов, ¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пункту 3.3.3 или ¦ ¦
¦ ¦3.3.4, в качестве исходных ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Особое Примечание. ¦
¦В отношении оборудования, указанного в пункте 3.2.1.1.2, ¦
¦см. также пункт 3.2.1 раздела 2 ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.1.3 ¦Оборудование для молекулярно- ¦8479 89 700 0;¦
¦ ¦эпитаксиального выращивания с ¦8543 89 650 0 ¦
¦ ¦использованием газообразных или ¦ ¦
¦ ¦твердых источников ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.2 ¦Оборудование, предназначенное для ¦8543 11 000 0 ¦
¦ ¦ионной имплантации, имеющее любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) энергию пучка (ускоряющее ¦ ¦
¦ ¦напряжение) более 1 МэВ ¦ ¦
¦ ¦б) специально спроектированное и ¦ ¦
¦ ¦оптимизированное для работы с энергией¦ ¦
¦ ¦пучка (ускоряющим напряжением) менее ¦ ¦
¦ ¦2 кэВ ¦ ¦
¦ ¦в) имеет возможность непосредственного¦ ¦
¦ ¦формирования рисунка; или ¦ ¦
¦ ¦г) энергию пучка 65 кэВ или более и ¦ ¦
¦ ¦силу тока пучка 45 мА или более для ¦ ¦
¦ ¦высокоэнергетической имплантации ¦ ¦
¦ ¦кислорода в нагретую подложку ¦ ¦
¦ ¦полупроводникового материала ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.3 ¦Оборудование для сухого анизотропного ¦ ¦
¦ ¦плазменного травления: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.3.1 ¦Оборудование с подачей заготовок из ¦8456 91 000 0;¦
¦ ¦кассеты в кассету и шлюзовой ¦8456 99 800 0 ¦
¦ ¦загрузкой, имеющее любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) разработанное или оптимизированное ¦ ¦
¦ ¦для производства структур с ¦ ¦
¦ ¦критическим размером 180 нм или менее ¦ ¦
¦ ¦и погрешностью (3 s), равной +/- 5%; ¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦б) разработанное для обеспечения ¦ ¦
¦ ¦чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см, ¦ ¦
¦ ¦при этом измеряемый размер частицы ¦ ¦
¦ ¦более 0,1 мкм в диаметре ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.3.2 ¦Оборудование, специально ¦8456 91 000 0;¦
¦ ¦спроектированное для систем, ¦8456 99 800 0 ¦
¦ ¦контролируемых по пункту 3.2.1.5, и ¦ ¦
¦ ¦имеющее любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) разработанное или оптимизированное ¦ ¦
¦ ¦для производства структур с ¦ ¦
¦ ¦критическим размером 180 нм или менее ¦ ¦
¦ ¦и погрешностью (3 s), равной +/-5%; ¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦б) разработанное для обеспечения ¦ ¦
¦ ¦чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см, ¦ ¦
¦ ¦при этом измеряемый размер частицы ¦ ¦
¦ ¦более 0,1 мкм в диаметре ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.4 ¦Оборудование химического осаждения из ¦8419 89 200 0;¦
¦ ¦паровой фазы с применением плазменного¦8419 89 300 0 ¦
¦ ¦разряда, ускоряющего процесс: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.4.1 ¦Оборудование с подачей заготовок из ¦ ¦
¦ ¦кассеты в кассету и шлюзовой ¦ ¦
¦ ¦загрузкой, разработанное в ¦ ¦
¦ ¦соответствии с техническими условиями ¦ ¦
¦ ¦производителя или оптимизированное для¦ ¦
¦ ¦использования в производстве ¦ ¦
¦ ¦полупроводниковых устройств с ¦ ¦
¦ ¦критическим размером 180 нм или менее ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.4.2 ¦Оборудование, специально ¦ ¦
¦ ¦спроектированное для систем, ¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пункту 3.2.1.5, и ¦ ¦
¦ ¦разработанное в соответствии с ¦ ¦
¦ ¦техническими условиями производителя ¦ ¦
¦ ¦или оптимизированное для использования¦ ¦
¦ ¦в производстве полупроводниковых ¦ ¦
¦ ¦устройств с критическим размером ¦ ¦
¦ ¦180 нм или менее ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.5 ¦Автоматически загружаемые ¦8456 10; ¦
¦ ¦многокамерные системы с центральной ¦8456 91 000 0;¦
¦ ¦загрузкой полупроводниковых пластин ¦8456 99 800 0;¦
¦ ¦(подложек), имеющие все следующие ¦8456 99 300 0;¦
¦ ¦характеристики: ¦8479 50 000 0 ¦
¦ ¦а) интерфейсы для загрузки и выгрузки ¦ ¦
¦ ¦пластин (подложек), к которым ¦ ¦
¦ ¦присоединяется более двух единиц ¦ ¦
¦ ¦оборудования для обработки ¦ ¦
¦ ¦полупроводников; и ¦ ¦
¦ ¦б) предназначенные для интегрированной¦ ¦
¦ ¦системы последовательной ¦ ¦
¦ ¦многопозиционной обработки пластин ¦ ¦
¦ ¦(подложек) в вакууме ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание. ¦
¦По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические ¦
¦робототехнические системы управления загрузкой пластин ¦
¦(подложек), не предназначенные для работы в вакууме ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.6 ¦Оборудование для литографии: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.6.1 ¦Оборудование для обработки пластин с ¦9009 22 000 0 ¦
¦ ¦использованием методов оптической или ¦ ¦
¦ ¦рентгеновской литографии с пошаговым ¦ ¦
¦ ¦совмещением и экспозицией ¦ ¦
¦ ¦(непосредственно на пластине) или ¦ ¦
¦ ¦сканированием (сканер), имеющее любое ¦ ¦
¦ ¦из следующего: ¦ ¦
¦ ¦а) источник света с длиной волны ¦ ¦
¦ ¦короче 245 нм; или ¦ ¦
¦ ¦б) возможность формирования рисунка с ¦ ¦
¦ ¦минимальным разрешаемым размером ¦ ¦
¦ ¦элемента 180 нм и менее ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Техническое примечание. ¦
¦Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по ¦
¦следующей формуле: ¦
¦МРР = (длина волны источника света в нанометрах) x (К фактор) / ¦
¦(числовая апертура), где К фактор = 0,45 ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.6.2 ¦Оборудование, специально разработанное¦8456 10; ¦
¦ ¦для изготовления шаблонов или ¦8456 99 ¦
¦ ¦производства полупроводниковых ¦ ¦
¦ ¦приборов с использованием отклоняемого¦ ¦
¦ ¦сфокусированного электронного, ионного¦ ¦
¦ ¦или лазерного пучка, имеющее любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) размер пятна менее 0,2 мкм ¦ ¦
¦ ¦б) возможность формирования рисунка с ¦ ¦
¦ ¦размером элементов менее 1 мкм; или ¦ ¦
¦ ¦в) точность совмещения слоев лучше ¦ ¦
¦ ¦0,20 мкм (3 сигма) ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.2.1.7 ¦Маски и промежуточные шаблоны, ¦9010 90 ¦
¦ ¦разработанные для производства ¦ ¦
¦ ¦интегральных схем, контролируемых по ¦ ¦
Стр.1 ... | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | ... Стр.28
карта новых документов |
