НАЙТИ ДОКУМЕНТ
Постановление Правительства РФ от 29.01.2007 N 54 "О федеральной целевой программе "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы"
Архив июль 2009 года
<< Назад |
<<< Главная страница
Стр. 17
сверхвысокочастотных p-i-n --- -- -- -- производства элементов и
диодов, матриц, узлов 164 60 57 47 специальных элементов и блоков
управления и портативных портативной аппаратуры
фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин
миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения
волн на основе средств связи, радиолокационных
магнитоэлектронных станций, радионавигации,
твердотельных и измерительной техники,
высокоскоростных цифровых автомобильных радаров, охранных
приборов и устройств с и сигнальных устройств,
функциями адаптации и цифрового разработка комплектов
диаграммообразования документации в стандартах
единой системы конструкторской,
технологической и
производственной документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
Всего по направлению 1 5024,5 817,5 1020 1002 1241 944
------ ----- ---- ---- ---- ---
3349 545 680 668 827 629
Направление 2 "Радиационно стойкая электронная компонентная база"
22. Разработка базовой технологии 202 51 71 80 - - создание технологии изготовления
радиационно стойких сверхбольших ----- -- ---- ---- микросхем с размерами элементов
интегральных схем уровня 0,5 мкм 134,8 34 47,4 53,4 0,5 мкм на структурах "кремний на
на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм,
сапфире" диаметром 150 мм разработка правил проектирования
базовых библиотек элементов и
блоков цифровых и аналоговых
сверхбольших интегральных схем
расширенной номенклатуры для
организации производства
радиационно стойкой элементной
базы, обеспечивающей выпуск
специальной аппаратуры и систем,
работающих в экстремальных
условиях (атомная энергетика,
космос, военная техника)
23. Разработка базовой технологии 315,4 - - - 59,4 256 создание технологии изготовления
радиационно стойких сверхбольших ----- ---- ----- микросхем с размерами элементов
интегральных схем уровня 0,35 210,3 39,6 170,7 0,35 мкм на структурах "кремний
мкм на структурах "кремний на на сапфире" диаметром 150 мм,
сапфире" диаметром 150 мм разработка правил проектирования
базовых библиотек элементов и
блоков цифровых и аналоговых
сверхбольших интегральных схем,
обеспечивающих создание
расширенной номенклатуры
быстродействующей и высоко
интегрированной радиационно
стойкой элементной базы
24. Разработка технологии 237,5 82,5 71 84 - - создание технологического
проектирования и конструктивно- ----- ---- ---- -- базиса (технология
технологических решений 158,4 55 47,4 56 проектирования, базовые
библиотеки логических и технологии), позволяющего
аналоговых элементов, разрабатывать радиационно
оперативных запоминающих стойкие сверхбольшие
устройств, постоянных интегральные схемы на
запоминающих устройств, структурах "кремний на
сложнофункциональных изоляторе" с проектной нормой
радиационно стойких блоков до 0,25 мкм
контроллеров по технологии
"кремний на изоляторе" с
проектными нормами до 0,25 мкм
25. Разработка технологии 360,1 - - - 81,5 278,6 создание технологического
проектирования и конструктивно- ----- ---- ----- базиса (технология
технологических решений 240 54,3 185,7 проектирования, базовые
библиотеки логических и технологии), позволяющего
аналоговых элементов, разрабатывать радиационно
оперативных запоминающих стойкие сверхбольшие
устройств, постоянных интегральные схемы на
запоминающих устройств, структурах "кремний на
сложнофункциональных изоляторе" с проектной нормой
радиационно стойких блоков до 0,18 мкм
контроллеров по технологии
"кремний на изоляторе" с
проектными нормами до 0,18 мкм
26. Разработка базовых 246 72 98 76 - - создание технологического
технологических процессов --- -- ---- ---- процесса изготовления
изготовления радиационно 164 48 65,3 50,7 сверхбольших интегральных схем
стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно
сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической
энергозависимой памяти уровня 0,35 мкм и
пьезоэлектрической и базовой технологии создания,
магниторезистивной памяти с изготовления и аттестации
проектными нормами 0,35 мкм и радиационно стойкой пассивной
пассивной радиационно стойкой электронной компонентной базы
элементной базы
27. Разработка базовых 261 - - - 56 205 создание технологического
технологических процессов ----- ---- ----- процесса изготовления
изготовления радиационно 174,2 37,3 136,9 сверхбольших интегральных схем
стойкой элементной базы для энергонезависимой, радиационно
сверхбольших интегральных схем стойкой сегнетоэлектрической
энергозависимой памяти уровня 0,18 мкм и
пьезоэлектрической и создания, изготовления и
магниторезистивной памяти с аттестации радиационно стойкой
проектными нормами 0,18 мкм и пассивной электронной
пассивной радиационно стойкой компонентной базы
элементной базы
28. Разработка технологии "кремний 218,8 78 83,2 57,6 - - разработка расширенного ряда
на сапфире" изготовления ряда ----- -- ---- ---- цифровых процессоров,
лицензионно-независимых 145,9 52 55,4 38,5 микроконтроллеров, оперативных
радиационно стойких запоминающих программируемых и
комплементарных металл-окисел перепрограммируемых устройств,
полупроводниковых сверхбольших аналого-цифровых
интегральных схем цифровых преобразователей в радиационно
процессоров обработки сигналов, стойком исполнении для создания
микроконтроллеров и схем специальной аппаратуры нового
интерфейса поколения
29. Разработка технологии структур 374 - - - 74,5 299,5 создание технологии
с ультратонким слоем кремния на ----- ---- ----- проектирования и изготовления
сапфире 249,5 49,8 199,7 микросхем и
сложнофункциональных блоков на
основе ультратонких слоев на
структуре "кремний на сапфире",
позволяющей разрабатывать
радиационно стойкие
сверхбольшие интегральные схемы
с высоким уровнем радиационной
стойкости
30. Разработка базовой технологии и 213,1 60,5 80,6 72 - - разработка конструкции и модели
приборно-технологического ----- ---- ---- -- интегральных элементов и
базиса производства радиационно 135,4 37 50,4 48 технологического маршрута
стойких сверхбольших изготовления радиационно
интегральных схем "система на стойких сверхбольших
кристалле", радиационно стойкой интегральных схем типа "система
силовой электроники для на кристалле" с расширенным
аппаратуры питания и управления температурным диапазоном,
силовых транзисторов и модулей
для бортовых и промышленных
систем управления с пробивными
напряжениями до 75 В и рабочими
токами коммутации до 10 А
31. Разработка элементной базы 109,2 28 33,2 48 - - создание ряда микронанотриодов
радиационно стойких ----- -- ---- -- и микронанодиодов с наивысшей
интегральных схем на основе 79,5 22 25,5 32 радиационной стойкостью для
полевых эмиссионных долговечной аппаратуры
микронанотриодов космического базирования
32. Создание информационной базы 251 - - - 61,1 189,9 разработка комплекса моделей
радиационно стойкой электронной ----- ---- ----- расчета радиационной стойкости
компонентной базы, содержащей 167,3 40,7 126,6 электронной компонентной базы в
модели интегральных обеспечение установления
компонентов, функционирующих в технически обоснованных норм
условиях радиационных испытаний
воздействий, создание
математических моделей
стойкости электронной
компонентной базы, создание
методик испытаний и аттестации
электронной компонентной базы
Всего по направлению 2 2788,1 372 437 417,6 332,5 1229
------ --- ----- ----- ----- -----
1859,3 248 291,4 278,6 221,7 819,6
Направление 3 "Микросистемная техника"
33. Разработка базовых технологий 302 93 112 97 - - создание базовых технологий и
микроэлектромеханических систем --- -- --- -- комплектов технологической
166 61 75 30 документации на изготовление
микроэлектромеханических систем
контроля давления,
микроакселерометров с
чувствительностью по двум и
трем осям, микромеханических
датчиков угловых скоростей,
микроактюаторов
34. Разработка базовых конструкций 424 - - 75 228 121 разработка базовых конструкций
микроэлектромеханических систем --- -- --- --- и комплектов необходимой
277 60 141 76 конструкторской
документации на изготовление
чувствительных элементов:
микросистем контроля давления;
микроакселерометров;
микромеханических датчиков
угловых скоростей;
микроактюаторов с напряжением
управления, предназначенных для
использования в транспортных
средствах, оборудовании топливно-
энергетического комплекса,
машиностроении, медицинской
технике, робототехнике, бытовой
технике
35. Разработка базовых технологий 249 94 110 45 - - создание базовых технологий и
микроакустоэлектромеханических --- -- --- -- комплектов необходимой
систем 161 61 70 30 технологической документации на
изготовление
микроакустоэлектромеханических
систем, основанных на
использовании поверхностных
акустических волн (диапазон
частот до 2 ГГц) и объемно-
акустических волн (диапазон
частот до 8 ГГц),
пьезокерамических элементов,
совместимых с интегральной
технологией микроэлектроники
36. Разработка базовых конструкций 418 - - 71 225 122 разработка базовых конструкций и
микроакустоэлектромеханических --- -- --- --- комплектов необходимой
систем 280 60 143 77 конструкторской документации на
изготовление пассивных
датчиков физических величин:
микроакселерометров;
микрогироскопов на поверхностных
акустических волнах;
датчиков давления и температуры;
датчиков деформации, крутящего
момента и микроперемещений;
резонаторов
37. Разработка базовых технологий 106 51 55 - - - создание базовых технологий
микроаналитических систем --- -- -- изготовления элементов
72 34 38 микроаналитических систем,
чувствительных к газовым,
химическим и биологическим
компонентам внешней среды,
предназначенных для использования
в аппаратуре жилищно-
коммунального хозяйства, в
медицинской и биомедицинской
технике для обнаружения
токсичных, горючих и взрывчатых
материалов
38. Разработка базовых конструкций 224 - - 64 102 58 создание базовых конструкций
микроаналитических систем --- -- --- -- микроаналитических систем,
164 30 86 48 предназначенных для аппаратуры
жилищно-коммунального хозяйства,
медицинской и биомедицинской
техники;
разработка датчиков и
аналитических систем миниатюрных
размеров с высокой
чувствительностью к сверхмалым
концентрациям химических веществ
для осуществления мониторинга
окружающей среды, контроля
качества пищевых продуктов и
контроля утечек опасных и вредных
веществ в технологических
процессах
39. Разработка базовых технологий 151 57 59 35 - - создание базовых технологий
микрооптоэлектромеханических --- -- -- -- выпуска трехмерных оптических и
систем 109 38 41 30 акустооптических функциональных
элементов,
микрооптоэлектромеханических
систем для коммутации и модуляции
оптического излучения,
акустооптических перестраиваемых
фильтров, двухмерных управляемых
матриц микрозеркал
микропереключателей и
фазовращателей
40. Разработка базовых конструкций 208 - - 35 112 61 разработка базовых конструкций и
микрооптоэлектромеханических --- -- --- -- комплектов, конструкторской
систем 145 30 75 40 документации на изготовление
микрооптоэлектромеханических
систем коммутации и модуляции
оптического излучения
41. Разработка базовых технологий 106 51 55 - - - создание базовых технологий
микросистем анализа магнитных --- -- -- изготовления микросистем анализа
полей 72 34 38 магнитных полей на основе
анизотропного и гигантского
магниторезистивного эффектов,
квазимонолитных и монолитных
гетеромагнитных пленочных
структур
42. Разработка базовых конструкций 214 - - 54 104 56 разработка базовых конструкций и
микросистем анализа магнитных --- -- --- -- комплектов конструкторской
полей 137 30 69 38 документации на
магниточувствительные
микросистемы для применения в
электронных системах управления
приводами, в датчиках положения и
| Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 |
<< Назад |
<<< Главная страница
карта новых документов |