Постановление Министерства иностранных дел Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 15.08.2002 N 8/73 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"
Документ утратил силу
Архив ноябрь 2011 года
<< Назад |
<<< Главная страница
Стр. 16
Стр.1 ... | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | ... Стр.31 ¦ ¦СВЧ, содержащие лампы, ¦ ¦
¦ ¦контролируемые по пункту 3.1.1.2, и ¦ ¦
¦ ¦имеющие все следующие ¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) рабочие частоты свыше 3 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) среднюю плотность выходной ¦ ¦
¦ ¦мощности, превышающую 80 Вт/кг; и ¦ ¦
¦ ¦в) объем менее 400 куб.см ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.1.2.8 не ¦ ¦
¦ ¦контролируется аппаратура, ¦ ¦
¦ ¦спроектированная для работы в любом ¦ ¦
¦ ¦диапазоне частот, распределенном ¦ ¦
¦ ¦Международным союзом электросвязи ¦ ¦
¦ ¦для обслуживания радиосвязи, но не ¦ ¦
¦ ¦для радиоопределения ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.3. ¦Приборы на акустических волнах и ¦ ¦
¦ ¦специально спроектированные для них ¦ ¦
¦ ¦компоненты, такие, как: ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.3.1. ¦Приборы на поверхностных ¦8541 60 000 0 ¦
¦ ¦акустических волнах и на ¦ ¦
¦ ¦акустических волнах в тонкой ¦ ¦
¦ ¦подложке (т.е. приборы для обработки ¦ ¦
¦ ¦сигналов, использующие упругие волны ¦ ¦
¦ ¦в материале), имеющие любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) несущую частоту более 2,5 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦б) несущую частоту более 1 ГГц, но ¦ ¦
¦ ¦не превышающую 2,5 ГГц, и ¦ ¦
¦ ¦дополнительно имеющие любую ¦ ¦
¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) частотное подавление боковых ¦ ¦
¦ ¦лепестков диаграммы направленности ¦ ¦
¦ ¦более 55 дБ; ¦ ¦
¦ ¦2) произведение максимального ¦ ¦
¦ ¦времени задержки (в мкс) на ширину ¦ ¦
¦ ¦полосы частот (в МГц) более 100; ¦ ¦
¦ ¦3) ширину полосы частот более ¦ ¦
¦ ¦250 МГц; или ¦ ¦
¦ ¦4) задержку рассеяния, превышающую ¦ ¦
¦ ¦10 мкс; или ¦ ¦
¦ ¦в) несущую частоту от 1 ГГц и менее ¦ ¦
¦ ¦и дополнительно имеющие любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) произведение максимального ¦ ¦
¦ ¦времени задержки (в мкс) на ширину ¦ ¦
¦ ¦полосы частот (в МГц) более 100; ¦ ¦
¦ ¦2) задержку рассеяния, превышающую ¦ ¦
¦ ¦10 мкс; или ¦ ¦
¦ ¦3) частотное подавление боковых ¦ ¦
¦ ¦лепестков диаграммы направленности ¦ ¦
¦ ¦более 55 дБ и ширину полосы частот, ¦ ¦
¦ ¦превышающую 50 МГц; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.3.2. ¦Приборы на объемных акустических ¦8541 60 000 0 ¦
¦ ¦волнах (т.е. приборы для обработки ¦ ¦
¦ ¦сигналов, использующие упругие волны ¦ ¦
¦ ¦в материале), обеспечивающие ¦ ¦
¦ ¦непосредственную обработку сигналов ¦ ¦
¦ ¦на частотах свыше 1 ГГц; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.3.3. ¦Акустооптические приборы обработки ¦8541 60 000 0 ¦
¦ ¦сигналов, использующие ¦ ¦
¦ ¦взаимодействие между акустическими ¦ ¦
¦ ¦волнами (объемными или ¦ ¦
¦ ¦поверхностными) и световыми волнами, ¦ ¦
¦ ¦что позволяет непосредственно ¦ ¦
¦ ¦обрабатывать сигналы или ¦ ¦
¦ ¦изображения, включая анализ спектра, ¦ ¦
¦ ¦корреляцию или свертку ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.4. ¦Электронные приборы и схемы, ¦8540; ¦
¦ ¦содержащие компоненты, изготовленные ¦8541; ¦
¦ ¦из сверхпроводящих материалов, ¦8542; ¦
¦ ¦специально спроектированные для ¦8543 ¦
¦ ¦работы при температурах ниже ¦ ¦
¦ ¦критической температуры хотя бы одной¦ ¦
¦ ¦из сверхпроводящих составляющих, ¦ ¦
¦ ¦имеющие хотя бы один из следующих ¦ ¦
¦ ¦признаков: ¦ ¦
¦ ¦а) токовые переключатели для цифровых¦ ¦
¦ ¦схем, использующие сверхпроводящие ¦ ¦
¦ ¦вентили, у которых произведение ¦ ¦
¦ ¦времени задержки на вентиль (в ¦ ¦
¦ ¦секундах) на рассеяние мощности на ¦ ¦
¦ ¦ -14 ¦ ¦
¦ ¦вентиль (в ваттах) ниже 10 Дж; ¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦б) селекцию частоты на всех ¦ ¦
¦ ¦частотах с использованием ¦ ¦
¦ ¦резонансных контуров с ¦ ¦
¦ ¦добротностью, превышающей 10000 ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.5. ¦Нижеперечисленные накопители энергии:¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.5.1. ¦Батареи и батареи на ¦8506; ¦
¦ ¦фотоэлектрических элементах, ¦8507; ¦
¦ ¦такие, как: ¦из ¦
¦ ¦а) первичные элементы и батареи с ¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦плотностью энергии свыше 480 Вт ч/кг ¦ ¦
¦ ¦и пригодные по техническим условиям ¦ ¦
¦ ¦для работы в диапазоне температур от ¦ ¦
¦ ¦243 K (-30 град. C) и ниже до 343 K ¦ ¦
¦ ¦(70 град. C) и выше ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Плотность энергии определяется путем ¦ ¦
¦ ¦умножения средней мощности в ваттах ¦ ¦
¦ ¦(произведение среднего напряжения в ¦ ¦
¦ ¦вольтах на средний ток в амперах) на ¦ ¦
¦ ¦длительность цикла разряда в часах, ¦ ¦
¦ ¦при котором напряжение на ¦ ¦
¦ ¦разомкнутых клеммах падает до 75% от ¦ ¦
¦ ¦номинала, и деления полученного ¦ ¦
¦ ¦произведения на общую массу элемента ¦ ¦
¦ ¦(или батареи) в кг; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦б) подзаряжаемые элементы и батареи ¦ ¦
¦ ¦с плотностью энергии свыше ¦ ¦
¦ ¦150 Вт ч/кг после 75 циклов ¦ ¦
¦ ¦заряда-разряда при токе разряда, ¦ ¦
¦ ¦равном С/5 ч (С - номинальная ¦ ¦
¦ ¦емкость в ампер-часах), при работе в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне температур от 253 K ¦ ¦
¦ ¦(-20 град. C) и ниже до 333 K ¦ ¦
¦ ¦(60 град. C) и выше; ¦ ¦
¦ ¦в) батареи, по техническим условиям ¦ ¦
¦ ¦годные для применения в космосе, и ¦ ¦
¦ ¦радиационно стойкие батареи на ¦ ¦
¦ ¦фотоэлектрических элементах с ¦ ¦
¦ ¦удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м ¦ ¦
¦ ¦при рабочей температуре 301 K ¦ ¦
¦ ¦(28 град. C) и вольфрамовом ¦ ¦
¦ ¦источнике, нагретом до 2800 K ¦ ¦
¦ ¦(2527 град. C) и создающем ¦ ¦
¦ ¦энергетическую освещенность ¦ ¦
¦ ¦1 кВт/кв.м ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.1.5.1 не ¦ ¦
¦ ¦контролируются батареи объемом ¦ ¦
¦ ¦27 куб.см и меньше (например, ¦ ¦
¦ ¦стандартные угольные элементы или ¦ ¦
¦ ¦батареи типа R14); ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.5.2. ¦Накопители большой энергии, ¦8506; ¦
¦ ¦такие, как: ¦8507; ¦
¦ ¦а) накопители с частотой повторения ¦8532 ¦
¦ ¦менее 10 Гц (одноразовые ¦ ¦
¦ ¦накопители), имеющие все следующие ¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦1) номинальное напряжение 5 кВ или ¦ ¦
¦ ¦более; ¦ ¦
¦ ¦2) плотность энергии 250 Дж/кг или ¦ ¦
¦ ¦более; и ¦ ¦
¦ ¦3) общую энергию 25 кДж или более; ¦ ¦
¦ ¦б) накопители с частотой повторения ¦ ¦
¦ ¦10 Гц и более (многоразовые ¦ ¦
¦ ¦накопители), имеющие все следующие ¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦1) номинальное напряжение не менее ¦ ¦
¦ ¦5 кВ; ¦ ¦
¦ ¦2) плотность энергии не менее ¦ ¦
¦ ¦50 Дж/кг; ¦ ¦
¦ ¦3) общую энергию не менее 100 Дж; и ¦ ¦
¦ ¦4) количество циклов заряда-разряда ¦ ¦
¦ ¦не менее 10000; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.5.3. ¦Сверхпроводящие электромагниты и ¦8505 19 900 0 ¦
¦ ¦соленоиды, специально ¦ ¦
¦ ¦спроектированные на полный заряд или ¦ ¦
¦ ¦разряд менее чем за одну секунду, ¦ ¦
¦ ¦имеющие все нижеперечисленные ¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) энергию, выделяемую при разряде, ¦ ¦
¦ ¦превышающую 10 кДж за первую ¦ ¦
¦ ¦секунду; ¦ ¦
¦ ¦б) внутренний диаметр токопроводящих ¦ ¦
¦ ¦обмоток более 250 мм; и ¦ ¦
¦ ¦в) номинальную магнитную индукцию ¦ ¦
¦ ¦свыше 8 Т или суммарную плотность ¦ ¦
¦ ¦тока в обмотке больше 300 А/кв.мм ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.1.5.3 не ¦ ¦
¦ ¦контролируются сверхпроводящие ¦ ¦
¦ ¦электромагниты или соленоиды, ¦ ¦
¦ ¦специально спроектированные для ¦ ¦
¦ ¦медицинской аппаратуры ¦ ¦
¦ ¦магниторезонансной томографии ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.1.6. ¦Вращающиеся преобразователи ¦9031 80 340 0 ¦
¦ ¦абсолютного углового положения вала ¦ ¦
¦ ¦в код, имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) разрешение лучше 1/265000 от ¦ ¦
¦ ¦полного диапазона (18 бит); или ¦ ¦
¦ ¦б) точность лучше +/- 2,5 угл.с ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2. ¦Нижеперечисленная электронная ¦ ¦
¦ ¦аппаратура общего назначения: ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.1. ¦Записывающая аппаратура и ¦ ¦
¦ ¦специально разработанная ¦ ¦
¦ ¦измерительная магнитная лента ¦ ¦
¦ ¦для нее, такие, как: ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.1.1. ¦Накопители на магнитной ленте для ¦8520 39 900 0; ¦
¦ ¦аналоговой аппаратуры, включая ¦8520 90 900 0; ¦
¦ ¦аппаратуру с возможностью записи ¦8521 10 300 0; ¦
¦ ¦цифровых сигналов (например, ¦8521 10 800 0 ¦
¦ ¦использующие модуль цифровой записи ¦ ¦
¦ ¦высокой плотности), имеющие любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) полосу частот, превышающую 4 МГц ¦ ¦
¦ ¦на электронный канал или дорожку; ¦ ¦
¦ ¦б) полосу частот, превышающую 2 МГц ¦ ¦
¦ ¦на электронный канал или дорожку, ¦ ¦
¦ ¦при числе дорожек более 42; или ¦ ¦
¦ ¦в) ошибку рассогласования (основную) ¦ ¦
¦ ¦временной шкалы, измеренную по ¦ ¦
¦ ¦методикам соответствующих ¦ ¦
¦ ¦руководящих материалов ¦ ¦
¦ ¦Межведомственного совета по ¦ ¦
¦ ¦радиопромышленности (IRIG) или ¦ ¦
¦ ¦Ассоциации электронной промышленности¦ ¦
¦ ¦(EIA), менее +/- 0,1 мкс ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Аналоговые видеомагнитофоны, ¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для ¦ ¦
¦ ¦гражданского применения, не ¦ ¦
¦ ¦рассматриваются как записывающая ¦ ¦
¦ ¦аппаратура; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.1.2. ¦Цифровые видеомагнитофоны, ¦8521 10; ¦
¦ ¦имеющие максимальную пропускную ¦8521 90 000 0 ¦
¦ ¦способность цифрового интерфейса ¦ ¦
¦ ¦свыше 360 Мбит/с; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.2.1.2 не ¦ ¦
¦ ¦контролируются цифровые ¦ ¦
¦ ¦видеомагнитофоны, специально ¦ ¦
¦ ¦спроектированные для телевизионной ¦ ¦
¦ ¦записи, использующие формат сигнала, ¦ ¦
¦ ¦который может включать сжатие ¦ ¦
¦ ¦формата сигнала, стандартизированный ¦ ¦
¦ ¦или рекомендуемый для применения ¦ ¦
¦ ¦в гражданском телевидении ¦ ¦
¦ ¦Международным союзом электросвязи, ¦ ¦
¦ ¦Международной электротехнической ¦ ¦
¦ ¦комиссией, Организацией инженеров по ¦ ¦
¦ ¦развитию кино и телевидения, ¦ ¦
¦ ¦Европейским союзом радиовещания или ¦ ¦
¦ ¦Институтом инженеров по ¦ ¦
¦ ¦электротехнике и радиоэлектронике; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.1.3. ¦Накопители на магнитной ленте для ¦8521 10 ¦
¦ ¦цифровой аппаратуры, использующие ¦ ¦
¦ ¦принципы спирального сканирования ¦ ¦
¦ ¦или принципы фиксированной головки и ¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную пропускную ¦ ¦
¦ ¦способность цифрового интерфейса ¦ ¦
¦ ¦более 175 Мбит/с; или ¦ ¦
¦ ¦б) годные для применения в космосе ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.2.1.3 не ¦ ¦
¦ ¦контролируются аналоговые накопители ¦ ¦
¦ ¦на магнитной ленте, оснащенные ¦ ¦
¦ ¦электронными блоками для ¦ ¦
¦ ¦преобразования в цифровую запись ¦ ¦
¦ ¦высокой плотности и предназначенные ¦ ¦
¦ ¦для записи только цифровых данных; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.1.4. ¦Аппаратура с максимальной ¦8521 90 000 0 ¦
¦ ¦пропускной способностью цифрового ¦ ¦
¦ ¦интерфейса свыше 175 Мбит/с, ¦ ¦
¦ ¦спроектированная в целях переделки ¦ ¦
¦ ¦цифровых видеомагнитофонов для ¦ ¦
¦ ¦использования их как устройств ¦ ¦
¦ ¦записи данных цифровой аппаратуры; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.1.5. ¦Приборы для преобразования ¦8543 89 950 0 ¦
¦ ¦сигналов в цифровую форму и записи ¦ ¦
¦ ¦переходных процессов, имеющие все ¦ ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) скорость преобразования в ¦ ¦
¦ ¦цифровую форму не менее 200 млн.проб ¦ ¦
¦ ¦в секунду и разрешение 10 или более ¦ ¦
¦ ¦проб в секунду; и ¦ ¦
¦ ¦б) пропускную способность не менее ¦ ¦
¦ ¦2 Гбит/с ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для таких приборов с архитектурой на ¦ ¦
¦ ¦параллельной шине пропускная ¦ ¦
¦ ¦способность есть произведение ¦ ¦
¦ ¦наибольшего объема слов на ¦ ¦
¦ ¦количество бит в слове. Пропускная ¦ ¦
¦ ¦способность - это наивысшая скорость ¦ ¦
¦ ¦передачи данных аппаратуры, с ¦ ¦
¦ ¦которой информация поступает в ¦ ¦
¦ ¦запоминающее устройство без потерь ¦ ¦
¦ ¦при сохранении скорости выборки и ¦ ¦
¦ ¦аналого-цифрового преобразования; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.2. ¦Электронные сборки синтезаторов ¦8543 20 000 0 ¦
¦ ¦частоты, имеющие время переключения ¦ ¦
¦ ¦с одной заданной частоты на ¦ ¦
¦ ¦другую менее 1 мс; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.3. ¦Анализаторы сигналов: ¦9030 83 900 0; ¦
¦ ¦а) способные анализировать частоты, ¦9030 89 920 0 ¦
¦ ¦превышающие 31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) динамические анализаторы сигналов ¦ ¦
¦ ¦с полосой пропускания в реальном ¦ ¦
¦ ¦времени, превышающей 500 кГц; ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По подпункту "б" пункта 3.1.2.3 не ¦ ¦
¦ ¦контролируются динамические ¦ ¦
¦ ¦анализаторы сигналов, использующие ¦ ¦
¦ ¦только фильтры с полосой пропускания ¦ ¦
¦ ¦фиксированных долей (известны также ¦ ¦
¦ ¦как октавные или дробно-октавные ¦ ¦
¦ ¦фильтры) ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.4. ¦Генераторы сигналов ¦8543 20 000 0 ¦
¦ ¦синтезированных частот, формирующие ¦ ¦
¦ ¦выходные частоты с управлением по ¦ ¦
¦ ¦параметрам точности, кратковременной ¦ ¦
¦ ¦и долговременной стабильности ¦ ¦
¦ ¦на основе или с помощью внутренней ¦ ¦
¦ ¦эталонной частоты, имеющие любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную синтезируемую ¦ ¦
¦ ¦частоту более 31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) время переключения с одной ¦ ¦
¦ ¦заданной частоты на другую менее ¦ ¦
¦ ¦1 мс; или ¦ ¦
¦ ¦в) фазовый шум одной боковой полосы ¦ ¦
¦ ¦лучше -(126 + 20lgF - 20lgf) в ¦ ¦
¦ ¦единицах дБ x с/Гц, где F - смещение ¦ ¦
¦ ¦рабочей частоты в Гц, а f - рабочая ¦ ¦
¦ ¦частота в МГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.2.4 не контролируется ¦ ¦
¦ ¦аппаратура, в которой выходная ¦ ¦
¦ ¦частота создается либо путем ¦ ¦
¦ ¦сложения или вычитания частот с двух ¦ ¦
¦ ¦или более кварцевых генераторов, ¦ ¦
¦ ¦либо путем сложения или вычитания с ¦ ¦
¦ ¦последующим умножением ¦ ¦
¦ ¦результирующей частоты; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.5. ¦Сетевые анализаторы с ¦9030 40 900 0 ¦
¦ ¦максимальной рабочей частотой, ¦ ¦
¦ ¦превышающей 40 ГГц; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.6. ¦Микроволновые приемники-тестеры, ¦8527 90 980 0 ¦
¦ ¦имеющие все следующие ¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную рабочую частоту, ¦ ¦
¦ ¦превышающую 40 ГГц; и ¦ ¦
¦ ¦б) способные одновременно измерять ¦ ¦
¦ ¦амплитуду и фазу; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.1.2.7. ¦Атомные эталоны частоты, имеющие ¦8543 20 000 0 ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) долговременную стабильность ¦ ¦
¦ ¦ -11 ¦ ¦
¦ ¦(старение) менее (лучше) 10 в ¦ ¦
¦ ¦месяц; или ¦ ¦
¦ ¦б) годные для применения в космосе ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не ¦ ¦
¦ ¦контролируются рубидиевые стандарты, ¦ ¦
¦ ¦не предназначенные для космического ¦ ¦
¦ ¦применения ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2. ¦Испытательное, контрольное и ¦ ¦
¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1. ¦Нижеперечисленное оборудование для ¦ ¦
¦ ¦производства полупроводниковых ¦ ¦
¦ ¦приборов или материалов и специально ¦ ¦
¦ ¦разработанные компоненты и ¦ ¦
¦ ¦оснастка для них: ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.1. ¦Установки, управляемые встроенной ¦ ¦
¦ ¦программой, предназначенные для ¦ ¦
¦ ¦эпитаксиального выращивания, ¦ ¦
¦ ¦такие, как: ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.1.1. ¦Установки, способные выдерживать ¦8479 89 650 0 ¦
¦ ¦толщину слоя с отклонением не более ¦ ¦
¦ ¦+/- 2,5% на протяжении 75 мм или ¦ ¦
¦ ¦более; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.1.2. ¦Установки химического осаждения ¦8419 89 200 0 ¦
¦ ¦паров металлорганических соединений, ¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для ¦ ¦
¦ ¦выращивания кристаллов сложных ¦ ¦
¦ ¦полупроводников с помощью химических ¦ ¦
¦ ¦реакций между материалами, которые ¦ ¦
¦ ¦контролируются по пункту 3.3.3 или ¦ ¦
¦ ¦3.3.4; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.1.3. ¦Молекулярно-лучевые установки ¦8479 89 650 0; ¦
¦ ¦эпитаксиального выращивания, ¦8543 89 700 0 ¦
¦ ¦использующие газовые или твердые ¦ ¦
¦ ¦источники ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.2. ¦Установки, управляемые встроенной ¦8543 11 000 0 ¦
¦ ¦программой, специально ¦ ¦
¦ ¦предназначенные для ионной ¦ ¦
¦ ¦имплантации, имеющие любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) энергию излучения (ускоряющее ¦ ¦
¦ ¦напряжение) свыше 1 МэВ; ¦ ¦
¦ ¦б) специально спроектированные ¦ ¦
¦ ¦и оптимизированные для работы с ¦ ¦
¦ ¦энергией излучения (ускоряющим ¦ ¦
¦ ¦напряжением) ниже 2 кэВ; ¦ ¦
¦ ¦в) обладающие способностью ¦ ¦
¦ ¦непосредственной записи; или ¦ ¦
¦ ¦г) пригодные для ¦ ¦
¦ ¦высокоэнергетической имплантации ¦ ¦
¦ ¦кислорода в нагретую подложку ¦ ¦
¦ ¦полупроводникового материала; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.3. ¦Установки сухого травления ¦8456 91 000 0; ¦
¦ ¦анизотропной плазмой, управляемые ¦8456 99 800 0 ¦
¦ ¦встроенной программой: ¦ ¦
¦ ¦а) с покассетной обработкой пластин ¦ ¦
¦ ¦и загрузкой через загрузочные шлюзы, ¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) разработанные или ¦ ¦
¦ ¦оптимизированные для производства ¦ ¦
¦ ¦структур с критической величиной ¦ ¦
¦ ¦отклонения размера 0,3 мкм или менее ¦ ¦
¦ ¦при среднеквадратичной погрешности ¦ ¦
¦ ¦3s= +/- 5%; или ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦------------------------ ¦
¦s - греческая буква "сигма". ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦ ¦2) разработанные для обеспечения ¦ ¦
¦ ¦дефектности поверхности менее 0,04 ¦ ¦
¦ ¦частицы на кв.см для частиц ¦ ¦
¦ ¦размером более 0,1 мкм в диаметре; ¦ ¦
¦ ¦б) специально спроектированные ¦ ¦
¦ ¦для оборудования, контролируемого по ¦ ¦
¦ ¦пункту 3.2.1.5, и имеющие любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) разработанные или ¦ ¦
¦ ¦оптимизированные для производства ¦ ¦
¦ ¦структур с критической величиной ¦ ¦
¦ ¦отклонения размера 0,3 мкм или менее ¦ ¦
¦ ¦при среднеквадратичной погрешности ¦ ¦
¦ ¦3s = +/- 5%; или ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦------------------------ ¦
¦s - греческая буква "сигма". ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦ ¦2) разработанные для обеспечения ¦ ¦
¦ ¦дефектности поверхности менее 0,04 ¦ ¦
¦ ¦частицы на кв.см для частиц ¦ ¦
¦ ¦размером более 0,1 мкм в диаметре; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.4. ¦Установки химического парофазового ¦8419 89 200 0; ¦
¦ ¦осаждения и плазменной стимуляции, ¦8419 89 300 0 ¦
¦ ¦управляемые встроенной программой: ¦ ¦
¦ ¦а) с покассетной обработкой пластин ¦ ¦
¦ ¦и загрузкой через загрузочные шлюзы, ¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) разработанные в соответствии с ¦ ¦
¦ ¦техническими условиями ¦ ¦
¦ ¦производителя или оптимизированные ¦ ¦
¦ ¦для производства структур с ¦ ¦
¦ ¦критической величиной отклонения ¦ ¦
¦ ¦размера 0,3 мкм или менее при ¦ ¦
¦ ¦среднеквадратичной погрешности ¦ ¦
¦ ¦3s = +/- 5%; или ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦------------------------ ¦
¦s - греческая буква "сигма". ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦ ¦2) разработанные для обеспечения ¦ ¦
¦ ¦дефектности поверхности менее 0,04 ¦ ¦
¦ ¦частицы на кв.см для частиц ¦ ¦
¦ ¦размером более 0,1 мкм в диаметре; ¦ ¦
¦ ¦б) специально спроектированные ¦ ¦
¦ ¦для оборудования, контролируемого по ¦ ¦
¦ ¦пункту 3.2.1.5, имеющие любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦1) разработанные в соответствии с ¦ ¦
¦ ¦техническими условиями ¦ ¦
¦ ¦производителя или оптимизированные ¦ ¦
¦ ¦для производства структур с ¦ ¦
¦ ¦критической величиной отклонения ¦ ¦
¦ ¦размера 0,3 мкм или менее при ¦ ¦
¦ ¦среднеквадратичной погрешности ¦ ¦
¦ ¦3s = +/- 5%; или ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦------------------------ ¦
¦s - греческая буква "сигма". ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦ ¦2) разработанные для обеспечения ¦ ¦
¦ ¦дефектности поверхности менее 0,04 ¦ ¦
¦ ¦частицы на кв.см для частиц ¦ ¦
¦ ¦размером более 0,1 мкм в диаметре; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.5. ¦Управляемые встроенной программой ¦8456 10; ¦
¦ ¦автоматически загружаемые ¦8456 91 000 0; ¦
¦ ¦многокамерные системы с центральной ¦8456 99 800 0; ¦
¦ ¦загрузкой пластин, имеющие все ¦8456 99 300 0; ¦
¦ ¦следующие составляющие: ¦8479 50 000 0 ¦
¦ ¦а) интерфейсы для загрузки и ¦ ¦
¦ ¦выгрузки пластин, к которым ¦ ¦
¦ ¦присоединяется более двух единиц ¦ ¦
¦ ¦оборудования для обработки ¦ ¦
¦ ¦полупроводников; и ¦ ¦
¦ ¦б) предназначенные для ¦ ¦
¦ ¦интегрированной системы ¦ ¦
¦ ¦последовательной многопозиционной ¦ ¦
¦ ¦обработки пластин в вакуумной среде ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.2.1.5 не контролируются ¦ ¦
¦ ¦автоматические робототехнические ¦ ¦
¦ ¦системы загрузки пластин, не ¦ ¦
¦ ¦предназначенные для работы в вакууме ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.6. ¦Установки литографии, управляемые ¦ ¦
¦ ¦встроенной программой, такие, как: ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.6.1. ¦Установки многократного совмещения ¦9009 22 000 0 ¦
¦ ¦и экспонирования (прямого ¦ ¦
¦ ¦последовательного шагового ¦ ¦
¦ ¦экспонирования) или шагового ¦ ¦
¦ ¦сканирования (сканеры) для обработки ¦ ¦
¦ ¦пластин методом фотооптической или ¦ ¦
¦ ¦рентгеновской литографии, имеющие ¦ ¦
¦ ¦любую из следующих составляющих: ¦ ¦
¦ ¦а) источник света с длиной волны ¦ ¦
¦ ¦короче 350 нм; или ¦ ¦
¦ ¦б) способность воспроизводить ¦ ¦
¦ ¦рисунок с минимальным размером ¦ ¦
¦ ¦разрешения от 0,5 мкм и менее ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦
¦ ¦Минимальный размер разрешения (МРР) ¦ ¦
¦ ¦рассчитывается по следующей формуле: ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ (экспозиция источника ¦ ¦
¦ ¦ освещения с длиной волны в ¦ ¦
¦ ¦ мкм) x (К фактор) ¦ ¦
¦ ¦МРР = ----------------------------, ¦ ¦
¦ ¦ цифровая апертура ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦где К фактор = 0,7; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.6.2. ¦Установки, специально ¦8456 10; ¦
¦ ¦спроектированные для производства ¦8456 99 ¦
¦ ¦шаблонов или обработки ¦ ¦
¦ ¦полупроводниковых приборов с ¦ ¦
¦ ¦использованием отклоняемого ¦ ¦
¦ ¦фокусируемого электронного луча, ¦ ¦
¦ ¦пучка ионов или лазерного луча, ¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) размер пятна менее 0,2 мкм; ¦ ¦
¦ ¦б) способность производить рисунок ¦ ¦
¦ ¦с минимальными разрешенными ¦ ¦
¦ ¦проектными нормами менее 1 мкм; или ¦ ¦
¦ ¦в) точность совмещения лучше ¦ ¦
¦ ¦+/- 0,20 мкм (3 сигма) ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.7. ¦Шаблоны или промежуточные ¦ ¦
¦ ¦фотошаблоны, разработанные ¦ ¦
¦ ¦для интегральных схем, ¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.1; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.1.8. ¦Многослойные шаблоны с ¦9010 90 ¦
¦ ¦фазосдвигающим слоем ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.2. ¦Аппаратура испытаний, управляемая ¦ ¦
¦ ¦встроенной программой, специально ¦ ¦
¦ ¦спроектированная для испытания ¦ ¦
¦ ¦готовых или находящихся в разной ¦ ¦
¦ ¦степени изготовления ¦ ¦
¦ ¦полупроводниковых приборов, ¦ ¦
¦ ¦и специально спроектированные ¦ ¦
¦ ¦компоненты и приспособления для нее: ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.2.1. ¦Для измерения S-параметров ¦9031 80 390 0 ¦
¦ ¦транзисторных приборов на частотах ¦ ¦
¦ ¦свыше 31 ГГц; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.2.2. ¦Для испытаний интегральных схем, ¦9031 80 390 0 ¦
¦ ¦способная выполнять функциональное ¦ ¦
¦ ¦тестирование (по таблицам ¦ ¦
¦ ¦истинности) с частотой тестирования ¦ ¦
¦ ¦строк более 333 МГц ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.2.2.2 не ¦ ¦
¦ ¦контролируется аппаратура ¦ ¦
¦ ¦испытаний, специально ¦ ¦
¦ ¦спроектированная для испытаний: ¦ ¦
¦ ¦а) электронных сборок или класса ¦ ¦
¦ ¦электронных сборок для бытовой или ¦ ¦
¦ ¦игровой электронной аппаратуры; ¦ ¦
¦ ¦б) неконтролируемых электронных ¦ ¦
¦ ¦компонентов, электронных сборок или ¦ ¦
¦ ¦интегральных схем; ¦ ¦
¦ ¦в) запоминающих устройств ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для целей этого пункта оценочной ¦ ¦
¦ ¦характеристикой является ¦ ¦
¦ ¦максимальная частота цифрового ¦ ¦
¦ ¦режима работы тестера, поэтому она ¦ ¦
¦ ¦является эквивалентом наивысшему ¦ ¦
¦ ¦значению оценки, которое может ¦ ¦
¦ ¦обеспечить тестер во ¦ ¦
¦ ¦внемультиплексном режиме. Она также ¦ ¦
¦ ¦относится к скорости испытания, ¦ ¦
¦ ¦максимальной цифровой частоте или к ¦ ¦
¦ ¦максимальной цифровой скорости; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.2.3. ¦Для испытания микроволновых ¦9031 20 000 0; ¦
¦ ¦интегральных схем, контролируемых ¦9031 80 390 0 ¦
¦ ¦по пункту 3.1.1.2.2; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.2.2.4. ¦Исключен ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3. ¦Материалы ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.1. ¦Гетероэпитаксиальные материалы, ¦ ¦
¦ ¦состоящие из подложки с несколькими ¦ ¦
¦ ¦последовательно наращенными ¦ ¦
¦ ¦эпитаксиальными слоями, имеющими ¦ ¦
¦ ¦любую из следующих составляющих: ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.1.1. ¦Кремний; ¦3818 00 100 0; ¦
¦ ¦ ¦3818 00 900 0 ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.1.2. ¦Германий; ¦3818 00 900 0 ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.1.3. ¦Карбид кремния; или ¦3818 00 900 0 ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.1.4. ¦Соединения III/V на основе ¦3818 00 900 0 ¦
¦ ¦галлия или индия ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Соединения III/V - это ¦ ¦
¦ ¦поликристаллические или ¦ ¦
¦ ¦двухэлементные или сложные ¦ ¦
¦ ¦монокристаллические продукты, ¦ ¦
¦ ¦состоящие из элементов групп IIIA и ¦ ¦
¦ ¦VA периодической системы Менделеева ¦ ¦
¦ ¦(по отечественной классификации это ¦ ¦
¦ ¦группы A3 и B5) (арсенид галлия, ¦ ¦
¦ ¦алюмоарсенид галлия, фосфид индия и ¦ ¦
¦ ¦т.п.) ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.2. ¦Материалы резистов и подложки, ¦ ¦
¦ ¦покрытые контролируемыми резистами, ¦ ¦
¦ ¦такие, как: ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.2.1. ¦Позитивные резисты, предназначенные ¦3824 90 990 0 ¦
¦ ¦для полупроводниковой литографии, ¦ ¦
¦ ¦специально приспособленные ¦ ¦
¦ ¦(оптимизированные) для использования ¦ ¦
¦ ¦на спектральную чувствительность ¦ ¦
¦ ¦менее 350 нм; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.2.2. ¦Все резисты, предназначенные ¦3824 90 990 0 ¦
¦ ¦для использования при экспонировании ¦ ¦
¦ ¦электронными или ионными пучками, с ¦ ¦
¦ ¦чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм ¦ ¦
¦ ¦или лучше; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.2.3. ¦Все резисты, предназначенные ¦3824 90 990 0 ¦
¦ ¦для использования при экспонировании ¦ ¦
¦ ¦рентгеновскими лучами, с ¦ ¦
¦ ¦чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или ¦ ¦
¦ ¦лучше; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.2.4. ¦Все резисты, оптимизированные под ¦3824 90 990 0 ¦
¦ ¦технологии формирования рисунка, ¦ ¦
¦ ¦включая силицированные резисты ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Методы силицирования - это процессы, ¦ ¦
¦ ¦включающие оксидирование поверхности ¦ ¦
¦ ¦резиста, для повышения качества ¦ ¦
¦ ¦мокрого и сухого проявления ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.3. ¦Органо-неорганические компаунды, ¦ ¦
¦ ¦такие, как: ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.3.1. ¦Органо-металлические соединения на ¦2931 00 950 0 ¦
¦ ¦основе алюминия, галлия или индия с ¦ ¦
¦ ¦чистотой металлической основы ¦ ¦
¦ ¦свыше 99,999%; ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.3.2. ¦Органо-мышьяковистые, ¦2931 00 950 0 ¦
¦ ¦органо-сурьмянистые и ¦ ¦
¦ ¦органо-фосфорные соединения ¦ ¦
¦ ¦с чистотой органической элементной ¦ ¦
¦ ¦основы свыше 99,999% ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.3.3 контролируются ¦ ¦
¦ ¦только соединения, чей ¦ ¦
¦ ¦металлический, частично ¦ ¦
¦ ¦металлический или неметаллический ¦ ¦
¦ ¦элемент непосредственно связан с ¦ ¦
¦ ¦углеродом в органической части ¦ ¦
¦ ¦молекулы ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.3.4. ¦Гидриды фосфора, мышьяка или ¦2848 00 000 0; ¦
¦ ¦сурьмы, имеющие чистоту свыше ¦из ¦
¦ ¦99,999% даже после растворения в ¦2850 00 200 0 ¦
¦ ¦инертных газах или водороде ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.3.4 не контролируются ¦ ¦
¦ ¦гидриды, содержащие 20% и более ¦ ¦
¦ ¦молей инертных газов или водорода ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.4.1. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦
¦ ¦созданное для разработки или ¦ ¦
¦ ¦производства оборудования, ¦ ¦
¦ ¦контролируемого по пунктам ¦ ¦
¦ ¦3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2 ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.4.2. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦
¦ ¦созданное для применения в ¦ ¦
¦ ¦оборудовании, управляемом встроенной ¦ ¦
¦ ¦программой и контролируемом ¦ ¦
¦ ¦по пункту 3.2 ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.4.3. ¦Программное обеспечение систем ¦ ¦
¦ ¦автоматизированного проектирования ¦ ¦
¦ ¦(САПР),имеющее все следующие ¦ ¦
¦ ¦составляющие: ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.4.3.1. ¦Спроектировано для разработки ¦ ¦
¦ ¦полупроводниковых приборов или ¦ ¦
¦ ¦интегральных схем; и ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.4.3.2. ¦Спроектировано для выполнения или ¦ ¦
¦ ¦использования любой из следующих ¦ ¦
¦ ¦составляющих: ¦ ¦
¦ ¦а) правил проектирования или правил ¦ ¦
¦ ¦проверки схем; ¦ ¦
¦ ¦б) моделирования схем по их ¦ ¦
¦ ¦физической топологии; или ¦ ¦
¦ ¦в) имитаторов литографических ¦ ¦
¦ ¦процессов для проектирования ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Имитатор литографических процессов - ¦ ¦
¦ ¦это пакет программного обеспечения, ¦ ¦
¦ ¦используемый на этапе проектирования ¦ ¦
¦ ¦для определения последовательности ¦ ¦
¦ ¦операций литографии, травления и ¦ ¦
¦ ¦осаждения в целях воплощения ¦ ¦
¦ ¦маскирующих шаблонов в конкретные ¦ ¦
¦ ¦топологические рисунки проводников, ¦ ¦
¦ ¦диэлектриков или полупроводникового ¦ ¦
¦ ¦материала ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. По пункту 3.4.3 не контролируется ¦ ¦
¦ ¦программное обеспечение, специально ¦ ¦
¦ ¦созданное для описания ¦ ¦
¦ ¦принципиальных схем, логического ¦ ¦
¦ ¦моделирования, раскладки и ¦ ¦
¦ ¦маршрутизации (трассировки), ¦ ¦
¦ ¦проверки топологии или размножения ¦ ¦
¦ ¦шаблонов. ¦ ¦
¦ ¦2. Библиотеки, проектные атрибуты ¦ ¦
¦ ¦или сопутствующие данные для ¦ ¦
¦ ¦проектирования полупроводниковых ¦ ¦
¦ ¦приборов или интегральных схем ¦ ¦
¦ ¦рассматриваются как технология ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.5. ¦Технология ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.5.1. ¦Технологии, в соответствии с общим ¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием ¦ ¦
¦ ¦предназначенные для разработки или ¦ ¦
¦ ¦производства оборудования ¦ ¦
¦ ¦или материалов, контролируемых по ¦ ¦
¦ ¦пунктам 3.1, 3.2 или 3.3 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.5.1 и пункту 3.5.2 не ¦ ¦
¦ ¦контролируются технологии ¦ ¦
¦ ¦разработки или производства: ¦ ¦
¦ ¦а) микроволновых транзисторов, ¦ ¦
¦ ¦работающих на частотах ниже 31 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) интегральных схем, ¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пунктам ¦ ¦
¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.12, имеющих оба ¦ ¦
¦ ¦нижеперечисленных признака: ¦ ¦
¦ ¦1) использующие проектные нормы ¦ ¦
¦ ¦0,7 мкм или выше; и ¦ ¦
¦ ¦2) не содержащие многослойных ¦ ¦
¦ ¦структур ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Термин "многослойные структуры" в ¦ ¦
¦ ¦подпункте 2 пункта "б" примечания не ¦ ¦
¦ ¦включает приборы, содержащие ¦ ¦
¦ ¦максимум два металлических слоя и ¦ ¦
¦ ¦два слоя поликремния ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.5.2. ¦Технологии, соответствующие ¦ ¦
¦ ¦общему технологическому примечанию, ¦ ¦
¦ ¦другие, чем те, которые ¦ ¦
¦ ¦контролируются по пункту 3.5.1, ¦ ¦
¦ ¦для разработки или производства ¦ ¦
¦ ¦микропроцессорных микросхем, ¦ ¦
¦ ¦микрокомпьютерных микросхем ¦ ¦
¦ ¦и микросхем микроконтроллеров, ¦ ¦
¦ ¦имеющих совокупную теоретическую ¦ ¦
¦ ¦производительность (СТП) 530 Мтопс ¦ ¦
¦ ¦или более и арифметико-логическое ¦ ¦
¦ ¦устройство с длиной выборки 32 бита ¦ ¦
¦ ¦или более ¦ ¦
+----------------+-------------------------------------+-------------------+
¦3.5.3. ¦Прочие технологии для разработки ¦ ¦
¦ ¦или производства: ¦ ¦
Стр.1 ... | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | ... Стр.31
карта новых документов |