Постановление Министерства иностранных дел Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 04.04.2003 N 4/27 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"
Документ утратил силу
Архив ноябрь 2011 года
<< Назад |
<<< Главная страница
Стр. 14
Стр.1 ... | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | ... Стр.28 ¦ ¦оборудование, определяется по контрольному ¦ ¦
¦ ¦статусу другого оборудования ¦ ¦
¦ ¦2. Контрольный статус интегральных схем, ¦ ¦
¦ ¦указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или в ¦ ¦
¦ ¦пункте 3.1.1.1.12, программы которых не могут ¦ ¦
¦ ¦быть изменены, или разработанных для выполнения ¦ ¦
¦ ¦конкретных функций для другого оборудования, ¦ ¦
¦ ¦определяется по контрольному статусу другого ¦ ¦
¦ ¦оборудования ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦
¦ ¦В тех случаях, когда изготовитель или заявитель ¦ ¦
¦ ¦не может определить контрольный статус другого ¦ ¦
¦ ¦оборудования, этот статус определяется ¦ ¦
¦ ¦контрольным статусом интегральных схем, ¦ ¦
¦ ¦указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или ¦ ¦
¦ ¦пункте 3.1.1.1.12; если интегральная схема ¦ ¦
¦ ¦является кремниевой микросхемой микроЭВМ или ¦ ¦
¦ ¦микросхемой микроконтроллера, указанных в пункте¦ ¦
¦ ¦3.1.1.1.3, и имеет длину слова операнда 8 бит ¦ ¦
¦ ¦или менее, то ее контрольный статус должен ¦ ¦
¦ ¦определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3 ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1. ¦Электронные компоненты, такие, как: ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1. ¦Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего¦ ¦
¦ ¦назначения: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. Контрольный статус готовых пластин или ¦ ¦
¦ ¦полуфабрикатов для их изготовления, на которых ¦ ¦
¦ ¦воспроизведена конкретная функция, оценивается ¦ ¦
¦ ¦по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1 ¦ ¦
¦ ¦2. Понятие "интегральные схемы" включает ¦ ¦
¦ ¦следующие типы: ¦ ¦
¦ ¦твердотельные интегральные схемы; ¦ ¦
¦ ¦гибридные интегральные схемы; ¦ ¦
¦ ¦многокристальные интегральные схемы; ¦ ¦
¦ ¦пленочные интегральные схемы, включая ¦ ¦
¦ ¦интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; ¦ ¦
¦ ¦оптические интегральные схемы ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1.1. ¦Интегральные схемы, спроектированные или ¦ 8542 ¦
¦ ¦определяемые как радиационно стойкие, ¦ ¦
¦ ¦выдерживающие любое из следующих воздействий: ¦ ¦
¦ ¦ 3 5 ¦ ¦
¦ ¦а) общую дозу 5 х 10 Гр (кремний) [5 х 10 рад ¦ ¦
¦ ¦(кремний)] или выше; или ¦ ¦
¦ ¦ 6 ¦ ¦
¦ ¦б) предел мощности дозы 5 х 10 Гр/с (кремний) ¦ ¦
¦ ¦ 8 ¦ ¦
¦ ¦[5 х 10 рад (кремний)]/с или выше; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1.2. ¦Микропроцессорные микросхемы, микрокомпьютерные ¦ 8542 ¦
¦ ¦микросхемы, микросхемы микроконтроллеров, ¦ ¦
¦ ¦интегральные схемы памяти, изготовленные на ¦ ¦
¦ ¦полупроводниковых соединениях, аналого-цифровые ¦ ¦
¦ ¦преобразователи, цифроаналоговые ¦ ¦
¦ ¦преобразователи, электронно-оптические или ¦ ¦
¦ ¦оптические интегральные схемы для обработки ¦ ¦
¦ ¦сигналов, программируемые пользователем ¦ ¦
¦ ¦логические устройства, интегральные схемы для ¦ ¦
¦ ¦нейронных сетей, заказные интегральные схемы, у ¦ ¦
¦ ¦которых функция неизвестна, либо производителю ¦ ¦
¦ ¦неизвестно, распространяется ли контрольный ¦ ¦
¦ ¦статус на аппаратуру, в которой будут ¦ ¦
¦ ¦использоваться данные интегральные схемы, ¦ ¦
¦ ¦процессоры быстрого преобразования Фурье, ¦ ¦
¦ ¦интегральные схемы электрически программируемых ¦ ¦
¦ ¦постоянных запоминающих устройств (ЭППЗУ), ¦ ¦
¦ ¦программируемые с ультрафиолетовым стиранием, и ¦ ¦
¦ ¦статических запоминающих устройств с ¦ ¦
¦ ¦произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) работоспособные при температуре окружающей ¦ ¦
¦ ¦среды выше 398 К (+125 град. C); ¦ ¦
¦ ¦б) работоспособные при температуре окружающей ¦ ¦
¦ ¦среды ниже 218 К (-55 град. C); или ¦ ¦
¦ ¦в) работоспособные за пределами диапазона ¦ ¦
¦ ¦температур окружающей среды от 218 К ¦ ¦
¦ ¦(-55 град. C) до 398 К (+125 град. C) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на ¦ ¦
¦ ¦интегральные схемы для гражданских автомобилей и¦ ¦
¦ ¦железнодорожных поездов; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1.3. ¦Микропроцессорные микросхемы, микрокомпьютерные ¦ ¦
¦ ¦микросхемы и микросхемы микроконтроллеров, ¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых ¦ ¦
¦ ¦сигналов, цифровые матричные процессоры и ¦ ¦
¦ ¦цифровые сопроцессоры ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1.3.1. ¦Совокупную теоретическую производительность ¦ 8542 21 45; ¦
¦ ¦(СТП) 6500 млн. теоретических операций в секунду¦ 8542 21 500 0; ¦
¦ ¦(Мтопс) или более и арифметико-логическое ¦ 8542 21 83; ¦
¦ ¦устройство с длиной выборки 32 бита или более; ¦ 8542 21 850 0; ¦
¦ ¦ ¦ 8542 60 000 ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1.3.2. ¦Изготовленные на полупроводниковых соединениях и¦ 8542 21 45; ¦
¦ ¦работающие на тактовой частоте, превышающей 40 ¦ 8542 21 500 0; ¦
¦ ¦МГц; или ¦ 8542 21 83; ¦
¦ ¦ ¦ 8542 21 850 0; ¦
¦ ¦ ¦ 8542 60 000 ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1.3.3. ¦Более чем одну шину данных или команд, или порт ¦ 8542 21 45; ¦
¦ ¦последовательной связи, которые обеспечивают ¦ 8542 21 500 0; ¦
¦ ¦прямое внешнее межсоединение между параллельными¦ 8542 21 83; ¦
¦ ¦микросхемами микропроцессоров со скоростью ¦ 8542 21 850 0; ¦
¦ ¦передачи, превышающей 150 Мбит/с ¦ 8542 60 000 ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1.4. ¦Интегральные схемы памяти, изготовленные на ¦ 8542 21 45; ¦
¦ ¦полупроводниковых соединениях; ¦ 8542 21 500 0; ¦
¦ ¦ ¦ 8542 21 83; ¦
¦ ¦ ¦ 8542 21 850 0; ¦
¦ ¦ ¦ 8542 60 000 ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1.5. ¦Интегральные схемы для аналого-цифровых и ¦ 8542 29 600 0; ¦
¦ ¦цифро-аналоговых преобразователей, такие, как: ¦ 8542 29 900 9; ¦
¦ ¦а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие ¦ 8542 60 000 9 ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) разрешающую способность 8 бит или более, но ¦ ¦
¦ ¦меньше 12 бит с общим временем преобразования ¦ ¦
¦ ¦менее 5 нс; ¦ ¦
¦ ¦2) разрешающую способность 12 бит с общим ¦ ¦
¦ ¦временем преобразования менее 200 нс; или ¦ ¦
¦ ¦3) разрешающую способность более 12 бит с общим ¦ ¦
¦ ¦временем преобразования менее 2 мкс; ¦ ¦
¦ ¦б) цифро-аналоговые преобразователи с ¦ ¦
¦ ¦разрешающей способностью 12 бит и более и ¦ ¦
¦ ¦временем выхода на установившийся режим менее ¦ ¦
¦ ¦10 нс; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. Разрешающая способность n битов соответствует¦ ¦
¦ ¦ n ¦ ¦
¦ ¦2 уровням квантования; ¦ ¦
¦ ¦2. Общее время преобразования является обратной ¦ ¦
¦ ¦величиной разрешающей способности ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1.6. ¦Электронно-оптические и оптические интегральные ¦ 8542 ¦
¦ ¦схемы для обработки сигналов, имеющие ¦ ¦
¦ ¦одновременно все перечисленные составляющие: ¦ ¦
¦ ¦а) один внутренний лазерный диод или более; ¦ ¦
¦ ¦б) один внутренний светочувствительный элемент ¦ ¦
¦ ¦или более; и ¦ ¦
¦ ¦в) оптические волноводы; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1.7. ¦Программируемые пользователем логические ¦ 8542 21 690 0; ¦
¦ ¦устройства, имеющие любую из следующих ¦ 8542 21 990 0 ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) эквивалентное количество годных вентилей ¦ ¦
¦ ¦более 30000 (в пересчете на двухвходовые); ¦ ¦
¦ ¦б) типовое время задержки основного логического ¦ ¦
¦ ¦элемента менее 0,4 нс; или ¦ ¦
¦ ¦в) частоту переключения, превышающую 133 МГц; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 3.1.1.1.7 включает: ¦ ¦
¦ ¦простые программируемые логические устройства ¦ ¦
¦ ¦(ППЛУ); ¦ ¦
¦ ¦сложные программируемые логические устройства ¦ ¦
¦ ¦(СПЛУ); ¦ ¦
¦ ¦программируемые пользователем вентильные матрицы¦ ¦
¦ ¦(ППВМ); ¦ ¦
¦ ¦программируемые пользователем логические матрицы¦ ¦
¦ ¦(ППЛМ); ¦ ¦
¦ ¦программируемые пользователем межсоединения ¦ ¦
¦ ¦(ППМС) ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Особое Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Программируемые пользователем логические ¦ ¦
¦ ¦устройства также известны как программируемые ¦ ¦
¦ ¦пользователем вентильные или программируемые ¦ ¦
¦ ¦пользователем логические матрицы ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1.8. ¦Исключен ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1.9. ¦Интегральные схемы для нейронных сетей; ¦ 8542 ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1.10. ¦Заказные интегральные схемы, у которых функция ¦ 8542 21 690 0; ¦
¦ ¦неизвестна либо производителю неизвестно, ¦ 8542 21 990 0; ¦
¦ ¦распространяется ли контрольный статус на ¦ 8542 29; ¦
¦ ¦аппаратуру, в которой будут использоваться ¦ 8542 60 000 ¦
¦ ¦данные интегральные схемы, имеющие любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) свыше 1000 выводов; ¦ ¦
¦ ¦б) типовое время задержки основного логического ¦ ¦
¦ ¦элемента менее 0,1 нс; или ¦ ¦
¦ ¦в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1.11. ¦Цифровые интегральные схемы, отличающиеся от ¦ 8542 ¦
¦ ¦указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и ¦ ¦
¦ ¦3.1.1.1.12, созданные на основе какого-либо ¦ ¦
¦ ¦полупроводникового соединения и имеющие любую из¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) эквивалентное количество годных вентилей ¦ ¦
¦ ¦более 3000 (в пересчете на двухвходовые); или ¦ ¦
¦ ¦б) частоту переключения, превышающую 1,2 ГГц; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.1.12. ¦Процессоры быстрого преобразования Фурье, ¦ 8542 21 45; ¦
¦ ¦имеющие расчетное время выполнения комплексного ¦ 8542 21 500 0; ¦
¦ ¦N-точечного сложного быстрого преобразования ¦ 8542 21 83; ¦
¦ ¦Фурье менее (N log2 N) / 20480 мс, где N - число¦ 8542 21 850 0; ¦
¦ ¦точек ¦ 8542 60 000 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦В случае, когда N равно 1024 точкам, формула в ¦ ¦
¦ ¦пункте 3.1.1.1.12 дает результат времени ¦ ¦
¦ ¦выполнения 500 мкс ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.2. ¦Компоненты микроволнового или миллиметрового ¦ ¦
¦ ¦диапазона, такие, как: ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.2.1. ¦Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и ¦ ¦
¦ ¦катоды: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, ¦ ¦
¦ ¦разработанные или спроектированные для работы в ¦ ¦
¦ ¦любом диапазоне частот, который удовлетворяет ¦ ¦
¦ ¦всем следующим характеристикам: ¦ ¦
¦ ¦а) не превышает 31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) распределен Международным союзом электросвязи¦ ¦
¦ ¦для обслуживания радиосвязи, но не для ¦ ¦
¦ ¦радиоопределения ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.2.1.1. ¦Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного¦ 8540 79 000 0 ¦
¦ ¦действия, такие, как: ¦ ¦
¦ ¦а) работающие на частотах, превышающих 31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) имеющие элемент подогрева катода со временем ¦ ¦
¦ ¦от включения до выхода лампы на предельную ¦ ¦
¦ ¦радиочастотную мощность менее 3 с; ¦ ¦
¦ ¦в) лампы с сопряженными резонаторами или их ¦ ¦
¦ ¦модификации с относительной шириной полосы ¦ ¦
¦ ¦частот более 7% или пиком мощности, превышающим ¦ ¦
¦ ¦2,5 кВт; ¦ ¦
¦ ¦г) спиральные лампы или их модификации, имеющие ¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) мгновенную ширину полосы более одной октавы и¦ ¦
¦ ¦произведение средней мощности (выраженной в кВт)¦ ¦
¦ ¦на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;¦ ¦
¦ ¦2) мгновенную ширину полосы в одну октаву или ¦ ¦
¦ ¦менее и произведение средней мощности ¦ ¦
¦ ¦(выраженной в кВт) на рабочую частоту ¦ ¦
¦ ¦(выраженную в ГГц) более 1; или ¦ ¦
¦ ¦3) годные для применения в космосе; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.2.1.2. ¦Лампы-усилители магнетронного типа с ¦ 8540 71 000 0 ¦
¦ ¦коэффициентом усиления более 17 дБ; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.2.1.3. ¦Импрегнированные катоды, разработанные для ¦ 8540 99 000 0 ¦
¦ ¦электронных ламп, имеющих плотность тока при ¦ ¦
¦ ¦непрерывной эмиссии и штатных условиях ¦ ¦
¦ ¦функционирования, превышающую 5 А/кв.см ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.2.2. ¦Микроволновые интегральные схемы или модули, ¦ 8542 29; ¦
¦ ¦имеющие все следующее: ¦ 8542 60 000; ¦
¦ ¦а) содержащие твердотельные интегральные схемы, ¦ 8542 70 000 0 ¦
¦ ¦имеющие один или более чем один элемент активных¦ ¦
¦ ¦цепей; и ¦ ¦
¦ ¦б) работающие на частотах выше 3 ГГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируются схемы ¦ ¦
¦ ¦или модули для оборудования, разработанного или ¦ ¦
¦ ¦спроектированного для работы в любом диапазоне ¦ ¦
¦ ¦частот, который удовлетворяет всем следующим ¦ ¦
¦ ¦характеристикам: ¦ ¦
¦ ¦а) не превышает 31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) распределен Международным союзом электросвязи¦ ¦
¦ ¦для обслуживания радиосвязи, но не для ¦ ¦
¦ ¦радиоопределения ¦ ¦
¦ ¦2. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется ¦ ¦
¦ ¦радиопередающее спутниковое оборудование, ¦ ¦
¦ ¦разработанное или спроектированное для работы в ¦ ¦
¦ ¦полосе частот от 40,5 до 42,5 ГГц; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.2.3. ¦Микроволновые транзисторы, предназначенные для ¦ 8541 21 000 0; ¦
¦ ¦работы на частотах, превышающих 31 ГГц; ¦ 8541 29 000 0 ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.2.4. ¦Микроволновые твердотельные усилители, имеющие ¦ 8543 89 950 0 ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) работающие на частотах свыше 10,5 ГГц и ¦ ¦
¦ ¦имеющие мгновенную ширину полосы частот более ¦ ¦
¦ ¦пол-октавы; ¦ ¦
¦ ¦б) работающие на частотах свыше 31 ГГц; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.2.5. ¦Фильтры с электронной или магнитной настройкой, ¦ 8543 89 950 0 ¦
¦ ¦содержащие более пяти настраиваемых резонаторов,¦ ¦
¦ ¦обеспечивающих настройку в полосе частот с ¦ ¦
¦ ¦соотношением максимальной и минимальной частот ¦ ¦
¦ ¦1,5 : 1 (fmax / fmin) менее чем за 10 мкс, ¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих составляющих: ¦ ¦
¦ ¦а) полосовые фильтры, имеющие полосу пропускания¦ ¦
¦ ¦частоты более 0,5% от резонансной частоты; или ¦ ¦
¦ ¦б) заградительные фильтры, имеющие полосу ¦ ¦
¦ ¦подавления частоты менее 0,5% от резонансной ¦ ¦
¦ ¦частоты; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.2.6. ¦Микроволновые сборки, способные работать на ¦ 8542 70 000 0 ¦
¦ ¦частотах, превышающих 31 ГГц; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.2.7. ¦Смесители и преобразователи, разработанные для ¦ 8543 89 950 0 ¦
¦ ¦расширения частотного диапазона аппаратуры, ¦ ¦
¦ ¦указанной в пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5 или ¦ ¦
¦ ¦3.1.2.6; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.2.8. ¦Микроволновые усилители мощности СВЧ, содержащие¦ 8543 89 950 0 ¦
¦ ¦лампы, контролируемые по пункту 3.1.1.2, и ¦ ¦
¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) рабочие частоты свыше 3 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) среднюю плотность выходной мощности, ¦ ¦
¦ ¦превышающую 80 Вт/кг; и ¦ ¦
¦ ¦в) объем менее 400 куб.см ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.1.2.8 не контролируется ¦ ¦
¦ ¦аппаратура, спроектированная для работы в любом ¦ ¦
¦ ¦диапазоне частот, распределенном Международным ¦ ¦
¦ ¦союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи,¦ ¦
¦ ¦но не для радиоопределения ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.3. ¦Приборы на акустических волнах и специально ¦ ¦
¦ ¦спроектированные для них компоненты, такие, как:¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.3.1. ¦Приборы на поверхностных акустических волнах и ¦ 8541 60 000 0 ¦
¦ ¦на акустических волнах в тонкой подложке (т.е. ¦ ¦
¦ ¦приборы для обработки сигналов, использующие ¦ ¦
¦ ¦упругие волны в материале), имеющие любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или ¦ ¦
¦ ¦б) несущую частоту более 1 ГГц, но не ¦ ¦
¦ ¦превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно имеющие ¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) частотное подавление боковых лепестков ¦ ¦
¦ ¦диаграммы направленности более 55 дБ; ¦ ¦
¦ ¦2) произведение максимального времени задержки ¦ ¦
¦ ¦(в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более ¦ ¦
¦ ¦100; ¦ ¦
¦ ¦3) ширину полосы частот более 250 МГц; или ¦ ¦
¦ ¦4) задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или ¦ ¦
¦ ¦в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и ¦ ¦
¦ ¦дополнительно имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) произведение максимального времени задержки ¦ ¦
¦ ¦(в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более ¦ ¦
¦ ¦100; ¦ ¦
¦ ¦2) задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или ¦ ¦
¦ ¦3) частотное подавление боковых лепестков ¦ ¦
¦ ¦диаграммы направленности более 55 дБ и ширину ¦ ¦
¦ ¦полосы частот, превышающую 50 МГц; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.3.2. ¦Приборы на объемных акустических волнах (т.е. ¦ 8541 60 000 0 ¦
¦ ¦приборы для обработки сигналов, использующие ¦ ¦
¦ ¦упругие волны в материале), обеспечивающие ¦ ¦
¦ ¦непосредственную обработку сигналов на частотах ¦ ¦
¦ ¦свыше 1 ГГц; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.3.3. ¦Акустооптические приборы обработки сигналов, ¦ 8541 60 000 0 ¦
¦ ¦использующие взаимодействие между акустическими ¦ ¦
¦ ¦волнами (объемными или поверхностными) и ¦ ¦
¦ ¦световыми волнами, что позволяет непосредственно¦ ¦
¦ ¦обрабатывать сигналы или изображения, включая ¦ ¦
¦ ¦анализ спектра, корреляцию или свертку ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.4. ¦Электронные приборы и схемы, содержащие ¦ 8540; ¦
¦ ¦компоненты, изготовленные из сверхпроводящих ¦ 8541; ¦
¦ ¦материалов, специально спроектированные для ¦ 8542; ¦
¦ ¦работы при температурах ниже критической ¦ 8543 ¦
¦ ¦температуры хотя бы одной из сверхпроводящих ¦ ¦
¦ ¦составляющих, имеющие хотя бы один из следующих ¦ ¦
¦ ¦признаков: ¦ ¦
¦ ¦а) токовые переключатели для цифровых схем, ¦ ¦
¦ ¦использующие сверхпроводящие вентили, у которых ¦ ¦
¦ ¦произведение времени задержки на вентиль (в ¦ ¦
¦ ¦секундах) на рассеяние мощности на вентиль (в ¦ ¦
¦ ¦ -14 ¦ ¦
¦ ¦ваттах) ниже 10 Дж; или ¦ ¦
¦ ¦б) селекцию частоты на всех частотах с ¦ ¦
¦ ¦использованием резонансных контуров с ¦ ¦
¦ ¦добротностью, превышающей 10000 ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.5. ¦Нижеперечисленные накопители энергии: ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.5.1. ¦Батареи и батареи на фотоэлектрических ¦ 8506; ¦
¦ ¦элементах, такие, как: ¦ 8507; ¦
¦ ¦а) первичные элементы и батареи с плотностью из ¦ 8541 40 900 0 ¦
¦ ¦энергии свыше 480 Вт ч/кг и пригодные по ¦ ¦
¦ ¦техническим условиям для работы в диапазоне ¦ ¦
¦ ¦температур от 243 К (-30 град. C) и ниже до ¦ ¦
¦ ¦343 К (70 град. C) и выше ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Плотность энергии определяется путем умножения ¦ ¦
¦ ¦средней мощности в ваттах (произведение среднего¦ ¦
¦ ¦напряжения в вольтах на средний ток в амперах) ¦ ¦
¦ ¦на длительность цикла разряда в часах, при ¦ ¦
¦ ¦котором напряжение на разомкнутых клеммах падает¦ ¦
¦ ¦до 75% от номинала, и деления полученного ¦ ¦
¦ ¦произведения на общую массу элемента (или ¦ ¦
¦ ¦батареи) в кг; ¦ ¦
¦ ¦б) подзаряжаемые элементы и батареи с плотностью¦ ¦
¦ ¦энергии свыше 150 Вт ч/кг после 75 циклов ¦ ¦
¦ ¦заряда-разряда при токе разряда, равном С/5 ч ¦ ¦
¦ ¦(С - номинальная емкость в ампер-часах), при ¦ ¦
¦ ¦работе в диапазоне температур от 253 К ¦ ¦
¦ ¦(-20 град. C) и ниже до 333 К (60 град. C) и ¦ ¦
¦ ¦выше; ¦ ¦
¦ ¦в) батареи, по техническим условиям годные для ¦ ¦
¦ ¦применения в космосе, и радиационно стойкие ¦ ¦
¦ ¦батареи на фотоэлектрических элементах с ¦ ¦
¦ ¦удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м при рабочей¦ ¦
¦ ¦температуре 301 К (28 град. C) и вольфрамовом ¦ ¦
¦ ¦источнике, нагретом до 2800 К (2527 град. C) и ¦ ¦
¦ ¦создающем энергетическую освещенность 1 кВт/кв.м¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются батареи ¦ ¦
¦ ¦объемом 27 куб.см и меньше (например, ¦ ¦
¦ ¦стандартные угольные элементы или батареи типа ¦ ¦
¦ ¦R14); ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.5.2. ¦Накопители большой энергии, такие, как: ¦ 8506; ¦
¦ ¦а) накопители с частотой повторения менее 10 Гц ¦ 8507; ¦
¦ ¦(одноразовые накопители), имеющие все следующие ¦ 8532 ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦1) номинальное напряжение 5 кВ или более; ¦ ¦
¦ ¦2) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и ¦ ¦
¦ ¦3) общую энергию 25 кДж или более; ¦ ¦
¦ ¦б) накопители с частотой повторения 10 Гц и ¦ ¦
¦ ¦более (многоразовые накопители), имеющие все ¦ ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦1) номинальное напряжение не менее 5 кВ; ¦ ¦
¦ ¦2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг; ¦ ¦
¦ ¦3) общую энергию не менее 100 Дж; и ¦ ¦
¦ ¦1) количество циклов заряда-разряда не менее ¦ ¦
¦ ¦10000; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.5.3. ¦Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, ¦ 8505 19 900 0 ¦
¦ ¦специально спроектированные на полный заряд или ¦ ¦
¦ ¦разряд менее чем за одну секунду, имеющие все ¦ ¦
¦ ¦нижеперечисленные характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую ¦ ¦
¦ ¦10 кДж за первую секунду; ¦ ¦
¦ ¦б) внутренний диаметр токопроводящих обмоток ¦ ¦
¦ ¦более 250 мм; и ¦ ¦
¦ ¦в) номинальную магнитную индукцию свыше 8 Т или ¦ ¦
¦ ¦суммарную плотность тока в обмотке больше ¦ ¦
¦ ¦300 А/кв.мм ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются ¦ ¦
¦ ¦сверхпроводящие электромагниты или соленоиды, ¦ ¦
¦ ¦специально спроектированные для медицинской ¦ ¦
¦ ¦аппаратуры магнито-резонансной томографии ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.1.6. ¦Вращающиеся преобразователи абсолютного углового¦ 9031 80 340 0 ¦
¦ ¦положения вала в код, имеющие любую из следующих¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) разрешение лучше 1/265000 от полного ¦ ¦
¦ ¦диапазона (18 бит); или ¦ ¦
¦ ¦б) точность лучше +/- 2,5 угл.с ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.2. ¦Нижеперечисленная электронная аппаратура общего ¦ ¦
¦ ¦назначения: ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.2.1. ¦Записывающая аппаратура и специально ¦ ¦
¦ ¦разработанная измерительная магнитная лента для ¦ ¦
¦ ¦нее, такие, как: ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.2.1.1. ¦Накопители на магнитной ленте для аналоговой ¦ 8520 39 900 0; ¦
¦ ¦аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью ¦ 8520 90 900 0; ¦
¦ ¦записи цифровых сигналов (например, использующие¦ 8521 10 300 0; ¦
¦ ¦модуль цифровой записи высокой плотности), ¦ 8521 10 800 0 ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) полосу частот, превышающую 4 МГц на ¦ ¦
¦ ¦электронный канал или дорожку; ¦ ¦
¦ ¦б) полосу частот, превышающую 2 МГц на ¦ ¦
¦ ¦электронный канал или дорожку, при числе дорожек¦ ¦
¦ ¦более 42; или ¦ ¦
¦ ¦в) ошибку рассогласования (основную) временной ¦ ¦
¦ ¦шкалы, измеренную по методикам соответствующих ¦ ¦
¦ ¦руководящих материалов Межведомственного совета ¦ ¦
¦ ¦по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации ¦ ¦
¦ ¦электронной промышленности (EIA), менее +/- 0,1 ¦ ¦
¦ ¦мкс ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Аналоговые видеомагнитофоны, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанные для гражданского применения, не ¦ ¦
¦ ¦рассматриваются как записывающая аппаратура; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.2.1.2. ¦Цифровые видеомагнитофоны, имеющие максимальную ¦ 8521 10; ¦
¦ ¦пропускную способность цифрового интерфейса ¦ 8521 90 000 0 ¦
¦ ¦свыше 360 Мбит/с; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые ¦ ¦
¦ ¦видеомагнитофоны, специально спроектированные ¦ ¦
¦ ¦для телевизионной записи, использующие формат ¦ ¦
¦ ¦сигнала, который может включать сжатие формата ¦ ¦
¦ ¦сигнала, стандартизированный или рекомендуемый ¦ ¦
¦ ¦для применения в гражданском телевидении ¦ ¦
¦ ¦Международным союзом электросвязи, Международной¦ ¦
¦ ¦электротехнической комиссией, Организацией ¦ ¦
¦ ¦инженеров по развитию кино и телевидения, ¦ ¦
¦ ¦Европейским союзом радиовещания или Институтом ¦ ¦
¦ ¦инженеров по электротехнике и радиоэлектронике; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.2.1.3. ¦Накопители на магнитной ленте для цифровой ¦ 8521 10 ¦
¦ ¦аппаратуры, использующие принципы спирального ¦ ¦
¦ ¦сканирования или принципы фиксированной головки ¦ ¦
¦ ¦и имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную пропускную способность цифрового¦ ¦
¦ ¦интерфейса более 175 Мбит/с; или ¦ ¦
¦ ¦б) годные для применения в космосе ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются аналоговые¦ ¦
¦ ¦накопители на магнитной ленте, оснащенные ¦ ¦
¦ ¦электронными блоками для преобразования в ¦ ¦
¦ ¦цифровую запись высокой плотности и ¦ ¦
¦ ¦предназначенные для записи только цифровых ¦ ¦
¦ ¦данных; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.2.1.4. ¦Аппаратура с максимальной пропускной ¦ 8521 90 000 0 ¦
¦ ¦способностью цифрового интерфейса свыше ¦ ¦
¦ ¦175 Мбит/с, спроектированная в целях переделки ¦ ¦
¦ ¦цифровых видеомагнитофонов для использования их ¦ ¦
¦ ¦как устройств записи данных цифровой аппаратуры;¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.2.1.5. ¦Приборы для преобразования сигналов в ¦ 8543 89 950 0 ¦
¦ ¦цифровую форму и записи переходных процессов, ¦ ¦
¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) скорость преобразования в цифровую форму ¦ ¦
¦ ¦не менее 200 млн. проб в секунду и разрешение ¦ ¦
¦ ¦10 или более проб в секунду; и ¦ ¦
¦ ¦б) пропускную способность не менее 2 Гбит/с ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для таких приборов с архитектурой на ¦ ¦
¦ ¦параллельной шине пропускная способность есть ¦ ¦
¦ ¦произведение наибольшего объема слов на ¦ ¦
¦ ¦количество бит в слове. Пропускная ¦ ¦
¦ ¦способность - это наивысшая скорость передачи ¦ ¦
¦ ¦данных аппаратуры, с которой информация ¦ ¦
¦ ¦поступает в запоминающее устройство без ¦ ¦
¦ ¦потерь при сохранении скорости выборки и ¦ ¦
¦ ¦аналого-цифрового преобразования ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.2.2. ¦Электронные сборки синтезаторов частоты, ¦ 8543 20 000 0 ¦
¦ ¦имеющие время переключения с одной заданной ¦ ¦
¦ ¦частоты на другую менее 1 мс; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.2.3. ¦Анализаторы сигналов: ¦ 9030 83 900 0; ¦
¦ ¦а) способные анализировать частоты, ¦ 9030 89 920 0 ¦
¦ ¦превышающие 31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) динамические анализаторы сигналов с ¦ ¦
¦ ¦полосой пропускания в реальном времени, ¦ ¦
¦ ¦превышающей 500 кГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По подпункту "б" пункта 3.1.2.3 не ¦ ¦
¦ ¦контролируются динамические анализаторы ¦ ¦
¦ ¦сигналов, использующие только фильтры с ¦ ¦
¦ ¦полосой пропускания фиксированных долей ¦ ¦
¦ ¦(известны также как октавные или дробно-октавные¦ ¦
¦ ¦фильтры) ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.2.4. ¦Генераторы сигналов синтезированных частот, ¦ 8543 20 000 0 ¦
¦ ¦формирующие выходные частоты с управлением по ¦ ¦
¦ ¦параметрам точности, кратковременной и ¦ ¦
¦ ¦долговременной стабильности на основе или с ¦ ¦
¦ ¦помощью внутренней эталонной частоты, имеющие ¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную синтезируемую частоту ¦ ¦
¦ ¦более 31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) время переключения с одной заданной ¦ ¦
¦ ¦частоты на другую менее 1 мс; или ¦ ¦
¦ ¦в) фазовый шум одной боковой полосы лучше - ¦ ¦
¦ ¦(126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах дБ х с/Гц, ¦ ¦
¦ ¦где F - смещение рабочей частоты в Гц, а f - ¦ ¦
¦ ¦рабочая частота в МГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.2.4 не контролируется ¦ ¦
¦ ¦аппаратура, в которой выходная частота ¦ ¦
¦ ¦создается либо путем сложения или вычитания ¦ ¦
¦ ¦частот с двух или более кварцевых ¦ ¦
¦ ¦генераторов, либо путем сложения или ¦ ¦
¦ ¦вычитания с последующим умножением ¦ ¦
¦ ¦результирующей частоты; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.2.5. ¦Сетевые анализаторы с максимальной рабочей ¦ 9030 40 900 0 ¦
¦ ¦частотой, превышающей 40 ГГц; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.2.6. ¦Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все ¦ 8527 90 980 0 ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную рабочую частоту, превышающую ¦ ¦
¦ ¦40 ГГц; и ¦ ¦
¦ ¦б) способные одновременно измерять амплитуду ¦ ¦
¦ ¦и фазу; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.1.2.7. ¦Атомные эталоны частоты, имеющие любую из ¦ 8543 20 000 0 ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) долговременную стабильность (старение) ¦ ¦
¦ ¦ -11 ¦ ¦
¦ ¦менее (лучше) 10 в месяц; или ¦ ¦
¦ ¦б) годные для применения в космосе ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не ¦ ¦
¦ ¦контролируются рубидиевые стандарты, не ¦ ¦
¦ ¦предназначенные для космического применения ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2. ¦Испытательное, контрольное и производственное ¦ ¦
¦ ¦оборудование ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.1. ¦Нижеперечисленное оборудование для ¦ ¦
¦ ¦производства полупроводниковых приборов или ¦ ¦
¦ ¦материалов и специально разработанные ¦ ¦
¦ ¦компоненты и оснастка для них: ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.1.1. ¦Установки, управляемые встроенной программой, ¦ ¦
¦ ¦предназначенные для эпитаксиального ¦ ¦
¦ ¦выращивания, такие, как: ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.1.1.1. ¦Установки, способные выдерживать толщину слоя ¦ 8479 89 650 0 ¦
¦ ¦с отклонением не более 2,5% на протяжении 75 ¦ ¦
¦ ¦мм или более; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.1.1.2. ¦Установки химического осаждения паров ¦ 8419 89 200 0 ¦
¦ ¦металлорганических соединений, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанные для выращивания кристаллов ¦ ¦
¦ ¦сложных полупроводников с помощью химических ¦ ¦
¦ ¦реакций между материалами, которые ¦ ¦
¦ ¦контролируются по пункту 3.3.3 или 3.3.4; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.1.1.3. ¦Молекулярно-лучевые установки эпитаксиального ¦ 8479 89 650 0; ¦
¦ ¦выращивания, использующие газовые или твердые ¦ 8543 89 650 0 ¦
¦ ¦источники ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.1.2. ¦Установки, управляемые встроенной программой, ¦ 8543 11 000 0 ¦
¦ ¦специально предназначенные для ионной ¦ ¦
¦ ¦имплантации, имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) энергию излучения (ускоряющее напряжение) ¦ ¦
¦ ¦свыше 1 МэВ; ¦ ¦
¦ ¦б) специально спроектированные и ¦ ¦
¦ ¦оптимизированные для работы с энергией ¦ ¦
¦ ¦излучения (ускоряющим напряжением) ниже 2 кэВ; ¦ ¦
¦ ¦в) обладающие способностью непосредственной ¦ ¦
¦ ¦записи; или ¦ ¦
¦ ¦г) пригодные для высокоэнергетической ¦ ¦
¦ ¦имплантации кислорода в нагретую подложку ¦ ¦
¦ ¦полупроводникового материала; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.1.3. ¦Установки сухого травления анизотропной ¦ 8456 91 000 0; ¦
¦ ¦плазмой, управляемые встроенной программой: ¦ 8456 99 800 0 ¦
¦ ¦а) с покассетной обработкой пластин и ¦ ¦
¦ ¦загрузкой через загрузочные шлюзы, имеющие ¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) разработанные или оптимизированные для ¦ ¦
¦ ¦производства структур с критической величиной ¦ ¦
¦ ¦отклонения размера 0,3 мкм или менее при ¦ ¦
¦ ¦среднеквадратичной погрешности 3s = +/- 5%; или ¦ ¦
¦ ¦2) разработанные для обеспечения дефектности ¦ ¦
¦ ¦поверхности менее 0,04 частицы на кв. см для ¦ ¦
¦ ¦частиц размером более 0,1 мкм в диаметре; ¦ ¦
¦ ¦б) специально спроектированные для ¦ ¦
¦ ¦оборудования, контролируемого по пункту ¦ ¦
¦ ¦3.2.1.5, и имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) разработанные или оптимизированные для ¦ ¦
¦ ¦производства структур с критической величиной ¦ ¦
¦ ¦отклонения размера 0,3 мкм или менее при ¦ ¦
¦ ¦среднеквадратичной погрешности 3s = +/- 5%; или ¦ ¦
¦ ¦2) разработанные для обеспечения дефектности ¦ ¦
¦ ¦поверхности менее 0,04 частицы на кв. см для ¦ ¦
¦ ¦частиц размером более 0,1 мкм в диаметре; ¦ ¦
¦ ¦--------------------------------- ¦ ¦
¦ ¦s - греческая буква сигма. ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.1.4. ¦Установки химического парофазового осаждения ¦ 8419 89 200 0; ¦
¦ ¦и плазменной стимуляции, управляемые ¦ 8419 89 300 0 ¦
¦ ¦встроенной программой: ¦ ¦
¦ ¦а) с покассетной обработкой пластин и ¦ ¦
¦ ¦загрузкой через загрузочные шлюзы, имеющие ¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) разработанные в соответствии с ¦ ¦
¦ ¦техническими условиями производителя или ¦ ¦
¦ ¦оптимизированные для производства структур с ¦ ¦
¦ ¦критической величиной отклонения размера 0,3 ¦ ¦
¦ ¦мкм или менее при среднеквадратичной ¦ ¦
¦ ¦погрешности 3s = +/- 5%; или ¦ ¦
¦ ¦2) разработанные для обеспечения дефектности ¦ ¦
¦ ¦поверхности менее 0,04 частицы на кв. см для ¦ ¦
¦ ¦частиц размером более 0,1 мкм в диаметре; ¦ ¦
¦ ¦б) специально спроектированные для ¦ ¦
¦ ¦оборудования, контролируемого по пункту ¦ ¦
¦ ¦3.2.1.5, имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) разработанные в соответствии с ¦ ¦
¦ ¦техническими условиями производителя или ¦ ¦
¦ ¦оптимизированные для производства структур с ¦ ¦
¦ ¦критической величиной отклонения размера 0.3 ¦ ¦
¦ ¦мкм или менее при среднеквадратичной ¦ ¦
¦ ¦погрешности 3s = +/- 5%; или ¦ ¦
¦ ¦2) разработанные для обеспечения дефектности ¦ ¦
¦ ¦поверхности менее 0,04 частицы на кв.см для ¦ ¦
¦ ¦частиц размером более 0,1 мкм в диаметре; ¦ ¦
¦ ¦--------------------------------- ¦ ¦
¦ ¦s - греческая буква сигма. ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.1.5. ¦Управляемые встроенной программой ¦ 8456 10; ¦
¦ ¦автоматически загружаемые многокамерные ¦ 8456 91 000 0; ¦
¦ ¦системы с центральной загрузкой пластин, ¦ 8456 99 800 0; ¦
¦ ¦имеющие все следующие составляющие: ¦ 8456 99 300 0; ¦
¦ ¦а) интерфейсы для загрузки и выгрузки ¦ 8479 50 000 0 ¦
¦ ¦пластин, к которым присоединяется более двух ¦ ¦
¦ ¦единиц оборудования для обработки ¦ ¦
¦ ¦полупроводников; и ¦ ¦
¦ ¦б) предназначенные для интегрированной ¦ ¦
¦ ¦системы последовательной многопозиционной ¦ ¦
¦ ¦обработки пластин в вакуумной среде ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.2.1.5 не контролируются ¦ ¦
¦ ¦автоматические робототехнические системы ¦ ¦
¦ ¦загрузки пластин, не предназначенные для ¦ ¦
¦ ¦работы в вакууме ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.1.6. ¦Установки литографии, управляемые встроенной ¦ ¦
¦ ¦программой, такие, как: ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.1.6.1. ¦Установки многократного совмещения и ¦ 9009 22 000 0 ¦
¦ ¦экспонирования (прямого последовательного ¦ ¦
¦ ¦шагового экспонирования) или шагового ¦ ¦
¦ ¦сканирования (сканеры) для обработки пластин ¦ ¦
¦ ¦методом фотооптической или рентгеновской ¦ ¦
¦ ¦литографии, имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦составляющих: ¦ ¦
¦ ¦а) источник света с длиной волны короче ¦ ¦
¦ ¦350 нм; или ¦ ¦
¦ ¦б) способность воспроизводить рисунок с ¦ ¦
¦ ¦минимальным размером разрешения от 0,5 мкм и ¦ ¦
¦ ¦менее ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Технические примечания. ¦ ¦
¦ ¦Минимальный размер разрешения (МРР) ¦ ¦
¦ ¦рассчитывается по следующей формуле: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ (экспозиция источника освещения ¦ ¦
¦ ¦ с длиной волны в мкм) х (К фактор) ¦ ¦
¦ ¦МРР = ------------------------------------ ¦ ¦
¦ ¦ цифровая апертура ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦где К фактор = 0,7; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.1.6.2. ¦Установки, специально спроектированные для ¦ 8456 10; ¦
¦ ¦производства шаблонов или обработки ¦ 8456 99 ¦
¦ ¦полупроводниковых приборов с использованием ¦ ¦
¦ ¦отклоняемого фокусируемого электронного луча, ¦ ¦
¦ ¦пучка ионов или лазерного луча, имеющие любую ¦ ¦
¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) размер пятна менее 0,2 мкм; ¦ ¦
¦ ¦б) способность производить рисунок с ¦ ¦
¦ ¦минимальными разрешенными проектными нормами ¦ ¦
¦ ¦менее 1 мкм; или ¦ ¦
¦ ¦в) точность совмещения лучше +/- 0,20 мкм (3 ¦ ¦
¦ ¦сигма) ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.1.7. ¦Шаблоны или промежуточные фотошаблоны, ¦ ¦
¦ ¦разработанные для интегральных схем, ¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.1; ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.1.8. ¦Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем ¦ 9010 90 ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.2. ¦Аппаратура испытаний, управляемая встроенной ¦ ¦
¦ ¦программой, специально спроектированная для ¦ ¦
¦ ¦испытания готовых или находящихся в разной ¦ ¦
¦ ¦степени изготовления полупроводниковых ¦ ¦
¦ ¦приборов, и специально спроектированные ¦ ¦
¦ ¦компоненты и приспособления для нее: ¦ ¦
+---------------+------------------------------------------------+----------------+
¦3.2.2.1. ¦Для измерения S-параметров транзисторных ¦ 9031 80 390 0 ¦
¦ ¦приборов на частотах свыше 31 ГГц; ¦ ¦
Стр.1 ... | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | ... Стр.28
карта новых документов |
