НАЙТИ ДОКУМЕНТ
Постановление Правительства РФ от 29.01.2007 N 54 "О федеральной целевой программе "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы"
Архив июль 2009 года
<< Назад |
<<< Главная страница
Стр. 16
сверхвысокочастотных 208 <*> 70 98 40 сверхвысокочастотных транзисторов
транзисторов на основе на основе гетероструктур
гетероструктур материалов группы материалов группы A3B5 для
A3B5 бортовой и наземной аппаратуры,
разработка комплектов
документации в стандартах единой
системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
2. Разработка базовой технологии 265 - - 60 120 85 создание базовой технологии
производства монолитных --- -- --- -- производства монолитных
сверхвысокочастотных 175 40 79 56 сверхвысокочастотных микросхем и
микросхем и объемных приемо- объемных приемо-передающих
передающих сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных субмодулей
субмодулей X-диапазона X-диапазона на основе
гетероструктур материалов группы
A3B5 для бортовой и наземной
аппаратуры радиолокации, средств
связи, разработка комплектов
документации в стандартах единой
системы конструкторской,
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
3. Разработка базовой технологии 467 153 214 100 - - создание технологии производства
производства мощных --- --- --- --- мощных транзисторов
сверхвысокочастотных 312 102 143 67 сверхвысокочастотного диапазона
полупроводниковых приборов на на основе нитридных
основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для
гетероэпитаксиальных структур техники связи, радиолокации
4. Разработка базовой технологии и 770 - - 136 337 297 создание технологии производства
библиотеки элементов для --- --- --- --- на основе нитридных
проектирования и производства 512 90 225 197 гетероэпитаксиальных структур
монолитных интегральных схем мощных сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотного диапазона монолитных интегральных схем с
на основе нитридных рабочими частотами до 20 ГГц для
гетероэпитаксиальных структур связной техники, радиолокации,
разработка комплектов
документации в стандартах единой
системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
5. Разработка базовой технологии 357 120 166 71 - - создание базовой технологии
производства --- --- --- -- производства компонентов для
сверхвысокочастотных компонентов 231 80 111 40 сверхвысокочастотных интегральных
и сложнофункциональных блоков схем диапазона 2 - 12 ГГц с
для сверхвысокочастотных высокой степенью интеграции для
интегральных схем высокой аппаратуры радиолокации и связи
степени интеграции на основе бортового и наземного применения,
гетероструктур "кремний - а также бытовой и автомобильной
германий" электроники, разработка
комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской, технологической
и производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
6. Разработка базовой технологии 532 - - 100 246 186 создание базовой технологии
производства --- --- --- --- производства сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных 352 64 164 124 интегральных схем диапазона 2 - 12
интегральных схем высокой ГГц с высокой степенью интеграции
степени интеграции на основе для аппаратуры радиолокации и
гетероструктур "кремний - связи бортового и наземного
германий" применения, а также бытовой и
автомобильной электроники,
разработка комплектов
документации в стандартах единой
системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
7. Разработка аттестованных 171 60 76 35 - - разработка аттестованных
библиотек сложнофункциональных --- --- -- -- библиотек сложнофункциональных
блоков для проектирования 121 40 51 30 блоков для проектирования
сверхвысокочастотных и широкого спектра
радиочастотных интегральных схем сверхвысокочастотных интегральных
на основе гетеростуктур "кремний схем на SiGe с рабочими частотами
- германий" до 150 ГГц, разработка комплектов
документации в стандартах единой
системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
8. Разработка базовых технологий 207 - - 40 100 67 создание базовых технологий
проектирования кремний- --- -- --- -- проектирования на основе
германиевых сверхвысокочастотных 142 30 67 45 библиотеки сложнофункциональных
и радиочастотных интегральных блоков широкого спектра
схем на основе аттестованной сверхвысокочастотных интегральных
библиотеки сложнофункциональных схем на SiGe с рабочими частотами
блоков до 150 ГГц, разработка комплектов
документации в стандартах единой
системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
9. Разработка базовых технологий 163,5 43,5 60 60 - - создание базовых технологий
производства элементной базы для ----- ---- -- -- производства и конструкций
ряда силовых герметичных модулей 110 30 40 40 элементной базы для высокоплотных
высокоплотных источников источников вторичного
вторичного электропитания электропитания
вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и
сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры, разработка
узлов аппаратуры комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской, технологической
и производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
10. Разработка базовых технологий 153 - - - 89 64 создание базовых конструкций и
производства ряда силовых --- -- -- технологии производства
герметичных модулей 102 60 42 высокоэффективных,
высокоплотных источников высокоплотных источников
вторичного электропитания вторичного электропитания
вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и
сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе
узлов аппаратуры гибридно-пленочной технологии с
применением бескорпусной
элементной базы, разработка
комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
11. Разработка базовых конструкций и 162,5 38,5 74 50 - - создание технологии массового
технологии производства корпусов ----- ---- -- -- производства ряда корпусов мощных
мощных сверхвысокочастотных 110 25 52 33 сверхвысокочастотных приборов для
транзисторов X, C, S, L и P - "бессвинцовой" сборки, разработка
диапазонов из малотоксичных комплектов документации в
материалов с высокой стандартах единой системы
теплопроводностью конструкторской, технологической
и производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
12. Разработка базовых конструкций 150 - - 45 60 45 создание базовых конструктивных
теплоотводящих элементов систем --- -- -- -- рядов элементов систем
охлаждения сверхвысокочастотных 97 30 40 27 охлаждения аппаратуры X и C -
приборов X и C - диапазонов на диапазонов наземных,
основе новых материалов корабельных и воздушно-
космических комплексов
13. Разработка базовой технологии 93 - - - 60 33 создание технологии массового
производства теплоотводящих -- -- -- производства конструктивного
элементов систем охлаждения 62 32 30 ряда элементов систем
сверхвысокочастотных приборов X охлаждения аппаратуры X и C -
и C - диапазонов на основе диапазонов наземных,
новых материалов корабельных и воздушно-
космических комплексов,
разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
14. Разработка базовых технологий 141,5 45,5 53 43 - - создание технологии массового
производства суперлинейных ----- ---- -- -- производства конструктивного
кремниевых сверхвысокочастотных 92 30 35 27 ряда сверхвысокочастотных
транзисторов S и L диапазонов транзисторов S и L диапазонов
для связной аппаратуры, локации
и контрольной аппаратуры,
разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
15. Разработка конструктивно- 170 - - - 95 75 создание конструктивно-
параметрического ряда --- -- -- параметрического ряда
суперлинейных кремниевых 116 70 46 сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов
транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры, локации
и контрольной аппаратуры,
разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
16. Разработка технологии измерений 147 60 45 42 - - разработка метрологической
и базовых конструкций установок --- -- -- -- аппаратуры нового поколения для
автоматизированного измерения 97 40 27 30 исследования и контроля
параметров нелинейных моделей параметров полупроводниковых
сверхвысокочастотных структур, активных элементов и
полупроводниковых структур, сверхвысокочастотных монолитных
мощных транзисторов и интегральных схем в
сверхвысокочастотных монолитных производстве и при их
интегральных схем X, C, S, L и использовании
P - диапазонов для их массового
производства
17. Исследование и разработка 161 57 54 50 - - создание технологии
базовых технологий для создания --- -- -- -- унифицированных
нового поколения мощных 107 38 36 33 сверхширокополосных приборов
вакуумно-твердотельных среднего и большого уровня
сверхвысокочастотных приборов и мощности сантиметрового
гибридных малогабаритных диапазона длин волн и
сверхвысокочастотных модулей с сверхвысокочастотных
улучшенными массогабаритными магнитоэлектрических приборов
характеристиками, для перспективных
магнитоэлектрических приборов радиоэлектронных систем и
сверхвысокочастотного аппаратуры связи
диапазона, в том числе: космического базирования,
циркуляторов и фазовращателей, разработка комплектов
вентилей, высокодобротных документации в стандартах
резонаторов, перестраиваемых единой системы конструкторской,
фильтров, микроволновых технологической и
приборов со спиновым производственной документации,
управлением для перспективных ввод в эксплуатацию
радиоэлектронных систем производственной линии
двойного применения
18. Разработка базовых конструкций 141 - - - 89 52 разработка конструктивных рядов
и технологии производства --- -- -- и базовых технологий
нового поколения мощных 95 60 35 производства
вакуумно-твердотельных сверхширокополосных приборов
сверхвысокочастотных приборов и среднего и большого уровня
гибридных малогабаритных мощности сантиметрового
сверхвысокочастотных модулей с диапазона длин волн и
улучшенными массогабаритными сверхвысокочастотных
характеристиками, магнитоэлектрических приборов
магнитоэлектрических приборов для перспективных
сверхвысокочастотного радиоэлектронных систем и
диапазона, в том числе: аппаратуры связи космического
циркуляторов и фазовращателей, базирования, разработка
вентилей, высокодобротных комплектов документации в
резонаторов, перестраиваемых стандартах единой системы
фильтров, микроволновых конструкторской,
приборов со спиновым технологической и
управлением для перспективных производственной
радиоэлектронных систем документации, ввод в
двойного применения эксплуатацию производственной
линии
19. Исследование и разработка 130 45 45 40 - - создание технологических
процессов и базовых технологий --- -- -- -- процессов производства
нанопленочных малогабаритных 87 30 30 27 нанопленочных малогабаритных
сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных
резисторно-индуктивно-емкостных резисторно-индуктивно-емкостных
матриц многофункционального матриц многофункционального
назначения для печатного назначения для печатного
монтажа и монтажа, создание базовой
сверхбыстродействующих (до 150 технологии получения
ГГц) приборов на сверхбыстродействующих (до 150
наногетероструктурах с ГГц) приборов на
квантовыми дефектами наногетероструктурах с
квантовыми дефектами,
разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
20. Разработка базовых конструкций 85 - - - 45 40 создание конструктивных рядов и
и технологии производства -- -- -- базовых технологий производства
нанопленочных малогабаритных 57 30 27 нанопленочных малогабаритных
сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных
резисторно-индуктивно-емкостных резисторно-индуктивно-емкостных
матриц многофункционального матриц многофункционального
назначения для печатного назначения для печатного
монтажа монтажа, разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
21. Разработка базовой технологии 246 90 86 70 - - создание базовой технологии
| Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 |
<< Назад |
<<< Главная страница
карта новых документов |