Леваневский Валерий Законодательство Беларуси 2011 год
Загрузить Adobe Flash Player

  Главная

  Законодательство РБ

  Кодексы Беларуси

  Законодательные и нормативные акты по дате принятия

  Законодательные и нормативные акты принятые различными органами власти

  Законодательные и нормативные акты по темам

  Законодательные и нормативные акты по виду документы

  Международное право в Беларуси

  Законодательство СССР

  Законы других стран

  Кодексы

  Законодательство РФ

  Право Украины

  Полезные ресурсы

  Контакты

  Новости сайта

  Поиск документа


Полезные ресурсы

- Таможенный кодекс таможенного союза

- Каталог предприятий и организаций СНГ

- Законодательство Республики Беларусь по темам

- Законодательство Республики Беларусь по дате принятия

- Законодательство Республики Беларусь по органу принятия

- Законы Республики Беларусь

- Новости законодательства Беларуси

- Тюрьмы Беларуси

- Законодательство России

- Деловая Украина

- Автомобильный портал

- The legislation of the Great Britain


Правовые новости





Постановление Министерства иностранных дел Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 15.08.2002 N 8/73 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"

Документ утратил силу

Архив ноябрь 2011 года

<< Назад | <<< Главная страница

Стр. 16

Стр.1 ... | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | ... Стр.31

¦                ¦СВЧ, содержащие лампы,               ¦                   ¦
¦                ¦контролируемые по пункту 3.1.1.2, и  ¦                   ¦
¦                ¦имеющие все следующие                ¦                   ¦
¦                ¦характеристики:                      ¦                   ¦
¦                ¦а) рабочие частоты свыше 3 ГГц;      ¦                   ¦
¦                ¦б) среднюю плотность выходной        ¦                   ¦
¦                ¦мощности, превышающую 80 Вт/кг; и    ¦                   ¦
¦                ¦в) объем менее 400 куб.см            ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Примечание.                          ¦                   ¦
¦                ¦По пункту 3.1.1.2.8 не               ¦                   ¦
¦                ¦контролируется аппаратура,           ¦                   ¦
¦                ¦спроектированная для работы в любом  ¦                   ¦
¦                ¦диапазоне частот, распределенном     ¦                   ¦
¦                ¦Международным союзом электросвязи    ¦                   ¦
¦                ¦для обслуживания радиосвязи, но не   ¦                   ¦
¦                ¦для радиоопределения                 ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.3.        ¦Приборы на акустических волнах и     ¦                   ¦
¦                ¦специально спроектированные для них  ¦                   ¦
¦                ¦компоненты, такие, как:              ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.3.1.      ¦Приборы на поверхностных             ¦8541 60 000 0      ¦
¦                ¦акустических волнах и на             ¦                   ¦
¦                ¦акустических волнах в тонкой         ¦                   ¦
¦                ¦подложке (т.е. приборы для обработки ¦                   ¦
¦                ¦сигналов, использующие упругие волны ¦                   ¦
¦                ¦в материале), имеющие любую из       ¦                   ¦
¦                ¦следующих характеристик:             ¦                   ¦
¦                ¦а) несущую частоту более 2,5 ГГц;    ¦                   ¦
¦                ¦или                                  ¦                   ¦
¦                ¦б) несущую частоту более 1 ГГц, но   ¦                   ¦
¦                ¦не превышающую 2,5 ГГц, и            ¦                   ¦
¦                ¦дополнительно имеющие любую          ¦                   ¦
¦                ¦из следующих характеристик:          ¦                   ¦
¦                ¦1) частотное подавление боковых      ¦                   ¦
¦                ¦лепестков диаграммы направленности   ¦                   ¦
¦                ¦более 55 дБ;                         ¦                   ¦
¦                ¦2) произведение максимального        ¦                   ¦
¦                ¦времени задержки (в мкс) на ширину   ¦                   ¦
¦                ¦полосы частот (в МГц) более 100;     ¦                   ¦
¦                ¦3) ширину полосы частот более        ¦                   ¦
¦                ¦250 МГц; или                         ¦                   ¦
¦                ¦4) задержку рассеяния, превышающую   ¦                   ¦
¦                ¦10 мкс; или                          ¦                   ¦
¦                ¦в) несущую частоту от 1 ГГц и менее  ¦                   ¦
¦                ¦и дополнительно имеющие любую из     ¦                   ¦
¦                ¦следующих характеристик:             ¦                   ¦
¦                ¦1) произведение максимального        ¦                   ¦
¦                ¦времени задержки (в мкс) на ширину   ¦                   ¦
¦                ¦полосы частот (в МГц) более 100;     ¦                   ¦
¦                ¦2) задержку рассеяния, превышающую   ¦                   ¦
¦                ¦10 мкс; или                          ¦                   ¦
¦                ¦3) частотное подавление боковых      ¦                   ¦
¦                ¦лепестков диаграммы направленности   ¦                   ¦
¦                ¦более 55 дБ и ширину полосы частот,  ¦                   ¦
¦                ¦превышающую 50 МГц;                  ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.3.2.      ¦Приборы на объемных акустических     ¦8541 60 000 0      ¦
¦                ¦волнах (т.е. приборы для обработки   ¦                   ¦
¦                ¦сигналов, использующие упругие волны ¦                   ¦
¦                ¦в материале), обеспечивающие         ¦                   ¦
¦                ¦непосредственную обработку сигналов  ¦                   ¦
¦                ¦на частотах свыше 1 ГГц;             ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.3.3.      ¦Акустооптические приборы обработки   ¦8541 60 000 0      ¦
¦                ¦сигналов, использующие               ¦                   ¦
¦                ¦взаимодействие между акустическими   ¦                   ¦
¦                ¦волнами (объемными или               ¦                   ¦
¦                ¦поверхностными) и световыми волнами, ¦                   ¦
¦                ¦что позволяет непосредственно        ¦                   ¦
¦                ¦обрабатывать сигналы или             ¦                   ¦
¦                ¦изображения, включая анализ спектра, ¦                   ¦
¦                ¦корреляцию или свертку               ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.4.        ¦Электронные приборы и схемы,         ¦8540;              ¦
¦                ¦содержащие компоненты, изготовленные ¦8541;              ¦
¦                ¦из сверхпроводящих материалов,       ¦8542;              ¦
¦                ¦специально спроектированные для      ¦8543               ¦
¦                ¦работы при температурах ниже         ¦                   ¦
¦                ¦критической температуры хотя бы одной¦                   ¦
¦                ¦из сверхпроводящих составляющих,     ¦                   ¦
¦                ¦имеющие хотя бы один из следующих    ¦                   ¦
¦                ¦признаков:                           ¦                   ¦
¦                ¦а) токовые переключатели для цифровых¦                   ¦
¦                ¦схем, использующие сверхпроводящие   ¦                   ¦
¦                ¦вентили, у которых произведение      ¦                   ¦
¦                ¦времени задержки на вентиль (в       ¦                   ¦
¦                ¦секундах) на рассеяние мощности на   ¦                   ¦
¦                ¦                          -14        ¦                   ¦
¦                ¦вентиль (в ваттах) ниже 10    Дж;    ¦                   ¦
¦                ¦или                                  ¦                   ¦
¦                ¦б) селекцию частоты на всех          ¦                   ¦
¦                ¦частотах с использованием            ¦                   ¦
¦                ¦резонансных контуров с               ¦                   ¦
¦                ¦добротностью, превышающей 10000      ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.5.        ¦Нижеперечисленные накопители энергии:¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.5.1.      ¦Батареи и батареи на                 ¦8506;              ¦
¦                ¦фотоэлектрических элементах,         ¦8507;              ¦
¦                ¦такие, как:                          ¦из                 ¦
¦                ¦а) первичные элементы и батареи с    ¦8541 40 900 0      ¦
¦                ¦плотностью энергии свыше 480 Вт ч/кг ¦                   ¦
¦                ¦и пригодные по техническим условиям  ¦                   ¦
¦                ¦для работы в диапазоне температур от ¦                   ¦
¦                ¦243 K (-30 град. C) и ниже до 343 K  ¦                   ¦
¦                ¦(70 град. C) и выше                  ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Техническое примечание.              ¦                   ¦
¦                ¦Плотность энергии определяется путем ¦                   ¦
¦                ¦умножения средней мощности в ваттах  ¦                   ¦
¦                ¦(произведение среднего напряжения в  ¦                   ¦
¦                ¦вольтах на средний ток в амперах) на ¦                   ¦
¦                ¦длительность цикла разряда в часах,  ¦                   ¦
¦                ¦при котором напряжение на            ¦                   ¦
¦                ¦разомкнутых клеммах падает до 75% от ¦                   ¦
¦                ¦номинала, и деления полученного      ¦                   ¦
¦                ¦произведения на общую массу элемента ¦                   ¦
¦                ¦(или батареи) в кг;                  ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦б) подзаряжаемые элементы и батареи  ¦                   ¦
¦                ¦с плотностью энергии свыше           ¦                   ¦
¦                ¦150 Вт ч/кг после 75 циклов          ¦                   ¦
¦                ¦заряда-разряда при токе разряда,     ¦                   ¦
¦                ¦равном С/5 ч (С - номинальная        ¦                   ¦
¦                ¦емкость в ампер-часах), при работе в ¦                   ¦
¦                ¦диапазоне температур от 253 K        ¦                   ¦
¦                ¦(-20 град. C) и ниже до 333 K        ¦                   ¦
¦                ¦(60 град. C) и выше;                 ¦                   ¦
¦                ¦в) батареи, по техническим условиям  ¦                   ¦
¦                ¦годные для применения в космосе, и   ¦                   ¦
¦                ¦радиационно стойкие батареи на       ¦                   ¦
¦                ¦фотоэлектрических элементах с        ¦                   ¦
¦                ¦удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м ¦                   ¦
¦                ¦при рабочей температуре 301 K        ¦                   ¦
¦                ¦(28 град. C) и вольфрамовом          ¦                   ¦
¦                ¦источнике, нагретом до 2800 K        ¦                   ¦
¦                ¦(2527 град. C) и создающем           ¦                   ¦
¦                ¦энергетическую освещенность          ¦                   ¦
¦                ¦1 кВт/кв.м                           ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Примечание.                          ¦                   ¦
¦                ¦По пункту 3.1.1.5.1 не               ¦                   ¦
¦                ¦контролируются батареи объемом       ¦                   ¦
¦                ¦27 куб.см и меньше (например,        ¦                   ¦
¦                ¦стандартные угольные элементы или    ¦                   ¦
¦                ¦батареи типа R14);                   ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.5.2.      ¦Накопители большой энергии,          ¦8506;              ¦
¦                ¦такие, как:                          ¦8507;              ¦
¦                ¦а) накопители с частотой повторения  ¦8532               ¦
¦                ¦менее 10 Гц (одноразовые             ¦                   ¦
¦                ¦накопители), имеющие все следующие   ¦                   ¦
¦                ¦характеристики:                      ¦                   ¦
¦                ¦1) номинальное напряжение 5 кВ или   ¦                   ¦
¦                ¦более;                               ¦                   ¦
¦                ¦2) плотность энергии 250 Дж/кг или   ¦                   ¦
¦                ¦более; и                             ¦                   ¦
¦                ¦3) общую энергию 25 кДж или более;   ¦                   ¦
¦                ¦б) накопители с частотой повторения  ¦                   ¦
¦                ¦10 Гц и более (многоразовые          ¦                   ¦
¦                ¦накопители), имеющие все следующие   ¦                   ¦
¦                ¦характеристики:                      ¦                   ¦
¦                ¦1) номинальное напряжение не менее   ¦                   ¦
¦                ¦5 кВ;                                ¦                   ¦
¦                ¦2) плотность энергии не менее        ¦                   ¦
¦                ¦50 Дж/кг;                            ¦                   ¦
¦                ¦3) общую энергию не менее 100 Дж; и  ¦                   ¦
¦                ¦4) количество циклов заряда-разряда  ¦                   ¦
¦                ¦не менее 10000;                      ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.5.3.      ¦Сверхпроводящие электромагниты и     ¦8505 19 900 0      ¦
¦                ¦соленоиды, специально                ¦                   ¦
¦                ¦спроектированные на полный заряд или ¦                   ¦
¦                ¦разряд менее чем за одну секунду,    ¦                   ¦
¦                ¦имеющие все нижеперечисленные        ¦                   ¦
¦                ¦характеристики:                      ¦                   ¦
¦                ¦а) энергию, выделяемую при разряде,  ¦                   ¦
¦                ¦превышающую 10 кДж за первую         ¦                   ¦
¦                ¦секунду;                             ¦                   ¦
¦                ¦б) внутренний диаметр токопроводящих ¦                   ¦
¦                ¦обмоток более 250 мм; и              ¦                   ¦
¦                ¦в) номинальную магнитную индукцию    ¦                   ¦
¦                ¦свыше 8 Т или суммарную плотность    ¦                   ¦
¦                ¦тока в обмотке больше 300 А/кв.мм    ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Примечание.                          ¦                   ¦
¦                ¦По пункту 3.1.1.5.3 не               ¦                   ¦
¦                ¦контролируются сверхпроводящие       ¦                   ¦
¦                ¦электромагниты или соленоиды,        ¦                   ¦
¦                ¦специально спроектированные для      ¦                   ¦
¦                ¦медицинской аппаратуры               ¦                   ¦
¦                ¦магниторезонансной томографии        ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.6.        ¦Вращающиеся преобразователи          ¦9031 80 340 0      ¦
¦                ¦абсолютного углового положения вала  ¦                   ¦
¦                ¦в код, имеющие любую из следующих    ¦                   ¦
¦                ¦характеристик:                       ¦                   ¦
¦                ¦а) разрешение лучше 1/265000 от      ¦                   ¦
¦                ¦полного диапазона (18 бит); или      ¦                   ¦
¦                ¦б) точность лучше +/- 2,5 угл.с      ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.          ¦Нижеперечисленная электронная        ¦                   ¦
¦                ¦аппаратура общего назначения:        ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.1.        ¦Записывающая аппаратура и            ¦                   ¦
¦                ¦специально разработанная             ¦                   ¦
¦                ¦измерительная магнитная лента        ¦                   ¦
¦                ¦для нее, такие, как:                 ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.1.1.      ¦Накопители на магнитной ленте для    ¦8520 39 900 0;     ¦
¦                ¦аналоговой аппаратуры, включая       ¦8520 90 900 0;     ¦
¦                ¦аппаратуру с возможностью записи     ¦8521 10 300 0;     ¦
¦                ¦цифровых сигналов (например,         ¦8521 10 800 0      ¦
¦                ¦использующие модуль цифровой записи  ¦                   ¦
¦                ¦высокой плотности), имеющие любую из ¦                   ¦
¦                ¦следующих характеристик:             ¦                   ¦
¦                ¦а) полосу частот, превышающую 4 МГц  ¦                   ¦
¦                ¦на электронный канал или дорожку;    ¦                   ¦
¦                ¦б) полосу частот, превышающую 2 МГц  ¦                   ¦
¦                ¦на электронный канал или дорожку,    ¦                   ¦
¦                ¦при числе дорожек более 42; или      ¦                   ¦
¦                ¦в) ошибку рассогласования (основную) ¦                   ¦
¦                ¦временной шкалы, измеренную по       ¦                   ¦
¦                ¦методикам соответствующих            ¦                   ¦
¦                ¦руководящих материалов               ¦                   ¦
¦                ¦Межведомственного совета по          ¦                   ¦
¦                ¦радиопромышленности (IRIG) или       ¦                   ¦
¦                ¦Ассоциации электронной промышленности¦                   ¦
¦                ¦(EIA), менее +/- 0,1 мкс             ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Примечание.                          ¦                   ¦
¦                ¦Аналоговые видеомагнитофоны,         ¦                   ¦
¦                ¦специально разработанные для         ¦                   ¦
¦                ¦гражданского применения, не          ¦                   ¦
¦                ¦рассматриваются как записывающая     ¦                   ¦
¦                ¦аппаратура;                          ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.1.2.      ¦Цифровые видеомагнитофоны,           ¦8521 10;           ¦
¦                ¦имеющие максимальную пропускную      ¦8521 90 000 0      ¦
¦                ¦способность цифрового интерфейса     ¦                   ¦
¦                ¦свыше 360 Мбит/с;                    ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Примечание.                          ¦                   ¦
¦                ¦По пункту 3.1.2.1.2 не               ¦                   ¦
¦                ¦контролируются цифровые              ¦                   ¦
¦                ¦видеомагнитофоны, специально         ¦                   ¦
¦                ¦спроектированные для телевизионной   ¦                   ¦
¦                ¦записи, использующие формат сигнала, ¦                   ¦
¦                ¦который может включать сжатие        ¦                   ¦
¦                ¦формата сигнала, стандартизированный ¦                   ¦
¦                ¦или рекомендуемый для применения     ¦                   ¦
¦                ¦в гражданском телевидении            ¦                   ¦
¦                ¦Международным союзом электросвязи,   ¦                   ¦
¦                ¦Международной электротехнической     ¦                   ¦
¦                ¦комиссией, Организацией инженеров по ¦                   ¦
¦                ¦развитию кино и телевидения,         ¦                   ¦
¦                ¦Европейским союзом радиовещания или  ¦                   ¦
¦                ¦Институтом инженеров по              ¦                   ¦
¦                ¦электротехнике и радиоэлектронике;   ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.1.3.      ¦Накопители на магнитной ленте для    ¦8521 10            ¦
¦                ¦цифровой аппаратуры, использующие    ¦                   ¦
¦                ¦принципы спирального сканирования    ¦                   ¦
¦                ¦или принципы фиксированной головки и ¦                   ¦
¦                ¦имеющие любую из следующих           ¦                   ¦
¦                ¦характеристик:                       ¦                   ¦
¦                ¦а) максимальную пропускную           ¦                   ¦
¦                ¦способность цифрового интерфейса     ¦                   ¦
¦                ¦более 175 Мбит/с; или                ¦                   ¦
¦                ¦б) годные для применения в космосе   ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Примечание.                          ¦                   ¦
¦                ¦По пункту 3.1.2.1.3 не               ¦                   ¦
¦                ¦контролируются аналоговые накопители ¦                   ¦
¦                ¦на магнитной ленте, оснащенные       ¦                   ¦
¦                ¦электронными блоками для             ¦                   ¦
¦                ¦преобразования в цифровую запись     ¦                   ¦
¦                ¦высокой плотности и предназначенные  ¦                   ¦
¦                ¦для записи только цифровых данных;   ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.1.4.      ¦Аппаратура с максимальной            ¦8521 90 000 0      ¦
¦                ¦пропускной способностью цифрового    ¦                   ¦
¦                ¦интерфейса свыше 175 Мбит/с,         ¦                   ¦
¦                ¦спроектированная в целях переделки   ¦                   ¦
¦                ¦цифровых видеомагнитофонов для       ¦                   ¦
¦                ¦использования их как устройств       ¦                   ¦
¦                ¦записи данных цифровой аппаратуры;   ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.1.5.      ¦Приборы для преобразования           ¦8543 89 950 0      ¦
¦                ¦сигналов в цифровую форму и записи   ¦                   ¦
¦                ¦переходных процессов, имеющие все    ¦                   ¦
¦                ¦следующие характеристики:            ¦                   ¦
¦                ¦а) скорость преобразования в         ¦                   ¦
¦                ¦цифровую форму не менее 200 млн.проб ¦                   ¦
¦                ¦в секунду и разрешение 10 или более  ¦                   ¦
¦                ¦проб в секунду; и                    ¦                   ¦
¦                ¦б) пропускную способность не менее   ¦                   ¦
¦                ¦2 Гбит/с                             ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Техническое примечание.              ¦                   ¦
¦                ¦Для таких приборов с архитектурой на ¦                   ¦
¦                ¦параллельной шине пропускная         ¦                   ¦
¦                ¦способность есть произведение        ¦                   ¦
¦                ¦наибольшего объема слов на           ¦                   ¦
¦                ¦количество бит в слове. Пропускная   ¦                   ¦
¦                ¦способность - это наивысшая скорость ¦                   ¦
¦                ¦передачи данных аппаратуры, с        ¦                   ¦
¦                ¦которой информация поступает в       ¦                   ¦
¦                ¦запоминающее устройство без потерь   ¦                   ¦
¦                ¦при сохранении скорости выборки и    ¦                   ¦
¦                ¦аналого-цифрового преобразования;    ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.2.        ¦Электронные сборки синтезаторов      ¦8543 20 000 0      ¦
¦                ¦частоты, имеющие время переключения  ¦                   ¦
¦                ¦с одной заданной частоты на          ¦                   ¦
¦                ¦другую менее 1 мс;                   ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.3.        ¦Анализаторы сигналов:                ¦9030 83 900 0;     ¦
¦                ¦а) способные анализировать частоты,  ¦9030 89 920 0      ¦
¦                ¦превышающие 31 ГГц;                  ¦                   ¦
¦                ¦б) динамические анализаторы сигналов ¦                   ¦
¦                ¦с полосой пропускания в реальном     ¦                   ¦
¦                ¦времени, превышающей 500 кГц;        ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Примечание.                          ¦                   ¦
¦                ¦По подпункту "б" пункта 3.1.2.3 не   ¦                   ¦
¦                ¦контролируются динамические          ¦                   ¦
¦                ¦анализаторы сигналов, использующие   ¦                   ¦
¦                ¦только фильтры с полосой пропускания ¦                   ¦
¦                ¦фиксированных долей (известны также  ¦                   ¦
¦                ¦как октавные или дробно-октавные     ¦                   ¦
¦                ¦фильтры)                             ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.4.        ¦Генераторы сигналов                  ¦8543 20 000 0      ¦
¦                ¦синтезированных частот, формирующие  ¦                   ¦
¦                ¦выходные частоты с управлением по    ¦                   ¦
¦                ¦параметрам точности, кратковременной ¦                   ¦
¦                ¦и долговременной стабильности        ¦                   ¦
¦                ¦на основе или с помощью внутренней   ¦                   ¦
¦                ¦эталонной частоты, имеющие любую из  ¦                   ¦
¦                ¦следующих характеристик:             ¦                   ¦
¦                ¦а) максимальную синтезируемую        ¦                   ¦
¦                ¦частоту более 31 ГГц;                ¦                   ¦
¦                ¦б) время переключения с одной        ¦                   ¦
¦                ¦заданной частоты на другую менее     ¦                   ¦
¦                ¦1 мс; или                            ¦                   ¦
¦                ¦в) фазовый шум одной боковой полосы  ¦                   ¦
¦                ¦лучше -(126 + 20lgF - 20lgf) в       ¦                   ¦
¦                ¦единицах дБ x с/Гц, где F - смещение ¦                   ¦
¦                ¦рабочей частоты в Гц, а f - рабочая  ¦                   ¦
¦                ¦частота в МГц                        ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Примечание.                          ¦                   ¦
¦                ¦По пункту 3.1.2.4 не контролируется  ¦                   ¦
¦                ¦аппаратура, в которой выходная       ¦                   ¦
¦                ¦частота создается либо путем         ¦                   ¦
¦                ¦сложения или вычитания частот с двух ¦                   ¦
¦                ¦или более кварцевых генераторов,     ¦                   ¦
¦                ¦либо путем сложения или вычитания с  ¦                   ¦
¦                ¦последующим умножением               ¦                   ¦
¦                ¦результирующей частоты;              ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.5.        ¦Сетевые анализаторы с                ¦9030 40 900 0      ¦
¦                ¦максимальной рабочей частотой,       ¦                   ¦
¦                ¦превышающей 40 ГГц;                  ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.6.        ¦Микроволновые приемники-тестеры,     ¦8527 90 980 0      ¦
¦                ¦имеющие все следующие                ¦                   ¦
¦                ¦характеристики:                      ¦                   ¦
¦                ¦а) максимальную рабочую частоту,     ¦                   ¦
¦                ¦превышающую 40 ГГц; и                ¦                   ¦
¦                ¦б) способные одновременно измерять   ¦                   ¦
¦                ¦амплитуду и фазу;                    ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.7.        ¦Атомные эталоны частоты, имеющие     ¦8543 20 000 0      ¦
¦                ¦любую из следующих характеристик:    ¦                   ¦
¦                ¦а) долговременную стабильность       ¦                   ¦
¦                ¦                           -11       ¦                   ¦
¦                ¦(старение) менее (лучше) 10    в     ¦                   ¦
¦                ¦месяц; или                           ¦                   ¦
¦                ¦б) годные для применения в космосе   ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Примечание.                          ¦                   ¦
¦                ¦По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не   ¦                   ¦
¦                ¦контролируются рубидиевые стандарты, ¦                   ¦
¦                ¦не предназначенные для космического  ¦                   ¦
¦                ¦применения                           ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.            ¦Испытательное, контрольное и         ¦                   ¦
¦                ¦производственное оборудование        ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.          ¦Нижеперечисленное оборудование для   ¦                   ¦
¦                ¦производства полупроводниковых       ¦                   ¦
¦                ¦приборов или материалов и специально ¦                   ¦
¦                ¦разработанные компоненты и           ¦                   ¦
¦                ¦оснастка для них:                    ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.1.        ¦Установки, управляемые встроенной    ¦                   ¦
¦                ¦программой, предназначенные для      ¦                   ¦
¦                ¦эпитаксиального выращивания,         ¦                   ¦
¦                ¦такие, как:                          ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.1.1.      ¦Установки, способные выдерживать     ¦8479 89 650 0      ¦
¦                ¦толщину слоя с отклонением не более  ¦                   ¦
¦                ¦+/- 2,5% на протяжении 75 мм или     ¦                   ¦
¦                ¦более;                               ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.1.2.      ¦Установки химического осаждения      ¦8419 89 200 0      ¦
¦                ¦паров металлорганических соединений, ¦                   ¦
¦                ¦специально разработанные для         ¦                   ¦
¦                ¦выращивания кристаллов сложных       ¦                   ¦
¦                ¦полупроводников с помощью химических ¦                   ¦
¦                ¦реакций между материалами, которые   ¦                   ¦
¦                ¦контролируются по пункту 3.3.3 или   ¦                   ¦
¦                ¦3.3.4;                               ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.1.3.      ¦Молекулярно-лучевые установки        ¦8479 89 650 0;     ¦
¦                ¦эпитаксиального выращивания,         ¦8543 89 700 0      ¦
¦                ¦использующие газовые или твердые     ¦                   ¦
¦                ¦источники                            ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.2.        ¦Установки, управляемые встроенной    ¦8543 11 000 0      ¦
¦                ¦программой, специально               ¦                   ¦
¦                ¦предназначенные для ионной           ¦                   ¦
¦                ¦имплантации, имеющие любую из        ¦                   ¦
¦                ¦следующих характеристик:             ¦                   ¦
¦                ¦а) энергию излучения (ускоряющее     ¦                   ¦
¦                ¦напряжение) свыше 1 МэВ;             ¦                   ¦
¦                ¦б) специально спроектированные       ¦                   ¦
¦                ¦и оптимизированные для работы с      ¦                   ¦
¦                ¦энергией излучения (ускоряющим       ¦                   ¦
¦                ¦напряжением) ниже 2 кэВ;             ¦                   ¦
¦                ¦в) обладающие способностью           ¦                   ¦
¦                ¦непосредственной записи; или         ¦                   ¦
¦                ¦г) пригодные для                     ¦                   ¦
¦                ¦высокоэнергетической имплантации     ¦                   ¦
¦                ¦кислорода в нагретую подложку        ¦                   ¦
¦                ¦полупроводникового материала;        ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.3.        ¦Установки сухого травления           ¦8456 91 000 0;     ¦
¦                ¦анизотропной плазмой, управляемые    ¦8456 99 800 0      ¦
¦                ¦встроенной программой:               ¦                   ¦
¦                ¦а) с покассетной обработкой пластин  ¦                   ¦
¦                ¦и загрузкой через загрузочные шлюзы, ¦                   ¦
¦                ¦имеющие любую из следующих           ¦                   ¦
¦                ¦характеристик:                       ¦                   ¦
¦                ¦1) разработанные или                 ¦                   ¦
¦                ¦оптимизированные для производства    ¦                   ¦
¦                ¦структур с критической величиной     ¦                   ¦
¦                ¦отклонения размера 0,3 мкм или менее ¦                   ¦
¦                ¦при среднеквадратичной погрешности   ¦                   ¦
¦                ¦3s= +/- 5%; или                      ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦------------------------                                                  ¦
¦s - греческая буква "сигма".                                              ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦                ¦2) разработанные для обеспечения     ¦                   ¦
¦                ¦дефектности поверхности менее 0,04   ¦                   ¦
¦                ¦частицы на кв.см для частиц          ¦                   ¦
¦                ¦размером более 0,1 мкм в диаметре;   ¦                   ¦
¦                ¦б) специально спроектированные       ¦                   ¦
¦                ¦для оборудования, контролируемого по ¦                   ¦
¦                ¦пункту 3.2.1.5, и имеющие любую из   ¦                   ¦
¦                ¦следующих характеристик:             ¦                   ¦
¦                ¦1) разработанные или                 ¦                   ¦
¦                ¦оптимизированные для производства    ¦                   ¦
¦                ¦структур с критической величиной     ¦                   ¦
¦                ¦отклонения размера 0,3 мкм или менее ¦                   ¦
¦                ¦при среднеквадратичной погрешности   ¦                   ¦
¦                ¦3s = +/- 5%; или                     ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦------------------------                                                  ¦
¦s - греческая буква "сигма".                                              ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦                ¦2) разработанные для обеспечения     ¦                   ¦
¦                ¦дефектности поверхности менее 0,04   ¦                   ¦
¦                ¦частицы на кв.см для частиц          ¦                   ¦
¦                ¦размером более 0,1 мкм в диаметре;   ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.4.        ¦Установки химического парофазового   ¦8419 89 200 0;     ¦
¦                ¦осаждения и плазменной стимуляции,   ¦8419 89 300 0      ¦
¦                ¦управляемые встроенной программой:   ¦                   ¦
¦                ¦а) с покассетной обработкой пластин  ¦                   ¦
¦                ¦и загрузкой через загрузочные шлюзы, ¦                   ¦
¦                ¦имеющие любую из следующих           ¦                   ¦
¦                ¦характеристик:                       ¦                   ¦
¦                ¦1) разработанные в соответствии с    ¦                   ¦
¦                ¦техническими условиями               ¦                   ¦
¦                ¦производителя или оптимизированные   ¦                   ¦
¦                ¦для производства структур с          ¦                   ¦
¦                ¦критической величиной отклонения     ¦                   ¦
¦                ¦размера 0,3 мкм или менее при        ¦                   ¦
¦                ¦среднеквадратичной погрешности       ¦                   ¦
¦                ¦3s = +/- 5%; или                     ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦------------------------                                                  ¦
¦s - греческая буква "сигма".                                              ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦                ¦2) разработанные для обеспечения     ¦                   ¦
¦                ¦дефектности поверхности менее 0,04   ¦                   ¦
¦                ¦частицы на кв.см для частиц          ¦                   ¦
¦                ¦размером более 0,1 мкм в диаметре;   ¦                   ¦
¦                ¦б) специально спроектированные       ¦                   ¦
¦                ¦для оборудования, контролируемого по ¦                   ¦
¦                ¦пункту 3.2.1.5, имеющие любую из     ¦                   ¦
¦                ¦следующих характеристик:             ¦                   ¦
¦                ¦1) разработанные в соответствии с    ¦                   ¦
¦                ¦техническими условиями               ¦                   ¦
¦                ¦производителя или оптимизированные   ¦                   ¦
¦                ¦для производства структур с          ¦                   ¦
¦                ¦критической величиной отклонения     ¦                   ¦
¦                ¦размера 0,3 мкм или менее при        ¦                   ¦
¦                ¦среднеквадратичной погрешности       ¦                   ¦
¦                ¦3s = +/- 5%; или                     ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦------------------------                                                  ¦
¦s - греческая буква "сигма".                                              ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦                ¦2) разработанные для обеспечения     ¦                   ¦
¦                ¦дефектности поверхности менее 0,04   ¦                   ¦
¦                ¦частицы на кв.см для частиц          ¦                   ¦
¦                ¦размером более 0,1 мкм в диаметре;   ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.5.        ¦Управляемые встроенной программой    ¦8456 10;           ¦
¦                ¦автоматически загружаемые            ¦8456 91 000 0;     ¦
¦                ¦многокамерные системы с центральной  ¦8456 99 800 0;     ¦
¦                ¦загрузкой пластин, имеющие все       ¦8456 99 300 0;     ¦
¦                ¦следующие составляющие:              ¦8479 50 000 0      ¦
¦                ¦а) интерфейсы для загрузки и         ¦                   ¦
¦                ¦выгрузки пластин, к которым          ¦                   ¦
¦                ¦присоединяется более двух единиц     ¦                   ¦
¦                ¦оборудования для обработки           ¦                   ¦
¦                ¦полупроводников; и                   ¦                   ¦
¦                ¦б) предназначенные для               ¦                   ¦
¦                ¦интегрированной системы              ¦                   ¦
¦                ¦последовательной многопозиционной    ¦                   ¦
¦                ¦обработки пластин в вакуумной среде  ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Примечание.                          ¦                   ¦
¦                ¦По пункту 3.2.1.5 не контролируются  ¦                   ¦
¦                ¦автоматические робототехнические     ¦                   ¦
¦                ¦системы загрузки пластин, не         ¦                   ¦
¦                ¦предназначенные для работы в вакууме ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.6.        ¦Установки литографии, управляемые    ¦                   ¦
¦                ¦встроенной программой, такие, как:   ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.6.1.      ¦Установки многократного совмещения   ¦9009 22 000 0      ¦
¦                ¦и экспонирования (прямого            ¦                   ¦
¦                ¦последовательного шагового           ¦                   ¦
¦                ¦экспонирования) или шагового         ¦                   ¦
¦                ¦сканирования (сканеры) для обработки ¦                   ¦
¦                ¦пластин методом фотооптической или   ¦                   ¦
¦                ¦рентгеновской литографии, имеющие    ¦                   ¦
¦                ¦любую из следующих составляющих:     ¦                   ¦
¦                ¦а) источник света с длиной волны     ¦                   ¦
¦                ¦короче 350 нм; или                   ¦                   ¦
¦                ¦б) способность воспроизводить        ¦                   ¦
¦                ¦рисунок с минимальным размером       ¦                   ¦
¦                ¦разрешения от 0,5 мкм и менее        ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Технические примечания:              ¦                   ¦
¦                ¦Минимальный размер разрешения (МРР)  ¦                   ¦
¦                ¦рассчитывается по следующей формуле: ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦         (экспозиция источника       ¦                   ¦
¦                ¦       освещения с длиной волны в    ¦                   ¦
¦                ¦             мкм) x (К фактор)       ¦                   ¦
¦                ¦МРР = ----------------------------,  ¦                   ¦
¦                ¦            цифровая апертура        ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦где К фактор = 0,7;                  ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.6.2.      ¦Установки, специально                ¦8456 10;           ¦
¦                ¦спроектированные для производства    ¦8456 99            ¦
¦                ¦шаблонов или обработки               ¦                   ¦
¦                ¦полупроводниковых приборов с         ¦                   ¦
¦                ¦использованием отклоняемого          ¦                   ¦
¦                ¦фокусируемого электронного луча,     ¦                   ¦
¦                ¦пучка ионов или лазерного луча,      ¦                   ¦
¦                ¦имеющие любую из следующих           ¦                   ¦
¦                ¦характеристик:                       ¦                   ¦
¦                ¦а) размер пятна менее 0,2 мкм;       ¦                   ¦
¦                ¦б) способность производить рисунок   ¦                   ¦
¦                ¦с минимальными разрешенными          ¦                   ¦
¦                ¦проектными нормами менее 1 мкм; или  ¦                   ¦
¦                ¦в) точность совмещения лучше         ¦                   ¦
¦                ¦+/- 0,20 мкм (3 сигма)               ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.7.        ¦Шаблоны или промежуточные            ¦                   ¦
¦                ¦фотошаблоны, разработанные           ¦                   ¦
¦                ¦для интегральных схем,               ¦                   ¦
¦                ¦контролируемых по пункту 3.1.1;      ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.8.        ¦Многослойные шаблоны с               ¦9010 90            ¦
¦                ¦фазосдвигающим слоем                 ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.2.          ¦Аппаратура испытаний, управляемая    ¦                   ¦
¦                ¦встроенной программой, специально    ¦                   ¦
¦                ¦спроектированная для испытания       ¦                   ¦
¦                ¦готовых или находящихся в разной     ¦                   ¦
¦                ¦степени изготовления                 ¦                   ¦
¦                ¦полупроводниковых приборов,          ¦                   ¦
¦                ¦и специально спроектированные        ¦                   ¦
¦                ¦компоненты и приспособления для нее: ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.2.1.        ¦Для измерения S-параметров           ¦9031 80 390 0      ¦
¦                ¦транзисторных приборов на частотах   ¦                   ¦
¦                ¦свыше 31 ГГц;                        ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.2.2.        ¦Для испытаний интегральных схем,     ¦9031 80 390 0      ¦
¦                ¦способная выполнять функциональное   ¦                   ¦
¦                ¦тестирование (по таблицам            ¦                   ¦
¦                ¦истинности) с частотой тестирования  ¦                   ¦
¦                ¦строк более 333 МГц                  ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Примечание.                          ¦                   ¦
¦                ¦По пункту 3.2.2.2 не                 ¦                   ¦
¦                ¦контролируется аппаратура            ¦                   ¦
¦                ¦испытаний, специально                ¦                   ¦
¦                ¦спроектированная для испытаний:      ¦                   ¦
¦                ¦а) электронных сборок или класса     ¦                   ¦
¦                ¦электронных сборок для бытовой или   ¦                   ¦
¦                ¦игровой электронной аппаратуры;      ¦                   ¦
¦                ¦б) неконтролируемых электронных      ¦                   ¦
¦                ¦компонентов, электронных сборок или  ¦                   ¦
¦                ¦интегральных схем;                   ¦                   ¦
¦                ¦в) запоминающих устройств            ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Техническое примечание.              ¦                   ¦
¦                ¦Для целей этого пункта оценочной     ¦                   ¦
¦                ¦характеристикой является             ¦                   ¦
¦                ¦максимальная частота цифрового       ¦                   ¦
¦                ¦режима работы тестера, поэтому она   ¦                   ¦
¦                ¦является эквивалентом наивысшему     ¦                   ¦
¦                ¦значению оценки, которое может       ¦                   ¦
¦                ¦обеспечить тестер во                 ¦                   ¦
¦                ¦внемультиплексном режиме. Она также  ¦                   ¦
¦                ¦относится к скорости испытания,      ¦                   ¦
¦                ¦максимальной цифровой частоте или к  ¦                   ¦
¦                ¦максимальной цифровой скорости;      ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.2.3.        ¦Для испытания микроволновых          ¦9031 20 000 0;     ¦
¦                ¦интегральных схем, контролируемых    ¦9031 80 390 0      ¦
¦                ¦по пункту 3.1.1.2.2;                 ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.2.4.        ¦Исключен                             ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.            ¦Материалы                            ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.1.          ¦Гетероэпитаксиальные материалы,      ¦                   ¦
¦                ¦состоящие из подложки с несколькими  ¦                   ¦
¦                ¦последовательно наращенными          ¦                   ¦
¦                ¦эпитаксиальными слоями, имеющими     ¦                   ¦
¦                ¦любую из следующих составляющих:     ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.1.1.        ¦Кремний;                             ¦3818 00 100 0;     ¦
¦                ¦                                     ¦3818 00 900 0      ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.1.2.        ¦Германий;                            ¦3818 00 900 0      ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.1.3.        ¦Карбид кремния; или                  ¦3818 00 900 0      ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.1.4.        ¦Соединения III/V на основе           ¦3818 00 900 0      ¦
¦                ¦галлия или индия                     ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Техническое примечание.              ¦                   ¦
¦                ¦Соединения III/V - это               ¦                   ¦
¦                ¦поликристаллические или              ¦                   ¦
¦                ¦двухэлементные или сложные           ¦                   ¦
¦                ¦монокристаллические продукты,        ¦                   ¦
¦                ¦состоящие из элементов групп IIIA и  ¦                   ¦
¦                ¦VA периодической системы Менделеева  ¦                   ¦
¦                ¦(по отечественной классификации это  ¦                   ¦
¦                ¦группы A3 и B5) (арсенид галлия,     ¦                   ¦
¦                ¦алюмоарсенид галлия, фосфид индия и  ¦                   ¦
¦                ¦т.п.)                                ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.2.          ¦Материалы резистов и подложки,       ¦                   ¦
¦                ¦покрытые контролируемыми резистами,  ¦                   ¦
¦                ¦такие, как:                          ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.2.1.        ¦Позитивные резисты, предназначенные  ¦3824 90 990 0      ¦
¦                ¦для полупроводниковой литографии,    ¦                   ¦
¦                ¦специально приспособленные           ¦                   ¦
¦                ¦(оптимизированные) для использования ¦                   ¦
¦                ¦на спектральную чувствительность     ¦                   ¦
¦                ¦менее 350 нм;                        ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.2.2.        ¦Все резисты, предназначенные         ¦3824 90 990 0      ¦
¦                ¦для использования при экспонировании ¦                   ¦
¦                ¦электронными или ионными пучками, с  ¦                   ¦
¦                ¦чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм    ¦                   ¦
¦                ¦или лучше;                           ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.2.3.        ¦Все резисты, предназначенные         ¦3824 90 990 0      ¦
¦                ¦для использования при экспонировании ¦                   ¦
¦                ¦рентгеновскими лучами, с             ¦                   ¦
¦                ¦чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или  ¦                   ¦
¦                ¦лучше;                               ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.2.4.        ¦Все резисты, оптимизированные под    ¦3824 90 990 0      ¦
¦                ¦технологии формирования рисунка,     ¦                   ¦
¦                ¦включая силицированные резисты       ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Техническое примечание.              ¦                   ¦
¦                ¦Методы силицирования - это процессы, ¦                   ¦
¦                ¦включающие оксидирование поверхности ¦                   ¦
¦                ¦резиста, для повышения качества      ¦                   ¦
¦                ¦мокрого и сухого проявления          ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.3.          ¦Органо-неорганические компаунды,     ¦                   ¦
¦                ¦такие, как:                          ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.3.1.        ¦Органо-металлические соединения на   ¦2931 00 950 0      ¦
¦                ¦основе алюминия, галлия или индия с  ¦                   ¦
¦                ¦чистотой металлической основы        ¦                   ¦
¦                ¦свыше 99,999%;                       ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.3.2.        ¦Органо-мышьяковистые,                ¦2931 00 950 0      ¦
¦                ¦органо-сурьмянистые и                ¦                   ¦
¦                ¦органо-фосфорные соединения          ¦                   ¦
¦                ¦с чистотой органической элементной   ¦                   ¦
¦                ¦основы свыше 99,999%                 ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Примечание.                          ¦                   ¦
¦                ¦По пункту 3.3.3 контролируются       ¦                   ¦
¦                ¦только соединения, чей               ¦                   ¦
¦                ¦металлический, частично              ¦                   ¦
¦                ¦металлический или неметаллический    ¦                   ¦
¦                ¦элемент непосредственно связан с     ¦                   ¦
¦                ¦углеродом в органической части       ¦                   ¦
¦                ¦молекулы                             ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.4.          ¦Гидриды фосфора, мышьяка или         ¦2848 00 000 0;     ¦
¦                ¦сурьмы, имеющие чистоту свыше        ¦из                 ¦
¦                ¦99,999% даже после растворения в     ¦2850 00 200 0      ¦
¦                ¦инертных газах или водороде          ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Примечание.                          ¦                   ¦
¦                ¦По пункту 3.3.4 не контролируются    ¦                   ¦
¦                ¦гидриды, содержащие 20% и более      ¦                   ¦
¦                ¦молей инертных газов или водорода    ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.4.            ¦Программное обеспечение              ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.4.1.          ¦Программное обеспечение, специально  ¦                   ¦
¦                ¦созданное для разработки или         ¦                   ¦
¦                ¦производства оборудования,           ¦                   ¦
¦                ¦контролируемого по пунктам           ¦                   ¦
¦                ¦3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2  ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.4.2.          ¦Программное обеспечение, специально  ¦                   ¦
¦                ¦созданное для применения в           ¦                   ¦
¦                ¦оборудовании, управляемом встроенной ¦                   ¦
¦                ¦программой и контролируемом          ¦                   ¦
¦                ¦по пункту 3.2                        ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.4.3.          ¦Программное обеспечение систем       ¦                   ¦
¦                ¦автоматизированного проектирования   ¦                   ¦
¦                ¦(САПР),имеющее все следующие         ¦                   ¦
¦                ¦составляющие:                        ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.4.3.1.        ¦Спроектировано для разработки        ¦                   ¦
¦                ¦полупроводниковых приборов или       ¦                   ¦
¦                ¦интегральных схем; и                 ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.4.3.2.        ¦Спроектировано для выполнения или    ¦                   ¦
¦                ¦использования любой из следующих     ¦                   ¦
¦                ¦составляющих:                        ¦                   ¦
¦                ¦а) правил проектирования или правил  ¦                   ¦
¦                ¦проверки схем;                       ¦                   ¦
¦                ¦б) моделирования схем по их          ¦                   ¦
¦                ¦физической топологии; или            ¦                   ¦
¦                ¦в) имитаторов литографических        ¦                   ¦
¦                ¦процессов для проектирования         ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Техническое примечание.              ¦                   ¦
¦                ¦Имитатор литографических процессов - ¦                   ¦
¦                ¦это пакет программного обеспечения,  ¦                   ¦
¦                ¦используемый на этапе проектирования ¦                   ¦
¦                ¦для определения последовательности   ¦                   ¦
¦                ¦операций литографии, травления и     ¦                   ¦
¦                ¦осаждения в целях воплощения         ¦                   ¦
¦                ¦маскирующих шаблонов в конкретные    ¦                   ¦
¦                ¦топологические рисунки проводников,  ¦                   ¦
¦                ¦диэлектриков или полупроводникового  ¦                   ¦
¦                ¦материала                            ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Примечания:                          ¦                   ¦
¦                ¦1. По пункту 3.4.3 не контролируется ¦                   ¦
¦                ¦программное обеспечение, специально  ¦                   ¦
¦                ¦созданное для описания               ¦                   ¦
¦                ¦принципиальных схем, логического     ¦                   ¦
¦                ¦моделирования, раскладки и           ¦                   ¦
¦                ¦маршрутизации (трассировки),         ¦                   ¦
¦                ¦проверки топологии или размножения   ¦                   ¦
¦                ¦шаблонов.                            ¦                   ¦
¦                ¦2. Библиотеки, проектные атрибуты    ¦                   ¦
¦                ¦или сопутствующие данные для         ¦                   ¦
¦                ¦проектирования полупроводниковых     ¦                   ¦
¦                ¦приборов или интегральных схем       ¦                   ¦
¦                ¦рассматриваются как технология       ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.5.            ¦Технология                           ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.5.1.          ¦Технологии, в соответствии с общим   ¦                   ¦
¦                ¦технологическим примечанием          ¦                   ¦
¦                ¦предназначенные для разработки или   ¦                   ¦
¦                ¦производства оборудования            ¦                   ¦
¦                ¦или материалов, контролируемых по    ¦                   ¦
¦                ¦пунктам 3.1, 3.2 или 3.3             ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Примечание.                          ¦                   ¦
¦                ¦По пункту 3.5.1 и пункту 3.5.2 не    ¦                   ¦
¦                ¦контролируются технологии            ¦                   ¦
¦                ¦разработки или производства:         ¦                   ¦
¦                ¦а) микроволновых транзисторов,       ¦                   ¦
¦                ¦работающих на частотах ниже 31 ГГц;  ¦                   ¦
¦                ¦б) интегральных схем,                ¦                   ¦
¦                ¦контролируемых по пунктам            ¦                   ¦
¦                ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.12, имеющих оба  ¦                   ¦
¦                ¦нижеперечисленных признака:          ¦                   ¦
¦                ¦1) использующие проектные нормы      ¦                   ¦
¦                ¦0,7 мкм или выше; и                  ¦                   ¦
¦                ¦2) не содержащие многослойных        ¦                   ¦
¦                ¦структур                             ¦                   ¦
¦                ¦                                     ¦                   ¦
¦                ¦Техническое примечание.              ¦                   ¦
¦                ¦Термин "многослойные структуры" в    ¦                   ¦
¦                ¦подпункте 2 пункта "б" примечания не ¦                   ¦
¦                ¦включает приборы, содержащие         ¦                   ¦
¦                ¦максимум два металлических слоя и    ¦                   ¦
¦                ¦два слоя поликремния                 ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.5.2.          ¦Технологии, соответствующие          ¦                   ¦
¦                ¦общему технологическому примечанию,  ¦                   ¦
¦                ¦другие, чем те, которые              ¦                   ¦
¦                ¦контролируются по пункту 3.5.1,      ¦                   ¦
¦                ¦для разработки или производства      ¦                   ¦
¦                ¦микропроцессорных микросхем,         ¦                   ¦
¦                ¦микрокомпьютерных микросхем          ¦                   ¦
¦                ¦и микросхем микроконтроллеров,       ¦                   ¦
¦                ¦имеющих совокупную теоретическую     ¦                   ¦
¦                ¦производительность (СТП) 530 Мтопс   ¦                   ¦
¦                ¦или более и арифметико-логическое    ¦                   ¦
¦                ¦устройство с длиной выборки 32 бита  ¦                   ¦
¦                ¦или более                            ¦                   ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.5.3.          ¦Прочие технологии для разработки     ¦                   ¦
¦                ¦или производства:                    ¦                   ¦

Стр.1 ... | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | ... Стр.31

карта новых документов

Разное

При полном или частичном использовании материалов сайта ссылка на pravo.levonevsky.org обязательна

© 2006-2017г. www.levonevsky.org

TopList

Законодательство Беларуси и других стран

Законодательство России кодексы, законы, указы (изьранное), постановления, архив


Законодательство Республики Беларусь по дате принятия:

2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 2002 2001 2000 до 2000 года

Защита прав потребителя
ЗОНА - специальный проект

Бюллетень "ПРЕДПРИНИМАТЕЛЬ" - о предпринимателях.



Новые документы




NewsBY.org. News of Belarus

UK Laws - Legal Portal

Legal portal of Belarus

Russian Business

The real estate of Russia

Valery Levaneuski. Personal website of the Belarus politician, the former political prisoner