НАЙТИ ДОКУМЕНТ
Постановление Правительства РФ от 29.01.2007 N 54 "О федеральной целевой программе "Национальная технологическая база" на 2007 - 2011 годы"
Архив июль 2009 года
<< Назад |
<<< Главная страница
Стр. 19
гетероэпитаксиальных структурах топологическими нормами до 0,18
кремния на сапфировой подложке мкм для производства электронной
для производства электронной компонентной базы специального и
компонентной базы специального и двойного назначения
двойного применения
67. Разработка технологии 191 45 54 92 - - создание технологии производства
производства высокоомного --- -- -- -- радиационно облученного кремния и
радиационно облученного кремния, 126 30 36 60 пластин кремния до 150 мм для
слитков и пластин кремния выпуска мощных транзисторов и
диаметром до 150 мм для сильноточных тиристоров нового
производства силовых поколения
полупроводниковых приборов
68. Разработка технологии 114 22 36 56 - - разработка и промышленное
производства кремниевых подложек --- -- -- -- освоение получения
и структур для силовых 83 20 24 39 высококачественных подложек и
полупроводниковых приборов с структур для использования в
глубокими высоколегированными производстве силовых
слоями p- и n-типов проводимости полупроводниковых приборов, с
и скрытыми слоями носителей с глубокими высоколегированными
повышенной рекомбинацией слоями и скрытыми слоями
носителей с повышенной
рекомбинацией
69. Разработка технологии 326 110 72 144 - - создание технологии производства
производства электронного --- --- -- --- пластин кремния диаметром до 200
кремния, кремниевых пластин 233 71 48 114 мм и эпитаксиальных структур
диаметром до 200 мм и кремниевых уровня 0,25 - 0,18 мкм
эпитаксиальных структур уровня
технологии 0,25 - 0,18 мкм
70. Разработка методологии, 232 - - - 109 123 разработка технологии
конструктивно-технических --- --- --- корпусирования интегральных схем
решений и перспективной базовой 161 78 83 и полупроводниковых приборов на
технологии корпусирования основе использования многослойных
интегральных схем и кремниевых структур со сквозными
полупроводниковых приборов на токопроводящими каналами,
основе использования обеспечивающей сокращение состава
многослойных кремниевых структур сборочных операций и формирование
со сквозными токопроводящими трехмерных структур
каналами
71. Разработка технологии 220 - - - 85 135 создание базовой технологии
производства гетероструктур SiGe --- -- --- производства гетероструктур SiGe
биполярной комплементарной 143 53 90 для выпуска быстродействующих
металл-окисел полупроводниковой сверхбольших интегральных схем с
технологии для разработки топологическими нормами 0,25 -
приборов с топологическими 0,18 мкм
нормами 0,25 - 0,18 мкм
72. Разработка технологии 78 32 28 18 - - создание технологии выращивания и
выращивания и обработки, в том -- -- -- -- обработки пьезоэлектрических
числе плазмохимической, новых 55 21 22 12 материалов акустоэлектроники и
пьезоэлектрических материалов акустооптики для обеспечения
для акустоэлектроники и производства широкой номенклатуры
акустооптики акустоэлектронных устройств
нового поколения
73. Разработка технологий 87 - - - 32 55 создание технологии массового
производства -- -- -- производства исходных материалов
соединений A3B5 и тройных 58 22 36 и структур для перспективных
структур для: приборов лазерной и
производства сверхмощных оптоэлектронной техники, в том
лазерных диодов; числе:
высокоэффективных светодиодов производства сверхмощных лазерных
белого, зеленого, синего и диодов;
ультрафиолетового диапазонов; высокоэффективных светодиодов
фотоприемников среднего белого, зеленого, синего и
инфракрасного диапазона ультрафиолетового диапазонов;
фотоприемников среднего
инфракрасного диапазона
74. Исследование и разработка 80 32 30 18 - - создание технологии производства
технологии получения -- -- -- -- принципиально новых материалов
гетероструктур с вертикальными 55 22 22 11 полупроводниковой электроники на
оптическими резонаторами на основе сложных композиций для
основе квантовых ям и квантовых перспективных приборов лазерной и
точек для производства оптоэлектронной техники
вертикально излучающих лазеров
для устройств передачи
информации и матриц для
оптоэлектронных переключателей
нового поколения
75. Разработка технологии 86 - - - 32 54 создание технологии производства
производства современных -- -- -- компонентов для
компонентов для 57 22 35 специализированных электронно-
специализированных лучевых;
фотоэлектронных приборов, в том электроннооптических и
числе: отклоняющих систем;
катодов и газопоглотителей; стеклооболочек и деталей из
электронно-оптических и электровакуумного стекла
отклоняющих систем; различных марок
стеклооболочек и деталей из
электровакуумного стекла
различных марок
76. Разработка технологии 80 33 30 17 - - создание технологии производства
производства особо тонких -- -- -- -- особо тонких гетерированных
гетерированных нанопримесями 54 22 20 12 нанопримесями полупроводниковых
полупроводниковых структур для структур для изготовления
высокоэффективных фотокатодов, высокоэффективных фотокатодов
электронно-оптических электронно-оптических
преобразователей и преобразователей и
фотоэлектронных умножителей, фотоэлектронных умножителей,
приемников инфракрасного приемников инфракрасного
диапазона, солнечных элементов и диапазона, солнечных элементов и
др., фотоэлектронных приборов с других приложений
высокими значениями коэффициента
полезного действия
77. Разработка базовой технологии 85 - - - 32 53 создание технологии
производства монокристаллов AlN -- -- -- монокристаллов AlN для
для изготовления изолирующих и 58 22 36 изготовления изолирующих и
проводящих подложек для проводящих подложек для создания
гетероструктур полупроводниковых
высокотемпературных и мощных
сверхвысокочастотных приборов
нового поколения
78. Разработка базовой технологии 80 33 30 17 - - создание базовой технологии
производства -- -- -- -- вакуумно-плотной спецстойкой
наноструктурированных оксидов 54 22 20 12 керамики из нанокристаллических
металлов (корунда и т.п.) для порошков и нитридов металлов для
производства вакуумно-плотной промышленного освоения
нанокерамики, в том числе с спецстойких приборов нового
заданными оптическими свойствами поколения, в том числе
микрочипов, сверхвысокочастотных
аттенюаторов, RLC-матриц, а также
особо прочной электронной
компонентной базы оптоэлектроники
и фотоники
79. Разработка базовой технологии 86 - - - 33 53 создание технологии производства
производства полимерных и -- -- -- полимерных и композиционных
гибридных органо-неорганических 58 21 37 материалов с использованием
наноструктурированных защитных поверхностной и объемной
материалов для электронных модификации полимеров
компонентов нового поколения наноструктурированными
прецизионных и наполнителями для создания
сверхвысокочастотных резисторов, изделий с высокой механической,
терминаторов, аттенюаторов и термической и радиационной
резисторно-индукционно-емкостных стойкостью при работе в условиях
матриц, стойких к воздействию длительной эксплуатации и
комплекса внешних и специальных воздействии комплекса специальных
факторов внешних факторов
Всего по направлению 5 3357 663 612 702 663 717
---- --- --- --- --- ---
2238 442 408 468 442 478
Направление 6 "Группы пассивной электронной компонентной базы"
80. Разработка технологии выпуска 57 24 18 15 - - разработка расширенного ряда
прецизионных -- -- -- -- резонаторов с повышенной
температуростабильных 38 16 12 10 кратковременной и долговременной
высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц стабильностью для создания
резонаторов на поверхностно контрольной и связной аппаратуры
акустических волнах до 1,5 ГГц с двойного назначения
полосой до 70 процентов и
длительностью сжатого сигнала до
2 - 5 нс
81. Разработка в лицензируемых и 120 - - 21 48 51 создание технологии и конструкции
нелицензируемых международных --- -- -- -- акустоэлектронных пассивных и
частотных диапазонах 860 МГц и 80 14 32 34 активных меток-транспондеров для
2,45 ГГц ряда радиочастотных применения в логистических
пассивных и активных приложениях на транспорте, в
акустоэлектронных меток- торговле и промышленности
транспондеров, в том числе
работающих в реальной помеховой
обстановке, для систем
радиочастотной идентификации и
систем управления доступом
82. Разработка базовой конструкции и 56 24 17 15 - - создание технологии
промышленной технологии -- -- -- -- проектирования и базовых
производства пьезокерамических 37 16 11 10 конструкций пьезоэлектрических
фильтров в корпусах для фильтров в малогабаритных
поверхностного монтажа корпусах для поверхностного
монтажа при изготовлении связной
аппаратуры массового применения
83. Разработка технологии 125 86 39 - - - создание базовой технологии
проектирования, базовой --- -- -- акустоэлектронных приборов для
технологии производства и 83 57 26 перспективных систем связи,
конструирования измерительной и навигационной
акустоэлектронных устройств аппаратуры нового поколения -
нового поколения и фильтров подвижных, спутниковых,
промежуточной частоты с высокими тропосферных и радиорелейных
характеристиками для современных линий связи, цифрового
систем связи, включая интерактивного телевидения,
высокоизбирательные радиоизмерительной аппаратуры,
высокочастотные устройства радиолокационных станций,
частотной селекции на спутниковых навигационных систем
поверхностных и приповерхностных
волнах и волнах Гуляева-
Блюштейна с предельно низким
уровнем вносимого затухания для
частотного диапазона до 5 ГГц
84. Разработка технологии 96 - - 33 63 - создание технологии производства
проектирования и базовой -- -- -- высокоинтегрированной электронной
технологии производства 64 22 42 компонентной базы типа "система в
функциональных законченных корпусе" для вновь
устройств стабилизации, селекции разрабатываемых и модернизируемых
частоты и обработки сигналов сложных радиоэлектронных систем и
типа "система в корпусе" комплексов
85. Разработка базовой конструкции и 69 - - - 48 21 создание базовой технологии (2010
технологии изготовления -- -- -- г.) и базовой конструкции
высокочастотных резонаторов и 46 32 14 микроминиатюрных высокодобротных
фильтров на объемных фильтров для малогабаритной и
акустических волнах для носимой аппаратуры навигации и
телекоммуникационных и связи
навигационных систем
86. Разработка технологии и базовой 80 50 30 - - - создание нового поколения
конструкции фоточувствительных -- -- -- оптоэлектронных приборов для
приборов с матричными 53 33 20 обеспечения задач предотвращения
приемниками высокого разрешения аварий и контроля
для видимого и ближнего
инфракрасного диапазона для
аппаратуры контроля изображений
87. Разработка базовой технологии 50 13 16 21 - - создание базовой технологии
унифицированных электронно- -- -- -- -- нового поколения приборов
оптических преобразователей, 33 9 10 14 контроля тепловых полей для задач
микроканальных пластин, теплоэнергетики, медицины,
пироэлектрических матриц и камер поисковой и контрольной
на их основе с чувствительностью аппаратуры на транспорте,
до 0,1 К и широкого продуктопроводах и в охранных
инфракрасного диапазона системах
88. Разработка базовой технологии 129 45 45 39 - - создание базовой технологии (2008
создания интегрированных --- -- -- -- г.) и конструкции новых типов
гибридных фотоэлектронных 85 30 30 25 приборов, сочетающих
высокочувствительных и фотоэлектронные и твердотельные
высокоразрешающих приборов и технологии, с целью получения
усилителей для задач экстремально достижимых
космического мониторинга и характеристик для задач контроля
специальных систем наблюдения, и наблюдения в системах двойного
научной и метрологической назначения
аппаратуры
89. Разработка базовых технологий 159 63 45 51 - - создание базовой технологии (2008
мощных полупроводниковых --- -- -- -- г.) и конструкций принципиально
лазерных диодов (непрерывного и 106 42 30 34 новых мощных диодных лазеров,
импульсного излучения) предназначенных для широкого
специализированных лазерных применения в изделиях двойного
полупроводниковых диодов, назначения, медицины,
фотодиодов и лазерных волоконно- полиграфического оборудования и
оптических модулей для создания системах открытой оптической
аппаратуры и систем нового связи
поколения
90. Разработка и освоение базовых 98 - - 15 60 23 разработка базового комплекта
технологий для лазерных -- -- -- -- основных оптоэлектронных
навигационных приборов, включая 65 10 40 15 компонентов для лазерных
интегральный оптический модуль гироскопов широкого применения
лазерного гироскопа на базе (2010 г.), создание комплекса
сверхмалогабаритных кольцевых технологий обработки и
полупроводниковых лазеров формирования структурных и
инфракрасного диапазона, приборных элементов, оборудования
оптоэлектронные компоненты для контроля и аттестации,
широкого класса инерциальных обеспечивающих новый уровень
лазерных систем управления технико-экономических показателей
движением гражданских и производства
специальных средств транспорта
91. Разработка базовых конструкций и 74 27 22 25 - - создание базовой технологии
технологий создания квантово- -- -- -- -- твердотельных чип-лазеров для
электронных приемо-передающих 50 18 15 17 лазерных дальномеров,
модулей для малогабаритных твердотельных лазеров с
лазерных дальномеров нового пикосекундными длительностями
поколения на основе импульсов для установок по
твердотельных чип-лазеров с прецизионной обработке
полупроводниковой накачкой, композитных материалов, для
технологических лазерных создания элементов и изделий
установок широкого спектрального микромашиностроения и в
диапазона производстве электронной
компонентной базы нового
поколения, мощных лазеров для
применения в машиностроении,
авиастроении, автомобилестроении,
судостроении, в составе
промышленных технологических
установок обработки и сборки,
систем экологического мониторинга
окружающей среды, контроля
выбросов патогенных веществ,
контроля утечек в
продуктопроводах
| Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 |
<< Назад |
<<< Главная страница
карта новых документов | 
