Леваневский Валерий Законодательство Беларуси 2011 год
Загрузить Adobe Flash Player

  Главная

  Законодательство РБ

  Кодексы Беларуси

  Законодательные и нормативные акты по дате принятия

  Законодательные и нормативные акты принятые различными органами власти

  Законодательные и нормативные акты по темам

  Законодательные и нормативные акты по виду документы

  Международное право в Беларуси

  Законодательство СССР

  Законы других стран

  Кодексы

  Законодательство РФ

  Право Украины

  Полезные ресурсы

  Контакты

  Новости сайта

  Поиск документа


Полезные ресурсы

- Таможенный кодекс таможенного союза

- Каталог предприятий и организаций СНГ

- Законодательство Республики Беларусь по темам

- Законодательство Республики Беларусь по дате принятия

- Законодательство Республики Беларусь по органу принятия

- Законы Республики Беларусь

- Новости законодательства Беларуси

- Тюрьмы Беларуси

- Законодательство России

- Деловая Украина

- Автомобильный портал

- The legislation of the Great Britain


Правовые новости





Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 22.12.2006 N 14/129 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"

Документ утратил силу

Архив ноябрь 2011 года

<< Назад | <<< Главная страница

Стр. 13

Стр.1 ... | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | ... Стр.28

¦             ¦б) системы с индуктивными           ¦               ¦
¦             ¦дифференциальными датчиками, имеющие¦               ¦
¦             ¦все следующие характеристики:       ¦               ¦
¦             ¦линейность, равную или меньше       ¦               ¦
¦             ¦(лучше) 0,1%, в диапазоне измерений ¦               ¦
¦             ¦до 5 мм; и                          ¦               ¦
¦             ¦дрейф, равный или меньше (лучше)    ¦               ¦
¦             ¦0,1% в день, при стандартной        ¦               ¦
¦             ¦комнатной температуре +/- 1 К; или  ¦               ¦
¦             ¦в) измерительные системы, имеющие   ¦               ¦
¦             ¦все следующие составляющие:         ¦               ¦
¦             ¦содержащие лазер; и                 ¦               ¦
¦             ¦сохраняющие в течение по крайней    ¦               ¦
¦             ¦мере 12 часов при колебаниях        ¦               ¦
¦             ¦окружающей температуры +/- 1 К      ¦               ¦
¦             ¦относительно стандартной температуры¦               ¦
¦             ¦и нормальном атмосферном давлении   ¦               ¦
¦             ¦все следующие характеристики:       ¦               ¦
¦             ¦разрешение на полной шкале 0,1 мкм  ¦               ¦
¦             ¦или меньше (лучше); и               ¦               ¦
¦             ¦погрешность измерения, равную или   ¦               ¦
¦             ¦меньше (лучше) (0,2 + L / 2000) мкм ¦               ¦
¦             ¦(L - измеряемая длина в миллиметрах)¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦По пункту 2.2.6.2.1 не контролируются измерительные               ¦
¦интерферометрические системы без обратной связи с замкнутым или   ¦
¦открытым контуром, содержащие лазер для измерения погрешностей    ¦
¦перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения      ¦
¦размеров или другого подобного оборудования                       ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Техническое примечание.                                           ¦
¦Для целей пункта 2.2.6.2.1 линейное перемещение означает          ¦
¦изменение расстояния между измеряющим элементом и контролируемым  ¦
¦объектом                                                          ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.6.2.2    ¦Приборы для измерения угловых       ¦9031 49 000 0; ¦
¦             ¦перемещений с погрешностью измерения¦9031 80 320 0; ¦
¦             ¦по угловой координате, равной или   ¦9031 80 340 0; ¦
¦             ¦меньше (лучше) 0,00025  град.       ¦9031 80 910 0  ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦По пункту 2.2.6.2.2 не контролируются оптические приборы, такие,  ¦
¦как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, ¦
¦лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала        ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.6.3      ¦Оборудование для измерения чистоты  ¦9031 49 000 0  ¦
¦             ¦поверхности с применением           ¦               ¦
¦             ¦оптического рассеяния как функции   ¦               ¦
¦             ¦угла с чувствительностью 0,5 нм или ¦               ¦
¦             ¦менее (лучше)                       ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦Станки, которые могут быть использованы в качестве средств        ¦
¦измерения, подлежат контролю, если их параметры соответствуют или ¦
¦превосходят критерии, установленные для параметров станков или    ¦
¦измерительных приборов                                            ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.7        ¦Роботы, имеющие любую из            ¦8479 50 000 0; ¦
¦             ¦нижеперечисленных характеристик, и  ¦8537 10 100 0; ¦
¦             ¦специально разработанные для них    ¦8537 10 910 0; ¦
¦             ¦устройства управления и рабочие     ¦8537 10 990 0  ¦
¦             ¦органы:                             ¦               ¦
¦             ¦а) способность в реальном масштабе  ¦               ¦
¦             ¦времени осуществлять полную         ¦               ¦
¦             ¦трехмерную обработку изображений или¦               ¦
¦             ¦полный трехмерный анализ сцены с    ¦               ¦
¦             ¦генерированием или модификацией     ¦               ¦
¦             ¦программ либо с генерированием или  ¦               ¦
¦             ¦модификацией данных для числового   ¦               ¦
¦             ¦программного управления             ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Техническое примечание.                                           ¦
¦а) ограничения по анализу сцены не включают аппроксимацию         ¦
¦третьего измерения по результатам наблюдения под заданным углом   ¦
¦или ограниченную черно-белую интерпретацию восприятия глубины или ¦
¦текстуры для утвержденных заданий (21/2 D)                        ¦
¦б) специально разработанные в соответствии с национальными        ¦
¦стандартами безопасности применительно к условиям работы со       ¦
¦взрывчатыми веществами военного назначения                        ¦
¦в) специально разработанные или оцениваемые как радиационно-      ¦
¦                                   3                5             ¦
¦стойкие, выдерживающие более 5 x 10  Гр (Si) [5 x 10  рад] без    ¦
¦ухудшения эксплуатационных характеристик; или                     ¦
¦г) специально разработанные для работы на высотах, превышающих    ¦
¦30000 м                                                           ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.8        ¦Узлы или блоки, специально          ¦               ¦
¦             ¦разработанные для станков, или      ¦               ¦
¦             ¦системы для контроля или измерения  ¦               ¦
¦             ¦размеров:                           ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.8.1      ¦Линейные измерительные элементы     ¦9031           ¦
¦             ¦обратной связи (например, устройства¦               ¦
¦             ¦индуктивного типа, калиброванные    ¦               ¦
¦             ¦шкалы, инфракрасные системы или     ¦               ¦
¦             ¦лазерные системы), имеющие полную   ¦               ¦
¦             ¦точность менее (лучше)              ¦               ¦
¦             ¦                    3               ¦               ¦
¦             ¦[800 + (600 x L x 10 )] нм (L -     ¦               ¦
¦             ¦эффективная длина в миллиметрах)    ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Особое Примечание.                                                ¦
¦Для лазерных систем применяется также примечание к пункту         ¦
¦2.2.6.2.1                                                         ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.8.2      ¦Угловые измерительные элементы      ¦9031           ¦
¦             ¦обратной связи (например, устройства¦               ¦
¦             ¦индуктивного типа, калиброванные    ¦               ¦
¦             ¦шкалы, инфракрасные системы или     ¦               ¦
¦             ¦лазерные системы), имеющие точность ¦               ¦
¦             ¦менее (лучше) 0,00025 град.         ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Особое Примечание.                                                ¦
¦Для лазерных систем применяется также примечание к пункту         ¦
¦2.2.6.2.1                                                         ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.8.3      ¦Составные поворотные столы или      ¦8466           ¦
¦             ¦качающиеся шпиндели, применение     ¦               ¦
¦             ¦которых в соответствии с            ¦               ¦
¦             ¦техническими характеристиками       ¦               ¦
¦             ¦изготовителя может модифицировать   ¦               ¦
¦             ¦станки до уровня, указанного в      ¦               ¦
¦             ¦пункте 2.2, или выше                ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.9        ¦Обкатные вальцовочные и гибочные    ¦8462 21 100 0; ¦
¦             ¦станки, которые в соответствии с    ¦8462 21 800 0; ¦
¦             ¦технической документацией           ¦8463 90 000 0  ¦
¦             ¦производителя могут быть оборудованы¦               ¦
¦             ¦блоками числового программного      ¦               ¦
¦             ¦управления или компьютерным         ¦               ¦
¦             ¦управлением и которые имеют все     ¦               ¦
¦             ¦следующие характеристики:           ¦               ¦
¦             ¦а) две или более контролируемые оси,¦               ¦
¦             ¦по крайней мере две из которых могут¦               ¦
¦             ¦быть одновременно скоординированы   ¦               ¦
¦             ¦для контурного управления; и        ¦               ¦
¦             ¦б) усилие на ролике более 60 кН     ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Техническое примечание.                                           ¦
¦Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных     ¦
¦станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.9 как относящиеся к ¦
¦гибочным станкам                                                  ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.3          ¦Материалы - нет                     ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.4          ¦Программное обеспечение             ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.4.1        ¦Программное обеспечение иное, чем   ¦               ¦
¦             ¦контролируемое по пункту 2.4.2,     ¦               ¦
¦             ¦специально разработанное или        ¦               ¦
¦             ¦модифицированное для разработки,    ¦               ¦
¦             ¦производства или применения         ¦               ¦
¦             ¦оборудования, контролируемого по    ¦               ¦
¦             ¦пункту 2.1 или 2.2                  ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.4.2        ¦Программное обеспечение для         ¦               ¦
¦             ¦электронных устройств, в том числе  ¦               ¦
¦             ¦встроенное в электронное устройство ¦               ¦
¦             ¦или систему, дающее возможность     ¦               ¦
¦             ¦таким устройствам или системам      ¦               ¦
¦             ¦функционировать как блок ЧПУ,       ¦               ¦
¦             ¦способный координировать            ¦               ¦
¦             ¦одновременно более четырех осей для ¦               ¦
¦             ¦контурного управления               ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Примечания:                                                       ¦
¦1. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение,     ¦
¦специально разработанное или модифицированное для работы станков, ¦
¦не контролируемых по пунктам категории 2                          ¦
¦2. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение для  ¦
¦изделий, контролируемых по пункту 2.2.2. В отношении контроля за  ¦
¦программным обеспечением для изделий, контролируемых по пункту    ¦
¦2.2.2, см. пункт 2.4.1                                            ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Особое Примечание.                                                ¦
¦В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1,  ¦
¦см. также пункт 2.4.1 раздела 2                                   ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5          ¦Технология                          ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.1        ¦Технологии в соответствии с общим   ¦               ¦
¦             ¦технологическим примечанием для     ¦               ¦
¦             ¦разработки оборудования или         ¦               ¦
¦             ¦программного обеспечения,           ¦               ¦
¦             ¦контролируемых по пункту 2.1, 2.2   ¦               ¦
¦             ¦или 2.4                             ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.2        ¦Технологии в соответствии с общим   ¦               ¦
¦             ¦технологическим примечанием для     ¦               ¦
¦             ¦производства оборудования,          ¦               ¦
¦             ¦контролируемого по пункту 2.1 или   ¦               ¦
¦             ¦2.2                                 ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Особое Примечание.                                                ¦
¦В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2,        ¦
¦см. также пункт 2.5.1 раздела 2                                   ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3        ¦Иные нижеследующие технологии:      ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.1      ¦Технологии для разработки           ¦               ¦
¦             ¦интерактивной графики как встроенной¦               ¦
¦             ¦части блока числового программного  ¦               ¦
¦             ¦управления для подготовки или       ¦               ¦
¦             ¦модификации программ обработки      ¦               ¦
¦             ¦деталей                             ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.2      ¦Технологии для производственных     ¦               ¦
¦             ¦процессов металлообработки:         ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.2.1    ¦Технологии для проектирования       ¦               ¦
¦             ¦инструмента, пресс-форм или зажимных¦               ¦
¦             ¦приспособлений, специально          ¦               ¦
¦             ¦разработанные для любого из         ¦               ¦
¦             ¦следующих процессов:                ¦               ¦
¦             ¦а) формообразования в условиях      ¦               ¦
¦             ¦сверхпластичности                   ¦               ¦
¦             ¦б) диффузионной сварки; или         ¦               ¦
¦             ¦в) гидравлического прессования      ¦               ¦
¦             ¦прямого действия                    ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.2.2    ¦Технические данные, включающие      ¦               ¦
¦             ¦описание технологического процесса  ¦               ¦
¦             ¦или его параметры:                  ¦               ¦
¦             ¦а) для формообразования в условиях  ¦               ¦
¦             ¦сверхпластичности изделий из        ¦               ¦
¦             ¦алюминиевых, титановых сплавов или  ¦               ¦
¦             ¦суперсплавов:                       ¦               ¦
¦             ¦подготовка поверхности              ¦               ¦
¦             ¦скорость деформации                 ¦               ¦
¦             ¦температура                         ¦               ¦
¦             ¦давление                            ¦               ¦
¦             ¦б) для диффузионной сварки титановых¦               ¦
¦             ¦сплавов или суперсплавов:           ¦               ¦
¦             ¦подготовка поверхности              ¦               ¦
¦             ¦температура                         ¦               ¦
¦             ¦давление                            ¦               ¦
¦             ¦в) для гидравлического прессования  ¦               ¦
¦             ¦прямого действия алюминиевых или    ¦               ¦
¦             ¦титановых сплавов:                  ¦               ¦
¦             ¦давление                            ¦               ¦
¦             ¦время цикла                         ¦               ¦
¦             ¦г) для горячего изостатического     ¦               ¦
¦             ¦уплотнения титановых, алюминиевых   ¦               ¦
¦             ¦сплавов или суперсплавов:           ¦               ¦
¦             ¦температура                         ¦               ¦
¦             ¦давление                            ¦               ¦
¦             ¦время цикла                         ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.3      ¦Технологии для разработки или       ¦               ¦
¦             ¦производства гидравлических прессов ¦               ¦
¦             ¦для штамповки с вытяжкой и          ¦               ¦
¦             ¦соответствующих матриц для          ¦               ¦
¦             ¦изготовления конструкций корпусов   ¦               ¦
¦             ¦летательных аппаратов               ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.4      ¦Технологии для разработки           ¦               ¦
¦             ¦генераторов машинных команд для     ¦               ¦
¦             ¦управления станком (например,       ¦               ¦
¦             ¦программ обработки деталей) на      ¦               ¦
¦             ¦основе проектных данных, хранимых в ¦               ¦
¦             ¦блоках числового программного       ¦               ¦
¦             ¦управления                          ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.5      ¦Технологии для разработки           ¦               ¦
¦             ¦комплексного программного           ¦               ¦
¦             ¦обеспечения для включения экспертных¦               ¦
¦             ¦систем, повышающих в заводских      ¦               ¦
¦             ¦условиях операционные возможности   ¦               ¦
¦             ¦блоков числового программного       ¦               ¦
¦             ¦управления                          ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.6      ¦Технологии для осаждения, обработки ¦               ¦
¦             ¦и активного управления процессом    ¦               ¦
¦             ¦нанесения внешних слоев             ¦               ¦
¦             ¦неорганических покрытий, иных       ¦               ¦
¦             ¦покрытий и модификации поверхности  ¦               ¦
¦             ¦(за исключением формирования        ¦               ¦
¦             ¦подложек для электронных схем) с    ¦               ¦
¦             ¦использованием процессов, указанных ¦               ¦
¦             ¦в таблице к настоящему пункту и     ¦               ¦
¦             ¦примечаниях к ней                   ¦               ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Особое Примечание.                                                ¦
¦Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного      ¦
¦процесса нанесения покрытия подлежит экспортному контролю только  ¦
¦при указанных в ней сочетаниях позиций в колонках "Получаемое     ¦
¦покрытие" и "Подложки".                                           ¦
¦Например, подлежат контролю технические характеристики процесса   ¦
¦нанесения силицидного покрытия методом химического осаждения из   ¦
¦паровой фазы (CVD) на подложки из углерод-углерода и              ¦
¦композиционных материалов с керамической или металлической        ¦
¦матрицей. Однако, если подложка выполнена из металлокерамическогоо¦
¦карбида вольфрама (16) или карбида кремния (18), контроль не      ¦
¦требуется, так как во втором случае получаемое покрытие не        ¦
¦указано в соответствующей колонке для этих подложек               ¦
¦(металлокерамический карбид вольфрама и карбид кремния)           ¦
--------------------------------------------------------------------

Таблица к пункту 2.5.3.6 Технические приемы нанесения покрытий


-------------------+---------------------+--------------------------
¦Процесс нанесения ¦Подложки             ¦Получаемое покрытие      ¦
¦покрытия (1)      ¦                     ¦                         ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦1. Химическое     ¦суперсплавы          ¦алюминиды на поверхности ¦
¦осаждение из      ¦                     ¦внутренних каналов       ¦
¦паровой фазы (CVD)+---------------------+-------------------------+
¦                  ¦керамика (19) и      ¦силициды, карбиды,       ¦
¦                  ¦стекла с малым       ¦диэлектрические слои     ¦
¦                  ¦коэффициентом        ¦(15), алмаз,             ¦
¦                  ¦линейного расширения ¦алмазоподобный углерод   ¦
¦                  ¦(14)                 ¦(17)                     ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦углерод-углерод,     ¦силициды, карбиды,       ¦
¦                  ¦композиционные       ¦тугоплавкие металлы,     ¦
¦                  ¦материалы с          ¦смеси перечисленных выше ¦
¦                  ¦керамической или     ¦материалов (4),          ¦
¦                  ¦металлической        ¦диэлектрические слои     ¦
¦                  ¦матрицей             ¦(15), алюминиды, сплавы  ¦
¦                  ¦                     ¦на основе алюминидов (2),¦
¦                  ¦                     ¦нитрид бора              ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦металлокерамический  ¦карбиды, вольфрам, смеси ¦
¦                  ¦карбид вольфрама     ¦перечисленных выше       ¦
¦                  ¦(16), карбид кремния ¦материалов (4),          ¦
¦                  ¦(18)                 ¦диэлектрические слои (15)¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦молибден и его сплавы¦диэлектрические слои (15)¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦бериллий и его сплавы¦диэлектрические слои     ¦
¦                  ¦                     ¦(15), алмаз,             ¦
¦                  ¦                     ¦алмазоподобный углерод   ¦
¦                  ¦                     ¦(17)                     ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦материалы окон       ¦диэлектрические слои     ¦
¦                  ¦датчиков (9)         ¦(15), алмаз,             ¦
¦                  ¦                     ¦алмазоподобный углерод   ¦
¦                  ¦                     ¦(17)                     ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦2. Физическое     ¦                     ¦                         ¦
¦осаждение из      ¦                     ¦                         ¦
¦паровой фазы,     ¦                     ¦                         ¦
¦получаемой        ¦                     ¦                         ¦
¦нагревом          ¦                     ¦                         ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦2.1. Физическое   ¦суперсплавы          ¦сплавы на основе         ¦
¦осаждение из      ¦                     ¦силицидов, сплавы на     ¦
¦паровой фазы,     ¦                     ¦основе алюминидов (2),   ¦
¦полученной        ¦                     ¦MCrAlX (5),              ¦
¦нагревом          ¦                     ¦модифицированный диоксид ¦
¦электронным пучком¦                     ¦циркония (12), силициды, ¦
¦                  ¦                     ¦алюминиды, смеси         ¦
¦                  ¦                     ¦перечисленных выше       ¦
¦                  ¦                     ¦материалов (4)           ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦керамика (19) и      ¦диэлектрические слои (15)¦
¦                  ¦стекла с малым       ¦                         ¦
¦                  ¦коэффициентом        ¦                         ¦
¦                  ¦линейного расширения ¦                         ¦
¦                  ¦(14)                 ¦                         ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦коррозионностойкие   ¦MCrAlX (5),              ¦
¦                  ¦стали (7)            ¦модифицированный диоксид ¦
¦                  ¦                     ¦циркония (12), смеси     ¦
¦                  ¦                     ¦перечисленных выше       ¦
¦                  ¦                     ¦материалов (4)           ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦углерод-углерод,     ¦силициды, карбиды,       ¦
¦                  ¦композиционные       ¦тугоплавкие металлы,     ¦
¦                  ¦материалы с          ¦смеси перечисленных выше ¦
¦                  ¦керамической или     ¦материалов (4),          ¦
¦                  ¦металлической        ¦диэлектрические слои     ¦
¦                  ¦матрицей             ¦(15), нитрид бора        ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦металлокерамический  ¦карбиды, вольфрам, смеси ¦
¦                  ¦карбид вольфрама     ¦перечисленных выше       ¦
¦                  ¦(16), карбид кремния ¦материалов (4),          ¦
¦                  ¦(18)                 ¦диэлектрические слои (15)¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦молибден и его сплавы¦диэлектрические слои (15)¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦бериллий и его сплавы¦диэлектрические слои     ¦
¦                  ¦                     ¦(15), бориды, бериллий   ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦материалы окон       ¦диэлектрические слои (15)¦
¦                  ¦датчиков (9)         ¦                         ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦титановые сплавы (13)¦бориды, нитриды          ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦2.2. Ионно-       ¦керамика (19) и      ¦диэлектрические слои     ¦
¦ассистированное   ¦стекла с малым       ¦(15), алмазоподобный     ¦
¦физическое        ¦коэффициентом        ¦углерод                  ¦
¦осаждение из      ¦линейного расширения ¦                         ¦
¦паровой фазы,     ¦(14)                 ¦                         ¦
¦полученной        +---------------------+-------------------------+
¦резистивным       ¦углерод-углерод,     ¦диэлектрические слои (15)¦
¦нагревом (ионное  ¦композиционные       ¦                         ¦
¦осаждение)        ¦материалы с          ¦                         ¦
¦                  ¦керамической или     ¦                         ¦
¦                  ¦металлической        ¦                         ¦
¦                  ¦матрицей             ¦                         ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦металлокерамический  ¦диэлектрические слои (15)¦
¦                  ¦карбид вольфрама     ¦                         ¦
¦                  ¦(16), карбид кремния ¦                         ¦
¦                  ¦(18)                 ¦                         ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦молибден и его сплавы¦диэлектрические слои (15)¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦бериллий и его сплавы¦диэлектрические слои (15)¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦материалы окон       ¦диэлектрические слои     ¦
¦                  ¦датчиков (9)         ¦(15), алмазоподобный     ¦
¦                  ¦                     ¦углерод (17)             ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦2.3. Физическое   ¦керамика (19) и      ¦силициды, диэлектрические¦
¦осаждение из      ¦стекла с малым       ¦слои (15), алмазоподобный¦
¦паровой фазы,     ¦коэффициентом        ¦углерод (17)             ¦
¦полученной        ¦линейного расширения ¦                         ¦
¦лазерным нагревом ¦(14)                 ¦                         ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦углерод-углерод,     ¦диэлектрические слои (15)¦
¦                  ¦композиционные       ¦                         ¦
¦                  ¦материалы с          ¦                         ¦
¦                  ¦керамической или     ¦                         ¦
¦                  ¦металлической        ¦                         ¦
¦                  ¦матрицей             ¦                         ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦металлокерамический  ¦диэлектрические слои (15)¦
¦                  ¦карбид вольфрама     ¦                         ¦
¦                  ¦(16), карбид кремния ¦                         ¦
¦                  ¦(18)                 ¦                         ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦молибден и его сплавы¦диэлектрические слои (15)¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦бериллий и его сплавы¦диэлектрические слои (15)¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦материалы окон       ¦диэлектрические слои     ¦
¦                  ¦датчиков (9)         ¦(15), алмазоподобный     ¦
¦                  ¦                     ¦углерод (17)             ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦2.4. Физическое   ¦суперсплавы полимеры ¦сплавы на основе         ¦
¦осаждение из      ¦(11) и композиционные¦силицидов, сплавы на     ¦
¦паровой фазы,     ¦материалы с          ¦основе алюминидов (2),   ¦
¦полученной        ¦органической матрицей¦MCrAlX (5) бориды,       ¦
¦катодно-дуговым   ¦                     ¦карбиды, нитриды,        ¦
¦разрядом          ¦                     ¦алмазоподобный углерод   ¦
¦                  ¦                     ¦(17)                     ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦3. Твердофазное   ¦углерод-углерод,     ¦силициды, карбиды, смеси ¦
¦диффузионное      ¦композиционные       ¦перечисленных выше       ¦
¦насыщение (10)    ¦материалы с          ¦материалов (4)           ¦
¦                  ¦керамической или     ¦                         ¦
¦                  ¦металлической        ¦                         ¦
¦                  ¦матрицей             ¦                         ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦титановые сплавы (13)¦силициды, алюминиды,     ¦
¦                  ¦                     ¦сплавы на основе         ¦
¦                  ¦                     ¦алюминидов (2)           ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦тугоплавкие металлы и¦силициды, оксиды         ¦
¦                  ¦сплавы (8)           ¦                         ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦4. Плазменное     ¦суперсплавы          ¦MCrAlX (5),              ¦
¦напыление         ¦                     ¦модифицированный диоксид ¦
¦                  ¦                     ¦циркония (12), смеси     ¦
¦                  ¦                     ¦перечисленных выше       ¦
¦                  ¦                     ¦материалов (4),          ¦
¦                  ¦                     ¦истираемый никель-       ¦
¦                  ¦                     ¦графитовый материал,     ¦
¦                  ¦                     ¦истираемый никель-хром-  ¦
¦                  ¦                     ¦алюминиевый сплав,       ¦
¦                  ¦                     ¦истираемый алюминиево-   ¦
¦                  ¦                     ¦кремниевый сплав,        ¦
¦                  ¦                     ¦содержащий полиэфир,     ¦
¦                  ¦                     ¦сплавы на основе         ¦
¦                  ¦                     ¦алюминидов (2)           ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦алюминиевые сплавы   ¦MCrAlX (5),              ¦
¦                  ¦(6)                  ¦модифицированный диоксид ¦
¦                  ¦                     ¦циркония (12), силициды, ¦
¦                  ¦                     ¦смеси перечисленных выше ¦
¦                  ¦                     ¦материалов (4)           ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦тугоплавкие металлы и¦алюминиды, силициды,     ¦
¦                  ¦сплавы (8)           ¦карбиды                  ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦коррозионностойкие   ¦MCrAlX (5),              ¦
¦                  ¦стали (7)            ¦модифицированный диоксид ¦
¦                  ¦                     ¦циркония (12), смеси     ¦
¦                  ¦                     ¦перечисленных выше       ¦
¦                  ¦                     ¦материалов (4)           ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦титановые сплавы (13)¦карбиды, алюминиды,      ¦
¦                  ¦                     ¦силициды, сплавы на      ¦
¦                  ¦                     ¦основе алюминидов (2),   ¦
¦                  ¦                     ¦истираемый никель-       ¦
¦                  ¦                     ¦графитовый материал,     ¦
¦                  ¦                     ¦истираемый никель-хром-  ¦
¦                  ¦                     ¦алюминиевый сплав,       ¦
¦                  ¦                     ¦истираемый алюминиево-   ¦
¦                  ¦                     ¦кремниевый сплав,        ¦
¦                  ¦                     ¦содержащий полиэфир      ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦5. Нанесение      ¦тугоплавкие металлы и¦оплавленные силициды,    ¦
¦шликера           ¦сплавы (8)           ¦оплавленные алюминиды    ¦
¦                  ¦                     ¦(кроме резистивных       ¦
¦                  ¦                     ¦нагревательных элементов)¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦углерод-углерод,     ¦силициды, карбиды, смеси ¦
¦                  ¦композиционные       ¦перечисленных выше       ¦
¦                  ¦материалы с          ¦материалов (4)           ¦
¦                  ¦керамической или     ¦                         ¦
¦                  ¦металлической        ¦                         ¦
¦                  ¦матрицей             ¦                         ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦6. Осаждение      ¦суперсплавы          ¦сплавы на основе         ¦
¦распылением       ¦                     ¦силицидов, сплавы на     ¦
¦                  ¦                     ¦основе алюминидов (2),   ¦
¦                  ¦                     ¦алюминиды,               ¦
¦                  ¦                     ¦модифицированные         ¦
¦                  ¦                     ¦благородным металлом (3),¦
¦                  ¦                     ¦MCrAlX (5),              ¦
¦                  ¦                     ¦модифицированный диоксид ¦
¦                  ¦                     ¦циркония (12), платина,  ¦
¦                  ¦                     ¦смеси перечисленных выше ¦
¦                  ¦                     ¦материалов (4)           ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦керамика (19) и      ¦силициды, платина, смеси ¦
¦                  ¦стекла с малым       ¦перечисленных выше       ¦
¦                  ¦коэффициентом        ¦материалов (4),          ¦
¦                  ¦линейного расширения ¦диэлектрические слои     ¦
¦                  ¦(14)                 ¦(15), алмазоподобный     ¦
¦                  ¦                     ¦углерод (17)             ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦титановые сплавы (13)¦бориды, нитриды, оксиды, ¦
¦                  ¦                     ¦силициды, алюминиды,     ¦
¦                  ¦                     ¦сплавы на основе         ¦
¦                  ¦                     ¦алюминидов (2), карбиды  ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦углерод-углерод,     ¦силициды, карбиды,       ¦
¦                  ¦композиционные       ¦тугоплавкие металлы,     ¦
¦                  ¦материалы с          ¦смеси перечисленных выше ¦
¦                  ¦керамической или     ¦материалов (4),          ¦
¦                  ¦металлической        ¦диэлектрические слои     ¦
¦                  ¦матрицей             ¦(15), нитрид бора        ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦металлокерамический  ¦карбиды, вольфрам, смеси ¦
¦                  ¦карбид вольфрама     ¦перечисленных выше       ¦
¦                  ¦(16), карбид кремния ¦материалов (4),          ¦
¦                  ¦(18)                 ¦диэлектрические слои     ¦
¦                  ¦                     ¦(15), нитрид бора        ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦молибден и его сплавы¦диэлектрические слои (15)¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦бериллий и его сплавы¦бориды, диэлектрические  ¦
¦                  ¦                     ¦слои (15), бериллий      ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦материалы окон       ¦диэлектрические слои     ¦
¦                  ¦датчиков (9)         ¦(15), алмазоподобный     ¦
¦                  ¦                     ¦углерод (17)             ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦тугоплавкие металлы и¦алюминиды, силициды,     ¦
¦                  ¦сплавы (8)           ¦оксиды, карбиды          ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦7. Ионная         ¦высокотемпературные  ¦присадки хрома, тантала  ¦
¦имплантация       ¦подшипниковые стали  ¦или ниобия               ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦титановые сплавы (13)¦бориды, нитриды          ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦бериллий и его сплавы¦бориды                   ¦
¦                  +---------------------+-------------------------+
¦                  ¦металлокерамический  ¦карбиды, нитриды         ¦
¦                  ¦карбид вольфрама (16)¦                         ¦
-------------------+---------------------+--------------------------

Примечания к таблице:

1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий

2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов

3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия

4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые;

при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице.

5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, x - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:

а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;

б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;

в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия

6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20 град. C)

7. Термин "коррозионностойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта

8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал

9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний

10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2.

11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны

12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются

13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20 град. C)

    14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения  включают
стекла,  имеющие   измеренный  при  температуре  293 К (20 град. C)
                                   -7  -1
коэффициент линейного расширения 10  K    или менее

15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл

16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома-никель

17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы

18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением

19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, а также в сочетании с другими компонентами

Технические примечания к таблице:

Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:

1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера

Особые примечания:

а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;

б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;

в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении


2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.

Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.

Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:

а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;

б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;

в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;

г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой разряд, который инициируется на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку

Особое примечание.

Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку


д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса

3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:

а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);

б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и

в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.

Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757 град. C) до 1375 К (1102 град. C) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия

4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости

Особые примечания:

а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;

б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20 град. C) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с.


5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия

6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку

Особые примечания:

а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;

б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ)


7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением


Некоторые пояснения к таблице

Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:

1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:

1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:

1.1.1. Состав раствора:

1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;

1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;

1.1.2. Время обработки;

1.1.3. Температура ванны;

1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;

1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;

1.3. Параметры цикла термообработки:

1.3.1. Атмосферные параметры:

1.3.1.1. Состав атмосферы;

1.3.1.2. Давление;

1.3.2. Температура термообработки;

1.3.3. Время термообработки;

1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:

1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:

1.4.1.1. Состав крошки, дроби;

1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;

1.4.1.3. Скорость крошки;

1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;

1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;

1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;

1.5. Параметры маски:

1.5.1. Материал маски;

1.5.2. Расположение маски

2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:

2.1. Параметры атмосферы:

2.1.1. Состав;

2.1.2. Давление;

2.2. Время;

2.3. Температура;

2.4. Толщина;

2.5. Коэффициент преломления;

2.6. Контроль состава покрытия

3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:

3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:

3.1.1. Состав дроби;

3.1.2. Размер дроби;

3.1.3. Скорость дроби;

3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;

3.3. Параметры цикла термообработки:

3.3.1. Параметры атмосферы:

3.3.1.1. Состав;

3.3.1.2. Давление;

3.3.2. Температура и время цикла;

3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки

4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:

4.1. Критерии для статистической выборки;

4.2. Микроскопические критерии для:

4.2.1. Увеличения;

4.2.2. Равномерности толщины покрытия;

4.2.3. Целостности покрытия;

4.2.4. Состава покрытия;

4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;

4.2.6. Микроструктурной однородности;

4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):

4.3.1. Коэффициент отражения;

4.3.2. Коэффициент пропускания;

4.3.3. Поглощение;

4.3.4. Рассеяние

5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:

5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):

5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;

5.1.2. Состав газа-носителя;

5.1.3. Температура подложки;

5.1.4. Температура - время - давление циклов;

5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;

5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:

5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;

5.2.2. Температура подложки;

5.2.3. Состав газа-реагента;

5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;

5.2.5. Температура - время - давление циклов;

5.2.6. Управление пучком и подложкой;

5.2.7. Параметры лазера:

5.2.7.1. Длина волны;

5.2.7.2. Плотность мощности;

5.2.7.3. Длительность импульса;

5.2.7.4. Периодичность импульсов;

5.2.7.5. Источник;

5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:

5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;

5.3.2. Состав газа-носителя;

5.3.3. Температура - время - давление циклов;

5.4. Для плазменного напыления:

5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);

5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;

5.4.3. Температура подложки;

5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;

5.4.5. Дистанция напыления;

5.4.6. Угол напыления;

5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;

5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;

5.5. Для осаждения распылением:

5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;

5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;

5.5.3. Состав газа-реагента;

5.5.4. Напряжение смещения;

5.5.5. Температура - время - давление циклов;

5.5.6. Мощность триода;

5.5.7. Управление деталью (подложкой);

5.6. Для ионной имплантации:

5.6.1. Управление пучком и подложкой;

5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.6.4. Температура - время - давление циклов;

5.7. Для ионного осаждения:

5.7.1. Управление пучком и подложкой;

5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.7.4. Температура - время - давление циклов;

5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;

5.7.6. Температура подложки;

5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения


-------------+--------------------------------------+---------------
¦   N п/п    ¦             Наименование             ¦  Код ТН ВЭД  ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦                     Категория 3. ЭЛЕКТРОНИКА                     ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1         ¦Системы, оборудование и компоненты    ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечания:                                                       ¦
¦1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в     ¦
¦пункте 3.1, других, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 -        ¦
¦3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны ¦
¦или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое ¦
¦оборудование, определяется по контрольному статусу такого         ¦
¦оборудования                                                      ¦
¦2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах      ¦
¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются     ¦
¦неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения  ¦
¦функций другого оборудования, определяется по контрольному        ¦
¦статусу такого оборудования                                       ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Особое Примечание.                                                ¦
¦В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может          ¦
¦определить контрольный статус другого оборудования, этот статус   ¦
¦определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в  ¦
¦пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если         ¦
¦интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или   ¦
¦микросхемой микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и     ¦
¦имеющими длину слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее     ¦
¦статус контроля должен определяться в соответствии с пунктом      ¦
¦3.1.1.1.3                                                         ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1       ¦Электронные компоненты:               ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1     ¦Нижеперечисленные интегральные        ¦              ¦
¦            ¦микросхемы общего назначения:         ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.1   ¦Интегральные схемы, спроектированные  ¦8542          ¦
¦            ¦или относящиеся к классу радиационно  ¦              ¦
¦            ¦стойких, выдерживающие любое из       ¦              ¦
¦            ¦следующих воздействий:                ¦              ¦
¦            ¦                     3                ¦              ¦
¦            ¦а) суммарную дозу 5 x  10  Гр (Si)    ¦              ¦
¦            ¦       5                              ¦              ¦
¦            ¦[5 x 10  рад] или выше                ¦              ¦
¦            ¦                       6              ¦              ¦
¦            ¦б) мощность дозы 5 x 10  Гр (Si)/с    ¦              ¦
¦            ¦       8                              ¦              ¦
¦            ¦[5 x 10  рад/с] или выше; или         ¦              ¦
¦            ¦в) флюенс (интегральный поток)        ¦              ¦
¦            ¦нейтронов (соответствующий            ¦              ¦
¦            ¦                       13             ¦              ¦
¦            ¦энергии в 1 МэВ) 5 x 10   н/кв.см или ¦              ¦
¦            ¦более по кремнию или его эквивалент   ¦              ¦
¦            ¦для других материалов                 ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл   ¦
¦- диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре)                      ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.2   ¦Микросхемы микропроцессоров,          ¦8542          ¦
¦            ¦микросхемы микроЭВМ, микросхемы       ¦              ¦
¦            ¦микроконтроллеров, изготовленные из   ¦              ¦
¦            ¦полупроводниковых соединений          ¦              ¦
¦            ¦интегральные схемы памяти, аналого-   ¦              ¦
¦            ¦цифровые преобразователи,             ¦              ¦
¦            ¦цифроаналоговые преобразователи,      ¦              ¦
¦            ¦электронно-оптические или оптические  ¦              ¦
¦            ¦интегральные схемы для обработки      ¦              ¦
¦            ¦сигналов, программируемые             ¦              ¦
¦            ¦пользователем логические устройства,  ¦              ¦
¦            ¦интегральные схемы для нейронных      ¦              ¦
¦            ¦сетей, заказные интегральные схемы,   ¦              ¦
¦            ¦функции которых неизвестны или не     ¦              ¦
¦            ¦известно, распространяется ли статус  ¦              ¦
¦            ¦контроля на аппаратуру, в которой     ¦              ¦
¦            ¦будут использоваться эти интегральные ¦              ¦
¦            ¦схемы, процессоры быстрого            ¦              ¦
¦            ¦преобразования Фурье, электрически    ¦              ¦
¦            ¦перепрограммируемые постоянные        ¦              ¦
¦            ¦запоминающие устройства (ЭППЗУ),      ¦              ¦
¦            ¦память с групповой перезаписью или    ¦              ¦
¦            ¦статические запоминающие устройства с ¦              ¦
¦            ¦произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие¦              ¦
¦            ¦любую из следующих характеристик:     ¦              ¦
¦            ¦а) работоспособные при температуре    ¦              ¦
¦            ¦окружающей среды выше 398 К (+125     ¦              ¦
¦            ¦град. C)                              ¦              ¦
¦            ¦б) работоспособные при температуре    ¦              ¦
¦            ¦окружающей среды ниже 218 К (-55 град.¦              ¦
¦            ¦C); или                               ¦              ¦
¦            ¦в) работоспособные во всем диапазоне  ¦              ¦
¦            ¦температур окружающей среды от 218 К  ¦              ¦
¦            ¦(-55 град. C) до 398 К (+125 град. C) ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание.                                                       ¦
¦Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы,        ¦
¦применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных         ¦
¦поездов                                                           ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.3   ¦Микросхемы микропроцессоров,          ¦              ¦
¦            ¦микросхемы микроЭВМ, микросхемы       ¦              ¦
¦            ¦микроконтроллеров, имеющие любую из   ¦              ¦
¦            ¦следующих характеристик:              ¦              ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.3.1 ¦Изготовлены на полупроводниковых      ¦8542 21 45;   ¦
¦            ¦соединениях и работающие на тактовой  ¦8542 21 500 0;¦
¦            ¦частоте, превышающей 40 МГц; или      ¦8542 21 83;   ¦
¦            ¦                                      ¦8542 21 850 0;¦
¦            ¦                                      ¦8542 60 000   ¦

Стр.1 ... | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | ... Стр.28

карта новых документов

Разное

При полном или частичном использовании материалов сайта ссылка на pravo.levonevsky.org обязательна

© 2006-2017г. www.levonevsky.org

TopList

Законодательство Беларуси и других стран

Законодательство России кодексы, законы, указы (изьранное), постановления, архив


Законодательство Республики Беларусь по дате принятия:

2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 2002 2001 2000 до 2000 года

Защита прав потребителя
ЗОНА - специальный проект

Бюллетень "ПРЕДПРИНИМАТЕЛЬ" - о предпринимателях.



Новые документы




NewsBY.org. News of Belarus

UK Laws - Legal Portal

Legal portal of Belarus

Russian Business

The real estate of Russia

Valery Levaneuski. Personal website of the Belarus politician, the former political prisoner