Большая бесплатная юридическая библиотека  в интернет
Загрузить Adobe Flash Player

  Главная

  Законодательство РБ

  Кодексы

  Законы других стран

  Право Украины

  Новости

  Полезные ресурсы

  Контакты

  Новости сайта

  Поиск документа


Полезные ресурсы

- Таможенный кодекс таможенного союза

- Каталог предприятий и организаций СНГ

- Законодательство Республики Беларусь по темам

- Законодательство Республики Беларусь по дате принятия

- Законодательство Республики Беларусь по органу принятия

- Законы Республики Беларусь

- Новости законодательства Беларуси

- Тюрьмы Беларуси

- Законодательство России

- Деловая Украина

- Автомобильный портал

- The legislation of the Great Britain


Правовые новости






Legal portal of Belarus

Russian Business

The real estate of Russia

Valery Levaneuski. Personal website of the Belarus politician, the former political prisoner


НАЙТИ ДОКУМЕНТ


Постановление Правительства РФ от 29.01.2007 N 54 "О федеральной целевой программе "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы"


Архив июль 2009 года

<< Назад | <<< Главная страница

Стр. 15


обеспечить большие возможности для развития всех отраслей промышленности;

создать условия для более эффективной реализации национальных проектов;

создать ориентированную на рынок инфраструктуру электронной промышленности (системоориентированные центры проектирования, дизайн-центры, специализированные производства по заказу, научно-технологический центр по микросистемотехнике);

активизировать инновационную деятельность и ускорить внедрение результатов научно-технической деятельности в массовое производство;

обеспечить возможность создания вооружения, военной и специальной техники нового поколения, что повысит обороноспособность и безопасность государства.

Реализация подпрограммы позволит на микроуровне:

обеспечить обновляемость основных фондов организаций электронной промышленности и стимулировать создание современного высокотехнологичного производства;

создать крупные и эффективные диверсифицированные структуры (холдинги, концерны), способные конкурировать с лучшими иностранными фирмами, работающими в области электроники;

организовать производство массовой интеллектуально насыщенной и конкурентоспособной высокотехнологичной радиоэлектронной продукции, разнообразных современных телекоммуникационных услуг, включая радио и телевидение.

В социально-экономической сфере:

повысится качество жизни населения благодаря интеллектуализации среды обитания и расширению возможности использования электроники и информационных систем;

увеличится число рабочих мест в электронной отрасли, снизится отток талантливой части научно-технических кадров, повысится спрос на квалифицированные научно-технические кадры, будет обеспечено привлечение молодых специалистов и ученых и улучшится возрастная структура кадров;

улучшится экологическая ситуация за счет разработки экологически чистых технологий получения и обработки электронных материалов, развития новых электронных производств с повышенными требованиями к нейтрализации и утилизации вредных веществ и отходов, создания новых поколений датчиков, сенсоров и приборов контроля вредных и опасных веществ, введения автоматизированных систем контроля и раннего предупреждения техногенных катастроф и аварий.

В бюджетной сфере будет обеспечено увеличение базы налогообложения за счет значительного повышения объема продаж изделий электронной промышленности.

Подпрограмму предполагается выполнить в соответствии с федеральной целевой программой "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы в два этапа:

I этап - 2007 - 2009 годы;

II этап - 2008 - 2011 годы.



Индикаторы и показатели реализации подпрограммы



В качестве основного показателя успешной реализации подпрограммы принимается увеличение объемов продаж электронной продукции.

В 2005 году общий объем реализованной продукции предприятий электронной промышленности составил 13 млрд. рублей. Ожидается, что в 2011 году аналогичный показатель составит около 45 млрд. рублей. Темпы роста объемов производства будут сопоставимы с мировыми показателями и соответствовать задаче новой экономической доктрины России по увеличению внутреннего валового продукта.

Индикатором реализации подпрограммы является технологический уровень освоенных в производстве сверхбольших интегральных схем (оценка проводится по величине минимального размера элемента).

Ожидается, что в 2009 году организациями электронной промышленности будет освоен технологический уровень в 0,13 мкм, что обеспечит создание производственно-технологической базы для выпуска необходимой электронной компонентной базы, соответствующей потребностям российских потребителей. Значения индикатора и показателей реализации мероприятий подпрограммы приведены в приложении N 1.



III. Перечень мероприятий подпрограммы



Мероприятия подпрограммы приведены в приложении N 2 и структурированы по следующим важнейшим направлениям развития электронной компонентной базы:

сверхвысокочастотная электроника (сверхвысокочастотные транзисторы и твердотельные микросхемы);

радиационно стойкая электронная компонентная база;

микросистемная техника;

микроэлектроника;

электронные материалы и структуры;

группы пассивной электронной компонентной базы (радиоэлектронные компоненты и приборы опто- и фотоэлектроники, пьезо- и магнитоэлектроники, квантовой электроники, а также установочные изделия);

обеспечивающие работы (комплекс научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по управлению подпрограммой, анализу выполненных работ, оптимизации состава выполняемых работ, проведению конкурсного отбора, а также по разработке и реализации информационно-аналитической системы обеспечения программно-целевого подхода к развитию электронной техники, по созданию и внедрению комплекса стандартов надежности и качества электронной компонентной базы, экологической безопасности).

В рамках направления 1 "Сверхвысокочастотная электроника" предусмотрено выполнение комплекса мероприятий подпрограммы в следующих целях:

разработка базовых технологий производства мощных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов L и S частотных диапазонов для систем радиолокации с использованием активных фазированных антенных решеток и систем связи;

развитие технологий сверхвысокочастотных транзисторов и монолитных сверхвысокочастотных микросхем на гетероструктурах и широкозонных полупроводниках и организация их опытного производства;

организация опытно-технологической производственной линии изготовления сверхвысокочастотных транзисторов частотного диапазона до 150 ГГц для перспективных систем связи и локации;

разработка базовой технологии, базовых конструкций и организация выпуска новых типов магнитоэлектрических сверхвысокочастотных приборов;

разработка систем автоматизированного проектирования сверхвысокочастотных приборов, монолитных сверхвысокочастотных микросхем, сверхширокополосных твердотельных мощных сверхвысокочастотных модулей, приемо-передающих модулей на основе унифицированного конструктивно-технологического базиса и библиотек стандартных элементов.

Указанное направление определяет весь комплекс работ, выполнение которых обеспечит создание к 2012 году серийных образцов активных антенных фазированных решеток для радиолокаторов наземного, корабельного, воздушного и космического базирования для перспективных средств противоздушной обороны, воздушной и космической разведки, управления и связи, а также создание производственных мощностей для серийного производства специальной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы и приемо-передающих модулей.

Сверхвысокочастотная электронная компонентная база востребована в аппаратуре сотовых (спутниковых, воздушных и наземных носителей) интерактивных телекоммуникаций в сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн, на основе которых создаются принципиально новые стратегические системы передачи информации и управления. Роль этих систем будет настолько велика, что блокирование их деятельности или несанкционированный доступ приведет к ущербу в государственном масштабе, который сегодня вряд ли можно оценить. Поэтому аппаратура сотовых интерактивных телекоммуникаций должна и может создаваться только на отечественной твердотельной сверхвысокочастотной электронной компонентной базе.

Массовое применение сверхвысокочастотной электронной компонентной базы возможно и в гражданской сфере: в цифровом телевидении, в домашней и учрежденческой беспроводной информационно-управляющей сети, в автомобильных радарах для автоматической парковки, предупреждения столкновений и автопилотирования.

Подпрограмма предусматривает мероприятия по разработке:

технологии производства мощных транзисторов и монолитных сверхвысокочастотных микросхем на основе гетероструктур материалов группы A3B5, объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X диапазона;

базовой технологии производства мощных полупроводниковых приборов и монолитных интегральных систем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур;

базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний-германий";

базовой технологии изготовления сверхвысокочастотных транзисторов и интегральных схем на широкозонных материалах;

базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X, C, S, L и P диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью;

базовых технологий производства и конструктивного ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов;

технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и монолитных интегральных систем X, C, S, L и P диапазонов для их массового производства;

базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных малогабаритных модулей с улучшенными массогабаритными и спектральными характеристиками для перспективных радиоэлектронных систем двойного применения;

технологии изготовления сверхбыстродействующих приборов (до 150 ГГц) на наногетероструктурах с квантовыми дефектами;

базовой технологии портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных, твердотельных (GaAs) и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования.

Дальнейшее расширение сверхвысокочастотного диапазона связано с созданием в стране электронной компонентной базы с рабочими частотами 40 ГГц и более. Перспективными материалами для таких электронных компонентных баз являются широкозонные полупроводники (нитрид галлия и карбид кремния) для мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов и кремний-германий для монолитных интегральных схем. Работы с этими материалами за рубежом активно развиваются последние 3 - 5 лет. В России их использование сдерживается недостаточным объемом работ по созданию и совершенствованию технологии производства как самих материалов, так и электронной компонентной базы на их основе.

В рамках направления 2 "Радиационно стойкая электронная компонентная база" предусмотрено выполнение комплексных мероприятий подпрограммы в целях создания:

базовых технологий изготовления радиационно стойких специализированных больших интегральных схем уровней 0,5 - 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире";

технологии проектирования и изготовления серий логических и аналоговых радиационно стойких приборов на базе структуры "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 - 0,18 мкм;

базовых технологий радиационно стойких специализированных больших интегральных схем энергонезависимой памяти;

технологии структуры "кремний на сапфире" для лицензионно-независимых специализированных цифровых сверхбольших интегральных схем, микроконтроллеров и схем интерфейса;

технологии радиационно стойких силовых приборов.

Предполагается разработать принципиально новую технологию с применением элементов памяти на основе фазовых структурных переходов вещества, нечувствительных к воздействию практически любых видов радиации и обеспечивающих создание универсального типа памяти для всех встроенных применений в микроконтроллерах и микропроцессорах. При этом резко сократится номенклатура применяемых элементов. Кроме того, будут разработаны качественно новые приборы на структурах ультратонкого кремния (32-разрядные микропроцессоры, микроконтроллеры, умножители, базовые матричные кристаллы до 200 тыс. вентилей, программируемые логические интегральные схемы, функционально ориентированные процессоры, аналоговые, аналого-цифровые и цифро-аналоговые специализированные сверхбольшие интегральные схемы).

Необходимость выполнения работ обусловлена задачей сохранения паритета с другими ядерными державами в области стратегических ядерных сил. Аналогичные работы были выполнены в США в 2001 - 2005 годах в рамках Программы ускоренного развития субмикронной радиационно стойкой электронной компонентной базы для нового поколения стратегических ядерных сил. Нужно учитывать, что закупки лицензий на эти технологии на мировом рынке невозможны из-за ограничений, накладываемых международными соглашениями о нераспространении ядерных технологий.

В рамках направления 3 "Микросистемная техника" предусмотрено выполнение комплекса мероприятий в целях разработки:

базовой технологии прецизионного формирования микроэлектромеханических трехмерных структур;

системы автоматизированного проектирования микроэлектромеханических интегрированных систем, сенсоров механических и электрических величин, гироскопов, прецизионных акселерометров, включая создание специализированного центра проектирования микроэлектромеханических систем на базе библиотек стандартных элементов;

библиотеки стандартных элементов микроэлектромеханических устройств с использованием пьезоэлектрических материалов и системы автоматизированного проектирования фильтров, резонаторов, пьезоактюаторов, пьезогироскопов, гидроакустических антенн и других приборов.

Развертывание работ по указанному направлению обусловлено необходимостью удовлетворения резко возросшего спроса на микроэлектромеханические системы на внутреннем и мировом рынках. Так, объемы мирового рынка в 2005 году составили 7,1 млрд. долларов США. По прогнозу, рыночная потребность в 2010 году простейших систем, разработка и производство которых под силу большинству российских микроэлектронных производств, составит более 850 млн. штук (более 30 млрд. рублей в год), что дает возможность выхода российских производителей на мировой рынок.

Отставание России от передовых стран в области микросистемной техники не так значительно в связи с тем, что конкретные прикладные результаты в мировом масштабе были получены только в 90-е годы и технологические нормы для производства микроэлектромеханических систем доступны большинству предприятий отрасли.

В 2007 году планируется начать выполнение комплекса научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по разработке базовых технологий и базовых конструкций микроакустоэлектромеханических, микроаналитических, микрооптоэлектромеханических, радиочастотных микроэлектромеханических систем и микросистем анализа магнитных полей. В результате будут разработаны датчики физических величин, в частности давления, температуры, деформации, крутящего момента, микроперемещений, резонаторов и других, а также освоены базовые технологии изготовления микросистем на основе процессов формирования специальных слоистых структур, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды и способных обнаруживать опасные, токсичные, горючие и взрывчатые вещества.

Учитывая мультипликативный эффект развития микросистемной техники для других отраслей промышленности, реализация этого направления расширяет возможности автомобильного, авиационного и ракетно-космического машиностроения, навигации, здравоохранения, информационных, телекоммуникационных и военных технологий, что позволит обеспечить реализацию национальных приоритетов технологического развития и повысить экспортный потенциал России в области высоких технологий.

В рамках направления 4 "Микроэлектроника" предусмотрено выполнение комплекса мероприятий подпрограммы в целях:

разработки базовых технологий специализированных больших интегральных схем, в том числе технологии комплементарных полевых транзисторных структур уровня 0,25 - 0,13 мкм на пластинах диаметром 200 мм с созданием опытного производства;

разработки технологии изготовления шаблонов с фазовым сдвигом и коррекцией оптического эффекта близости для производства специализированных сверхбольших интегральных схем и организации межотраслевого центра проектирования, изготовления и каталогизации шаблонов технологического уровня до 0,13 мкм;

ускоренного развития систем проектирования сложных специализированных сверхбольших интегральных схем (включая схемы "система на кристалле"), ориентированных на разработку конкурентоспособных электронных систем мультимедиа, телекоммуникаций, систем радиолокации, космического мониторинга, цифровых систем обработки и передачи информации, цифрового телевидения и радиовещания, систем управления технологическими процессами и транспортом, систем безналичного расчета, научного приборостроения и обучения, систем идентификации, сжатия и кодирования информации, медицинской техники и экологического контроля;

разработки новых поколений электронной компонентной базы, в том числе функционально полной номенклатуры аналоговых и цифровых больших интегральных схем для комплектации и модернизации действующих радиоэлектронных систем и аппаратуры, включая задачи импортозамещения;

разработки сложнофункциональных блоков для обработки, сжатия и передачи информации, сигнальных и цифровых процессоров (в том числе программируемых), микроконтроллеров, цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, шин и интерфейсов (драйверов, приемопередатчиков), а также специализированных блоков для телекоммуникации и связи;

разработки комплектов специализированных сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", имеющих до 10 - 50 млн. транзисторов, для систем цифровой обработки сигналов (цифровое телевидение, радиовещание, сотовая и радиотелефонная связь, космический мониторинг, системы управления и контроля);

разработки приборов силовой электроники, включая базовую технологию и конструкцию производства тиристоров и мощных транзисторов, силовых ключей на токи до 1500 А и напряжение до 6500 В, а также базовую технологию производства и конструкцию силовых микросхем, гибридных силовых приборов тиристорного типа, высоковольтных драйверов управления и интеллектуальных силовых модулей;

создания центров проектирования перспективной электронной компонентной базы, в том числе промышленно ориентированных центров проектирования и испытания электронной компонентной базы в составе отраслевой многоуровневой системы проектирования сложной электронной компонентной базы и аппаратуры (топологического и схемотехнического уровней), системоориентированных базовых центров сквозного проектирования радиоэлектронной аппаратуры на основе функционально сложной электронной компонентной базы и специализированных сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", а также развития системы проектирования сложной радиоэлектронной аппаратуры и стратегически значимых систем, учебных центров проектирования электронной компонентной базы для решения задачи обучения и подготовки высококвалифицированных специалистов.

Создаваемые центры проектирования должны освоить методы проектирования специализированных сверхбольших интегральных схем с технологическим уровнем до 0,09 мкм и систему заказов на зарубежных специализированных производствах, действующих в мировой системе разделения труда.

В рамках направления 5 "Электронные материалы и структуры" мероприятия подпрограммы ориентированы в первую очередь на создание технологий для освоения принципиально новых материалов для современной электронной компонентной базы (структуры "кремний на изоляторе", широкозонные полупроводниковые структуры и гетероструктуры, структуры с квантовыми эффектами, композитные, керамические и ленточные материалы, специальные органические материалы). Среди новых разрабатываемых материалов наиболее перспективными являются нитрид галлия, карбид кремния, алмазоподобные пленки и другие.

Полупроводниковые материалы пользуются повышенным спросом как на внутреннем, так и на внешнем рынках, что создает хорошие перспективы для увеличения экспорта.

Предусмотрено выполнение комплекса мероприятий подпрограммы в следующих целях:

разработка базовых технологий и организация производства, в том числе кремниевых пластин диаметром 200 мм технологического уровня 0,18 - 0,13 мкм, структур "кремний на изоляторе", "кремний на сапфире" диаметром 150 мм и технологического уровня 0,5 - 0,35 мкм, пластин радиационно облученного кремния диаметром 150 мм для приборов силовой электроники, гетероструктур диаметром 100 - 150 мм с квантовыми эффектами для сверхвысокочастотной твердотельной электроники, высокоинтенсивных приборов светотехники, лазеров и специальных матричных приемников, керамических материалов и плат, материалов для пленочных технологий, композитов, клеев и герметиков для выпуска новых классов радиоэлектронных компонентов и приборов, корпусов и носителей, "бессвинцовых" сложных композиций для экологически чистой сборки электронной компонентной базы и монтажа в составе радиоэлектронной аппаратуры;

разработка экологически чистой технологии нанесения гальванопокрытий с замкнутым циклом нейтрализации и утилизации, высокоэффективных процессов формирования полимерных покрытий, алмазоподобных пленок и наноструктурированных материалов, процессов самоформирования пространственных структур, новых классов сложных полупроводниковых материалов с большой шириной запрещенной зоны для высоковольтной и высокотемпературной электроники (карбид кремния, алмазоподобные материалы, сложные нитридные соединения), новых классов полимерных пленочных материалов, включая многослойные и металлизированные, а также для задач политроники и сборочных процессов массового производства электронной компонентной базы широкого потребления.

В рамках направления 6 "Группы пассивной электронной компонентной базы" предусмотрено выполнение комплекса мероприятий в следующих целях:

разработка технологий и базовых конструкций типового ряда радиоэлектронных компонентов требуемой номенклатуры, в том числе:

магнитоуправляемых контактов, тиратронов и искровых разрядников;

коммутационных и установочных изделий;

разработка технологий и базовых конструкций новых поколений, в том числе:

новых классов и групп резисторов и конденсаторов с повышенными техническими и эксплуатационными характеристиками, включая развитие производственных мощностей по их выпуску;

сверхъярких высокоэкономичных светодиодов красного свечения для "стоп-сигналов" транспортной техники;

высокоэффективных широкоспектральных твердотельных осветительных приборов для бытовых и промышленных целей;

гибких экранов, информационных табло и сигнальных устройств на полимерной основе, включая варианты "прозрачных" экранов;

светочувствительных твердотельных матричных приемников для наблюдения в широком спектральном диапазоне с вариациями освещенности;

рентгеночувствительных матричных приемников для медицинской техники нового поколения;

приборов пьезотехники и акустоэлектроники для научной, медицинской и связной аппаратуры;

приборов магнитоэлектроники для радиоэлектронной аппаратуры, сверхвысокочастотной техники, диагностической и научной аппаратуры;

фотоэлектронных умножителей широкого спектрального диапазона;

магнитоэлектрических приборов расширенного диапазона частот;

мощных технологических лазеров с полупроводниковой накачкой;

эксимерных лазеров для электронных технологий и медицины;

базовых модулей лазерных локаторов и лазерных комплексов.

Рыночная потребность в указанных видах электронной компонентной базы достаточно высока, более того, большая часть вновь разрабатываемых видов электронной компонентной базы и изделий электронной техники (высокояркостные твердотельные источники света и экраны, солнечные элементы и батареи, приборы акустоэлектроники, магнито-, пьезоэлектроники) не только обладают высокими потребительскими свойствами, но и дают значительный экономический эффект за счет энергосбережения и интеграции функций.

Для создания нового технического уровня резисторов планируются работы по разработке технологии сверхпрецизионных резисторов, используемых для аппаратуры двойного назначения, технологии особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона, технологии интегрированных резистивных структур с повышенными технико-эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки, технологии нелинейных резисторов (варисторов, позисторов, термисторов) в чип-исполнении, технологии автоматизированного производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов.

Для создания новых классов конденсаторов будут проведены работы по изготовлению танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов, разработке технологии производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и организации производства таких конденсаторов.

Для совершенствования качества и технических характеристик коммутаторов и переключателей планируются работы по созданию технологии базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения, технологии газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с повышенными техническими характеристиками, технологии изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа, а также технологии серий герметизированных магнитоуправляемых контактов и переключателей широкого частотного диапазона.

Для создания новых классов приборов акустоэлектроники и пьезотехники планируется провести разработку прецизионных температуростабильных высокочастотных (до 2 ГГц) резонаторов на поверхностных акустических волнах, разработку ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных меток-транспондеров, работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом, разработку базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа, разработку промышленной технологии акустоэлектронной компонентной базы для задач мониторинга, робототехники и контроля функционирования различных механизмов, средств и систем, разработку базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации, селекции частоты и обработки сигналов, а также разработку технологии изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуникационных и навигационных систем.

Работы по приборам инфракрасной техники будут сконцентрированы в области разработки:

технологии фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для аппаратуры контроля изображений;

технологии унифицированных электронно-оптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона;

технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения.

Для приборов квантовой электроники приоритетными будут работы по созданию технологий:

мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения) при снижении расходимости излучения в 5 раз для создания аппаратуры и систем нового поколения;

специализированных лазерных полупроводниковых диодов и лазерных волоконно-оптических модулей;

для лазерных навигационных приборов, включая интегральный оптический модуль лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта;

полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве.

Приборы светотехники и отображения информации будут совершенствоваться на основе разработки:

технологий интегрированных катодолюминесцентных дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением;

технологии высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем подсветки в приборах нового поколения;

базовой технологии и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа;

базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по "бесхлоридной" технологии и технологии "литого" кремния прямоугольного сечения;

технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления "с катушки на катушку";

базовых конструкций и технологии активных матриц и драйверов плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических, кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках и созданных на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные;

базовой конструкции и технологии крупноформатных полноцветных газоразрядных видеомодулей.

В рамках направления 7 "Обеспечивающие работы" предусмотрено выполнение комплекса мероприятий, включающих:

разработку межведомственной информационно-справочной системы и баз данных по библиотекам стандартных элементов, правилам проектирования, системе заказа шаблонов, изготовлению опытных образцов и аттестации проектов сложной электронной компонентной базы;

разработку научно обоснованных рекомендаций по дальнейшему развитию электронной компонентной базы и подготовку комплектов документов программно-целевого развития электронной техники в интересах обеспечения технологической и информационной безопасности России;

систематический контроль и анализ выполнения мероприятий подпрограммы, формирование годовых планов, проведение конкурсного отбора научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ и анализ выполнения подпрограммы;

создание и внедрение комплекса методической и научно-технической документации по проектированию сложной электронной компонентной базы, по обеспечению надежности и качества, экологической безопасности и защите интеллектуальной собственности с учетом обеспечения требований Всемирной торговой организации.



IV. Обоснование ресурсного обеспечения подпрограммы



Расходы на реализацию мероприятий подпрограммы составляют 38460 млн. рублей, в том числе:

а) за счет средств федерального бюджета - 23200 млн. рублей, из них:

на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - 15880 млн. рублей;

на капитальные вложения - 7320 млн. рублей;

б) за счет средств внебюджетных источников - 15260 млн. рублей.

Ресурсное обеспечение подпрограммы предусматривает привлечение средств федерального бюджета и внебюджетных средств.

Средства федерального бюджета направляются в первую очередь на финансирование следующих приоритетных направлений развития электронной компонентной базы:

сверхвысокочастотная электроника, включая сверхвысокочастотные материалы;

радиационно стойкая электронная компонентная база, включая радиационно стойкие материалы и радиационно стойкую микроэлектронику;

микросистемная техника на базе микроэлектромеханических систем, интеллектуальных сенсоров и интегрированных структур, включая материалы для микросистемной техники;

базовые центры системного проектирования, в том числе межотраслевой центр проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов.

Приоритетность направлений обусловлена имеющимся научно-техническим заделом, прогрессивностью новых исследований и результатов, удельным весом данного направления в общем объеме работ по развитию электроники и темпами развития специальной и гражданской техники.

Объемы финансирования приоритетных направлений развития электронной компонентной базы в 2007 - 2011 годах за счет средств федерального бюджета приведены в приложении N 3.

Наибольшие суммы средств на научные исследования выделяются на проведение научно-исследовательских работ в области развития сверхвысокочастотной техники, радиационно стойкой электронной компонентной базы и микросистемной техники (около 58 процентов). За пятилетний период планируется в первую очередь осуществить техническое перевооружение предприятий, работающих в области сверхвысокочастотной техники, радиационно стойкой электронной компонентной базы и микросистемной техники, для чего планируется выделить 54 процента всех капитальных вложений. При этом наибольшая сумма капитальных вложений (41 процент) будет выделена на создание и техническое оснащение базовых центров системного проектирования и межотраслевого центра фотошаблонов. Таким образом, на четыре приоритетных направления развития электронной компонентной базы в 2007 - 2011 годах планируется выделить 70 процентов всех финансовых средств, выделяемых на реализацию подпрограммы.

Объем финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по всем направлениям подпрограммы за счет внебюджетных средств будет не менее 7940 млн. рублей.

Источниками внебюджетных средств станут средства организаций - исполнителей работ и привлеченные средства (кредиты банков, заемные средства, средства потенциальных потребителей технологий и средств от эмиссии акций).

Капитальные вложения направляются на создание и освоение перспективных технологических процессов изготовления электронной компонентной базы, развитие производств нового технологического уровня, обеспечивающих ускоренное наращивание объемов производства конкурентоспособной продукции. Для реализации проектов по техническому перевооружению предприятиями привлекаются внебюджетные средства в объеме государственных капитальных вложений. Замещение внебюджетных средств, привлекаемых для выполнения мероприятий научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ реконструкции и технического перевооружения организаций, средствами федерального бюджета не допускается.

Объемы и источники финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ и капитальных вложений подпрограммы по годам приведены в приложении N 4.

Объемы финансирования подпрограммы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников приведены в приложении N 5.

Распределение объемов финансирования подпрограммы за счет средств федерального бюджета по государственным заказчикам подпрограммы приведено в приложении N 6.



V. Механизм реализации подпрограммы



Учитывая сложившуюся структуру федеральных органов исполнительной власти и общепромышленное значение выполнения подпрограммы, государственным заказчиком - координатором подпрограммы является Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации, а государственными заказчиками - Федеральное агентство по промышленности, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по науке и инновациям и Федеральное агентство по образованию.

Управление реализацией подпрограммы, а также контроль за ее выполнением будет осуществлять государственный заказчик - координатор федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы.

Подпрограмма имеет межотраслевой характер и отвечает интересам развития большинства отраслей промышленности, производящих и потребляющих высокотехнологичную наукоемкую продукцию. Исполнителями подпрограммы будут научные и научно-производственные организации.

Управление реализацией подпрограммы будет осуществляться в соответствии с Порядком разработки и реализации федеральных целевых программ и межгосударственных целевых программ, в осуществлении которых участвует Российская Федерация, утвержденным Постановлением Правительства Российской Федерации от 26 июня 1995 г. N 594, и положением о порядке управления реализацией программ, утверждаемым Министерством промышленности и энергетики Российской Федерации.

Для осуществления планирования работ и контроля за научно-техническим уровнем выполняемых работ создается научно-технический координационный совет, в состав которого включаются ведущие ученые и специалисты страны в области электронной компонентной базы, представители государственных заказчиков подпрограммы, а также организаций промышленности, использующих разрабатываемые в рамках подпрограммы изделия электронной техники и технологии для создания и производства радиоэлектронных и радиотехнических систем.

Координационный совет будет вырабатывать рекомендации по планируемым научно-исследовательским и опытно-конструкторским работам технологического развития, а также проводить экспертную оценку инвестиционных проектов.

Для осуществления текущего контроля и анализа хода работ по подпрограмме, подготовки материалов и рекомендаций по управлению реализацией подпрограммы организуется автоматизированная информационно-аналитическая система.

Головные исполнители (исполнители) мероприятий подпрограммы определяются в соответствии с законодательством Российской Федерации.

Головные исполнители в соответствии с государственным контрактом обеспечивают выполнение проектов, необходимых для реализации мероприятий подпрограммы, и организуют кооперацию соисполнителей.

Федеральное агентство по промышленности, Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное агентство по науке и инновациям и Федеральное агентство по образованию представляют в Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации отчетность о результатах выполнения работ за отчетный год и дают предложения по формированию плана работ на следующий год.

Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации в установленном порядке представляет в Министерство экономического развития и торговли Российской Федерации и Министерство финансов Российской Федерации отчетность о выполнении годовых планов и подпрограммы в целом, подготавливает и согласовывает предложения по финансированию подпрограммы в предстоящем году.



VI. Оценка социально-экономической и экологической

эффективности подпрограммы



Эффективность подпрограммы оценивается в течение расчетного периода, продолжительность которого определяется началом ее осуществления вплоть до максимального уровня освоения введенных новых мощностей.

За начальный год расчетного периода принимается 1-й год осуществления инвестиций или 1-й год разработки приоритетных образцов продукции, то есть 2007 год.

Конечный год расчетного периода определяется годом полного освоения в серийном производстве разработанной в период реализации подпрограммы продукции на созданных в этот период мощностях, а также 3 годами серийного производства.

Учитывая, что обновление производственных мощностей осуществляется в течение всего периода действия подпрограммы и завершается в 2011 году, а нормативный срок освоения введенных мощностей 1,5 - 2 года, то конечным годом расчетного периода с учетом 3 лет серийного производства принят 2016 год.

Экономическая эффективность реализации подпрограммы в отрасли характеризуется следующими показателями:

налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды, - 65343,9 млн. рублей;

чистый дисконтированный доход - 24615,6 млн. рублей;

бюджетный эффект - 46343,1 млн. рублей;

индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям - 3,4;

индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистому доходу предприятий - 1,78;

удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства) - 0,6;

срок окупаемости инвестиций из всех источников финансирования - 7,3 года, в том числе 2,3 года после окончания реализации подпрограммы;

срок окупаемости средств федерального бюджета - 1 год;

уровень безубыточности равен 0,67 при норме 0,7, что свидетельствует об эффективности и устойчивости подпрограммы к возможным изменениям условий ее реализации.

Результаты расчета показателей социально-экономической эффективности подпрограммы приведены в приложении N 7.

Социальная эффективность подпрограммы обусловлена количеством создаваемых рабочих мест (3550 - 3800 мест на момент завершения подпрограммы), а также существенным повышением технологического уровня новой электронной компонентной базы, который обеспечит снижение трудовых затрат на создание новых классов радиоэлектронной аппаратуры и систем и улучшение условий труда. Разработка новых классов электронной компонентной базы обеспечит создание широкой номенклатуры приборов и техники для технического обеспечения решения государственных социальных программ.

Экологическая эффективность подпрограммы определяется:

разработкой и освоением экологически чистых технологий производства электронной компонентной базы в процессе их производства;

новыми уровнями химической обработки на базе плазмохимических процессов, позволяющими исключить использование кислот и органических растворителей, а также экологически чистыми технологиями нанесения электролитических покрытий по замкнутому циклу, утилизацией и нейтрализацией отходов;

технологией "бессвинцовой" сборки и монтажа радиоэлектронной аппаратуры, полупроводниковых приборов и специализированных больших интегрированных схем;

высокоэффективными методами подготовки чистых сред и сверхчистых реактивов в замкнутых циклах, внедрением систем экологического мониторинга производства электронной компонентной базы и окружающей территории, кластерными технологическими системами обработки структур и приборов в технологических объемах малой величины с непосредственной подачей реагентов контролируемого минимального количества;

разработкой технологий утилизации электронной компонентной базы в рамках развиваемых технологий поддержания жизненного цикла.

Вновь создаваемые виды электронной компонентной базы (высокочувствительные датчики-сенсоры) и аппаратура на их основе будут использованы в создании более эффективных систем экологического контроля и мониторинга.

Электронная промышленность по технологической сути является самой экологически чистой отраслью экономики, и достижения по улучшению экологической обстановки, полученные в рамках совершенствования новых производств электронной компонентной базы, могут использоваться в других отраслях (методы ультрафильтрации, технологии улавливания и нейтрализации вредных веществ, обработки по замкнутым циклам, получение сверхчистой воды и сверхчистых реактивов).











Приложение N 1

к подпрограмме "Развитие электронной

компонентной базы" на 2007 - 2011 годы

федеральной целевой программы

"Национальная технологическая база"

на 2007 - 2011 годы



ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ

РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ

КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ" НА 2007 - 2011 ГОДЫ



------------------------------------+------------+---------------------------------------
                                    ¦  Единица   ¦                Значение
                                    ¦ измерения  +-----+------+--------+--------+--------
                                    ¦            ¦ 2007¦ 2008 ¦  2009  ¦  2010  ¦  2011
                                    ¦            ¦ год ¦ год  ¦  год   ¦  год   ¦  год
------------------------------------+------------+-----+------+--------+--------+--------
                                       Индикатор


 Достигаемый технологический             мкм       0,18  0,18     0,13     0,13    0,1 -
 уровень электроники                                                                0,09


                                      Показатели


 Увеличение объемов продаж изделий   млрд. рублей   19    25       31       38       45
 электронной техники


 Количество разработанных базовых         -       3 - 5 9 - 11  16 - 18  24 - 27  36 - 40
 технологий в области электронной
 компонентной базы (нарастающим
 итогом)


 Количество завершенных                   -         3     9        10       17       29
 разрабатываемых проектов базовых
 центров проектирования
 функционально сложной электронной
 компонентной базы, в том числе
 сверхбольших интегральных схем
 типа "система на кристалле"
 (нарастающим итогом)


 Количество объектов                      -         1     1        5        8        18
 технологического перевооружения
 электронных производств на основе
 передовых технологий (нарастающим
 итогом)


 Количество завершенных поисковых         -         1     3        7     10 - 12  13 - 16
 технологических научно-
 исследовательских работ
 (нарастающим итогом)


 Количество реализованных                 -         4  11 - 12  14 - 16  19 - 22  32 - 36
 мероприятий по созданию
 электронной компонентной базы,
 соответствующей мировому уровню
 (типов, классов новой электронной
 компонентной базы) (нарастающим
 итогом)


 Количество создаваемых рабочих           -        450  950 -    1700 -   2360 -   3550 -
 мест (нарастающим итогом)                               1020     1800     2500     3800
-----------------------------------------------------------------------------------------










Приложение N 2

к подпрограмме "Развитие электронной

компонентной базы" на 2007 - 2011 годы

федеральной целевой программы

"Национальная технологическая база"

на 2007 - 2011 годы



ПЕРЕЧЕНЬ

МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ

КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ" НА 2007 - 2011 ГОДЫ



(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)



--------------------------------------+--------+-------------------------------------------------+---------------------------------
             Мероприятия              ¦ 2007 - ¦                   В том числе                   ¦      Ожидаемые результаты
                                      ¦  2011  +---------+----------+--------+---------+---------+
                                      ¦ годы - ¦2007 год ¦ 2008 год ¦2009 год¦2010 год ¦2011 год ¦
                                      ¦ всего  ¦         ¦          ¦        ¦         ¦         ¦
--------------------------------------+--------+---------+----------+--------+---------+---------+---------------------------------
                                       I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы


                                            Направление 1 "Сверхвысокочастотная электроника"


   1. Разработка технологии             312        105       147        60        -         -     создание базовой технологии
      производства мощных               ---        ---       ---        --                        производства мощных

| Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 |



<< Назад | <<< Главная страница

карта новых документов

Разное

При полном или частичном использовании материалов сайта ссылка на pravo.levonevsky.org обязательна

© 2006-2017г. www.levonevsky.org

TopList

Законодательство Беларуси и других стран

Законодательство России кодексы, законы, указы (избранное), постановления, архив


Законодательство Республики Беларусь по дате принятия:

2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 2002 2001 2000 до 2000 года

Защита прав потребителя
ЗОНА - специальный проект

Бюллетень "ПРЕДПРИНИМАТЕЛЬ" - о предпринимателях.




Новые документы




NewsBY.org. News of Belarus

UK Laws - Legal Portal