Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 22.12.2006 N 14/129 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"
Документ утратил силу
Архив ноябрь 2011 года
<< Назад |
<<< Главная страница
Стр. 13
Стр.1 ... | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | ... Стр.28 ¦ ¦б) системы с индуктивными ¦ ¦
¦ ¦дифференциальными датчиками, имеющие¦ ¦
¦ ¦все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦линейность, равную или меньше ¦ ¦
¦ ¦(лучше) 0,1%, в диапазоне измерений ¦ ¦
¦ ¦до 5 мм; и ¦ ¦
¦ ¦дрейф, равный или меньше (лучше) ¦ ¦
¦ ¦0,1% в день, при стандартной ¦ ¦
¦ ¦комнатной температуре +/- 1 К; или ¦ ¦
¦ ¦в) измерительные системы, имеющие ¦ ¦
¦ ¦все следующие составляющие: ¦ ¦
¦ ¦содержащие лазер; и ¦ ¦
¦ ¦сохраняющие в течение по крайней ¦ ¦
¦ ¦мере 12 часов при колебаниях ¦ ¦
¦ ¦окружающей температуры +/- 1 К ¦ ¦
¦ ¦относительно стандартной температуры¦ ¦
¦ ¦и нормальном атмосферном давлении ¦ ¦
¦ ¦все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦разрешение на полной шкале 0,1 мкм ¦ ¦
¦ ¦или меньше (лучше); и ¦ ¦
¦ ¦погрешность измерения, равную или ¦ ¦
¦ ¦меньше (лучше) (0,2 + L / 2000) мкм ¦ ¦
¦ ¦(L - измеряемая длина в миллиметрах)¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Примечание. ¦
¦По пункту 2.2.6.2.1 не контролируются измерительные ¦
¦интерферометрические системы без обратной связи с замкнутым или ¦
¦открытым контуром, содержащие лазер для измерения погрешностей ¦
¦перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения ¦
¦размеров или другого подобного оборудования ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Техническое примечание. ¦
¦Для целей пункта 2.2.6.2.1 линейное перемещение означает ¦
¦изменение расстояния между измеряющим элементом и контролируемым ¦
¦объектом ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.6.2.2 ¦Приборы для измерения угловых ¦9031 49 000 0; ¦
¦ ¦перемещений с погрешностью измерения¦9031 80 320 0; ¦
¦ ¦по угловой координате, равной или ¦9031 80 340 0; ¦
¦ ¦меньше (лучше) 0,00025 град. ¦9031 80 910 0 ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Примечание. ¦
¦По пункту 2.2.6.2.2 не контролируются оптические приборы, такие, ¦
¦как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, ¦
¦лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.6.3 ¦Оборудование для измерения чистоты ¦9031 49 000 0 ¦
¦ ¦поверхности с применением ¦ ¦
¦ ¦оптического рассеяния как функции ¦ ¦
¦ ¦угла с чувствительностью 0,5 нм или ¦ ¦
¦ ¦менее (лучше) ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Примечание. ¦
¦Станки, которые могут быть использованы в качестве средств ¦
¦измерения, подлежат контролю, если их параметры соответствуют или ¦
¦превосходят критерии, установленные для параметров станков или ¦
¦измерительных приборов ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.7 ¦Роботы, имеющие любую из ¦8479 50 000 0; ¦
¦ ¦нижеперечисленных характеристик, и ¦8537 10 100 0; ¦
¦ ¦специально разработанные для них ¦8537 10 910 0; ¦
¦ ¦устройства управления и рабочие ¦8537 10 990 0 ¦
¦ ¦органы: ¦ ¦
¦ ¦а) способность в реальном масштабе ¦ ¦
¦ ¦времени осуществлять полную ¦ ¦
¦ ¦трехмерную обработку изображений или¦ ¦
¦ ¦полный трехмерный анализ сцены с ¦ ¦
¦ ¦генерированием или модификацией ¦ ¦
¦ ¦программ либо с генерированием или ¦ ¦
¦ ¦модификацией данных для числового ¦ ¦
¦ ¦программного управления ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Техническое примечание. ¦
¦а) ограничения по анализу сцены не включают аппроксимацию ¦
¦третьего измерения по результатам наблюдения под заданным углом ¦
¦или ограниченную черно-белую интерпретацию восприятия глубины или ¦
¦текстуры для утвержденных заданий (21/2 D) ¦
¦б) специально разработанные в соответствии с национальными ¦
¦стандартами безопасности применительно к условиям работы со ¦
¦взрывчатыми веществами военного назначения ¦
¦в) специально разработанные или оцениваемые как радиационно- ¦
¦ 3 5 ¦
¦стойкие, выдерживающие более 5 x 10 Гр (Si) [5 x 10 рад] без ¦
¦ухудшения эксплуатационных характеристик; или ¦
¦г) специально разработанные для работы на высотах, превышающих ¦
¦30000 м ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.8 ¦Узлы или блоки, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанные для станков, или ¦ ¦
¦ ¦системы для контроля или измерения ¦ ¦
¦ ¦размеров: ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.8.1 ¦Линейные измерительные элементы ¦9031 ¦
¦ ¦обратной связи (например, устройства¦ ¦
¦ ¦индуктивного типа, калиброванные ¦ ¦
¦ ¦шкалы, инфракрасные системы или ¦ ¦
¦ ¦лазерные системы), имеющие полную ¦ ¦
¦ ¦точность менее (лучше) ¦ ¦
¦ ¦ 3 ¦ ¦
¦ ¦[800 + (600 x L x 10 )] нм (L - ¦ ¦
¦ ¦эффективная длина в миллиметрах) ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Особое Примечание. ¦
¦Для лазерных систем применяется также примечание к пункту ¦
¦2.2.6.2.1 ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.8.2 ¦Угловые измерительные элементы ¦9031 ¦
¦ ¦обратной связи (например, устройства¦ ¦
¦ ¦индуктивного типа, калиброванные ¦ ¦
¦ ¦шкалы, инфракрасные системы или ¦ ¦
¦ ¦лазерные системы), имеющие точность ¦ ¦
¦ ¦менее (лучше) 0,00025 град. ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Особое Примечание. ¦
¦Для лазерных систем применяется также примечание к пункту ¦
¦2.2.6.2.1 ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.8.3 ¦Составные поворотные столы или ¦8466 ¦
¦ ¦качающиеся шпиндели, применение ¦ ¦
¦ ¦которых в соответствии с ¦ ¦
¦ ¦техническими характеристиками ¦ ¦
¦ ¦изготовителя может модифицировать ¦ ¦
¦ ¦станки до уровня, указанного в ¦ ¦
¦ ¦пункте 2.2, или выше ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.2.9 ¦Обкатные вальцовочные и гибочные ¦8462 21 100 0; ¦
¦ ¦станки, которые в соответствии с ¦8462 21 800 0; ¦
¦ ¦технической документацией ¦8463 90 000 0 ¦
¦ ¦производителя могут быть оборудованы¦ ¦
¦ ¦блоками числового программного ¦ ¦
¦ ¦управления или компьютерным ¦ ¦
¦ ¦управлением и которые имеют все ¦ ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) две или более контролируемые оси,¦ ¦
¦ ¦по крайней мере две из которых могут¦ ¦
¦ ¦быть одновременно скоординированы ¦ ¦
¦ ¦для контурного управления; и ¦ ¦
¦ ¦б) усилие на ролике более 60 кН ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Техническое примечание. ¦
¦Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных ¦
¦станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.9 как относящиеся к ¦
¦гибочным станкам ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.3 ¦Материалы - нет ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.4 ¦Программное обеспечение ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.4.1 ¦Программное обеспечение иное, чем ¦ ¦
¦ ¦контролируемое по пункту 2.4.2, ¦ ¦
¦ ¦специально разработанное или ¦ ¦
¦ ¦модифицированное для разработки, ¦ ¦
¦ ¦производства или применения ¦ ¦
¦ ¦оборудования, контролируемого по ¦ ¦
¦ ¦пункту 2.1 или 2.2 ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.4.2 ¦Программное обеспечение для ¦ ¦
¦ ¦электронных устройств, в том числе ¦ ¦
¦ ¦встроенное в электронное устройство ¦ ¦
¦ ¦или систему, дающее возможность ¦ ¦
¦ ¦таким устройствам или системам ¦ ¦
¦ ¦функционировать как блок ЧПУ, ¦ ¦
¦ ¦способный координировать ¦ ¦
¦ ¦одновременно более четырех осей для ¦ ¦
¦ ¦контурного управления ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Примечания: ¦
¦1. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение, ¦
¦специально разработанное или модифицированное для работы станков, ¦
¦не контролируемых по пунктам категории 2 ¦
¦2. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение для ¦
¦изделий, контролируемых по пункту 2.2.2. В отношении контроля за ¦
¦программным обеспечением для изделий, контролируемых по пункту ¦
¦2.2.2, см. пункт 2.4.1 ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Особое Примечание. ¦
¦В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, ¦
¦см. также пункт 2.4.1 раздела 2 ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5 ¦Технология ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.1 ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием для ¦ ¦
¦ ¦разработки оборудования или ¦ ¦
¦ ¦программного обеспечения, ¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пункту 2.1, 2.2 ¦ ¦
¦ ¦или 2.4 ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.2 ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием для ¦ ¦
¦ ¦производства оборудования, ¦ ¦
¦ ¦контролируемого по пункту 2.1 или ¦ ¦
¦ ¦2.2 ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Особое Примечание. ¦
¦В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, ¦
¦см. также пункт 2.5.1 раздела 2 ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3 ¦Иные нижеследующие технологии: ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.1 ¦Технологии для разработки ¦ ¦
¦ ¦интерактивной графики как встроенной¦ ¦
¦ ¦части блока числового программного ¦ ¦
¦ ¦управления для подготовки или ¦ ¦
¦ ¦модификации программ обработки ¦ ¦
¦ ¦деталей ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.2 ¦Технологии для производственных ¦ ¦
¦ ¦процессов металлообработки: ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.2.1 ¦Технологии для проектирования ¦ ¦
¦ ¦инструмента, пресс-форм или зажимных¦ ¦
¦ ¦приспособлений, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанные для любого из ¦ ¦
¦ ¦следующих процессов: ¦ ¦
¦ ¦а) формообразования в условиях ¦ ¦
¦ ¦сверхпластичности ¦ ¦
¦ ¦б) диффузионной сварки; или ¦ ¦
¦ ¦в) гидравлического прессования ¦ ¦
¦ ¦прямого действия ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.2.2 ¦Технические данные, включающие ¦ ¦
¦ ¦описание технологического процесса ¦ ¦
¦ ¦или его параметры: ¦ ¦
¦ ¦а) для формообразования в условиях ¦ ¦
¦ ¦сверхпластичности изделий из ¦ ¦
¦ ¦алюминиевых, титановых сплавов или ¦ ¦
¦ ¦суперсплавов: ¦ ¦
¦ ¦подготовка поверхности ¦ ¦
¦ ¦скорость деформации ¦ ¦
¦ ¦температура ¦ ¦
¦ ¦давление ¦ ¦
¦ ¦б) для диффузионной сварки титановых¦ ¦
¦ ¦сплавов или суперсплавов: ¦ ¦
¦ ¦подготовка поверхности ¦ ¦
¦ ¦температура ¦ ¦
¦ ¦давление ¦ ¦
¦ ¦в) для гидравлического прессования ¦ ¦
¦ ¦прямого действия алюминиевых или ¦ ¦
¦ ¦титановых сплавов: ¦ ¦
¦ ¦давление ¦ ¦
¦ ¦время цикла ¦ ¦
¦ ¦г) для горячего изостатического ¦ ¦
¦ ¦уплотнения титановых, алюминиевых ¦ ¦
¦ ¦сплавов или суперсплавов: ¦ ¦
¦ ¦температура ¦ ¦
¦ ¦давление ¦ ¦
¦ ¦время цикла ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.3 ¦Технологии для разработки или ¦ ¦
¦ ¦производства гидравлических прессов ¦ ¦
¦ ¦для штамповки с вытяжкой и ¦ ¦
¦ ¦соответствующих матриц для ¦ ¦
¦ ¦изготовления конструкций корпусов ¦ ¦
¦ ¦летательных аппаратов ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.4 ¦Технологии для разработки ¦ ¦
¦ ¦генераторов машинных команд для ¦ ¦
¦ ¦управления станком (например, ¦ ¦
¦ ¦программ обработки деталей) на ¦ ¦
¦ ¦основе проектных данных, хранимых в ¦ ¦
¦ ¦блоках числового программного ¦ ¦
¦ ¦управления ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.5 ¦Технологии для разработки ¦ ¦
¦ ¦комплексного программного ¦ ¦
¦ ¦обеспечения для включения экспертных¦ ¦
¦ ¦систем, повышающих в заводских ¦ ¦
¦ ¦условиях операционные возможности ¦ ¦
¦ ¦блоков числового программного ¦ ¦
¦ ¦управления ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦2.5.3.6 ¦Технологии для осаждения, обработки ¦ ¦
¦ ¦и активного управления процессом ¦ ¦
¦ ¦нанесения внешних слоев ¦ ¦
¦ ¦неорганических покрытий, иных ¦ ¦
¦ ¦покрытий и модификации поверхности ¦ ¦
¦ ¦(за исключением формирования ¦ ¦
¦ ¦подложек для электронных схем) с ¦ ¦
¦ ¦использованием процессов, указанных ¦ ¦
¦ ¦в таблице к настоящему пункту и ¦ ¦
¦ ¦примечаниях к ней ¦ ¦
+-------------+------------------------------------+---------------+
¦Особое Примечание. ¦
¦Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного ¦
¦процесса нанесения покрытия подлежит экспортному контролю только ¦
¦при указанных в ней сочетаниях позиций в колонках "Получаемое ¦
¦покрытие" и "Подложки". ¦
¦Например, подлежат контролю технические характеристики процесса ¦
¦нанесения силицидного покрытия методом химического осаждения из ¦
¦паровой фазы (CVD) на подложки из углерод-углерода и ¦
¦композиционных материалов с керамической или металлической ¦
¦матрицей. Однако, если подложка выполнена из металлокерамическогоо¦
¦карбида вольфрама (16) или карбида кремния (18), контроль не ¦
¦требуется, так как во втором случае получаемое покрытие не ¦
¦указано в соответствующей колонке для этих подложек ¦
¦(металлокерамический карбид вольфрама и карбид кремния) ¦
--------------------------------------------------------------------
Таблица к пункту 2.5.3.6 Технические приемы нанесения покрытий
-------------------+---------------------+--------------------------
¦Процесс нанесения ¦Подложки ¦Получаемое покрытие ¦
¦покрытия (1) ¦ ¦ ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦1. Химическое ¦суперсплавы ¦алюминиды на поверхности ¦
¦осаждение из ¦ ¦внутренних каналов ¦
¦паровой фазы (CVD)+---------------------+-------------------------+
¦ ¦керамика (19) и ¦силициды, карбиды, ¦
¦ ¦стекла с малым ¦диэлектрические слои ¦
¦ ¦коэффициентом ¦(15), алмаз, ¦
¦ ¦линейного расширения ¦алмазоподобный углерод ¦
¦ ¦(14) ¦(17) ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦углерод-углерод, ¦силициды, карбиды, ¦
¦ ¦композиционные ¦тугоплавкие металлы, ¦
¦ ¦материалы с ¦смеси перечисленных выше ¦
¦ ¦керамической или ¦материалов (4), ¦
¦ ¦металлической ¦диэлектрические слои ¦
¦ ¦матрицей ¦(15), алюминиды, сплавы ¦
¦ ¦ ¦на основе алюминидов (2),¦
¦ ¦ ¦нитрид бора ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦металлокерамический ¦карбиды, вольфрам, смеси ¦
¦ ¦карбид вольфрама ¦перечисленных выше ¦
¦ ¦(16), карбид кремния ¦материалов (4), ¦
¦ ¦(18) ¦диэлектрические слои (15)¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦молибден и его сплавы¦диэлектрические слои (15)¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦бериллий и его сплавы¦диэлектрические слои ¦
¦ ¦ ¦(15), алмаз, ¦
¦ ¦ ¦алмазоподобный углерод ¦
¦ ¦ ¦(17) ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦материалы окон ¦диэлектрические слои ¦
¦ ¦датчиков (9) ¦(15), алмаз, ¦
¦ ¦ ¦алмазоподобный углерод ¦
¦ ¦ ¦(17) ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦2. Физическое ¦ ¦ ¦
¦осаждение из ¦ ¦ ¦
¦паровой фазы, ¦ ¦ ¦
¦получаемой ¦ ¦ ¦
¦нагревом ¦ ¦ ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦2.1. Физическое ¦суперсплавы ¦сплавы на основе ¦
¦осаждение из ¦ ¦силицидов, сплавы на ¦
¦паровой фазы, ¦ ¦основе алюминидов (2), ¦
¦полученной ¦ ¦MCrAlX (5), ¦
¦нагревом ¦ ¦модифицированный диоксид ¦
¦электронным пучком¦ ¦циркония (12), силициды, ¦
¦ ¦ ¦алюминиды, смеси ¦
¦ ¦ ¦перечисленных выше ¦
¦ ¦ ¦материалов (4) ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦керамика (19) и ¦диэлектрические слои (15)¦
¦ ¦стекла с малым ¦ ¦
¦ ¦коэффициентом ¦ ¦
¦ ¦линейного расширения ¦ ¦
¦ ¦(14) ¦ ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦коррозионностойкие ¦MCrAlX (5), ¦
¦ ¦стали (7) ¦модифицированный диоксид ¦
¦ ¦ ¦циркония (12), смеси ¦
¦ ¦ ¦перечисленных выше ¦
¦ ¦ ¦материалов (4) ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦углерод-углерод, ¦силициды, карбиды, ¦
¦ ¦композиционные ¦тугоплавкие металлы, ¦
¦ ¦материалы с ¦смеси перечисленных выше ¦
¦ ¦керамической или ¦материалов (4), ¦
¦ ¦металлической ¦диэлектрические слои ¦
¦ ¦матрицей ¦(15), нитрид бора ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦металлокерамический ¦карбиды, вольфрам, смеси ¦
¦ ¦карбид вольфрама ¦перечисленных выше ¦
¦ ¦(16), карбид кремния ¦материалов (4), ¦
¦ ¦(18) ¦диэлектрические слои (15)¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦молибден и его сплавы¦диэлектрические слои (15)¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦бериллий и его сплавы¦диэлектрические слои ¦
¦ ¦ ¦(15), бориды, бериллий ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦материалы окон ¦диэлектрические слои (15)¦
¦ ¦датчиков (9) ¦ ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦титановые сплавы (13)¦бориды, нитриды ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦2.2. Ионно- ¦керамика (19) и ¦диэлектрические слои ¦
¦ассистированное ¦стекла с малым ¦(15), алмазоподобный ¦
¦физическое ¦коэффициентом ¦углерод ¦
¦осаждение из ¦линейного расширения ¦ ¦
¦паровой фазы, ¦(14) ¦ ¦
¦полученной +---------------------+-------------------------+
¦резистивным ¦углерод-углерод, ¦диэлектрические слои (15)¦
¦нагревом (ионное ¦композиционные ¦ ¦
¦осаждение) ¦материалы с ¦ ¦
¦ ¦керамической или ¦ ¦
¦ ¦металлической ¦ ¦
¦ ¦матрицей ¦ ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦металлокерамический ¦диэлектрические слои (15)¦
¦ ¦карбид вольфрама ¦ ¦
¦ ¦(16), карбид кремния ¦ ¦
¦ ¦(18) ¦ ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦молибден и его сплавы¦диэлектрические слои (15)¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦бериллий и его сплавы¦диэлектрические слои (15)¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦материалы окон ¦диэлектрические слои ¦
¦ ¦датчиков (9) ¦(15), алмазоподобный ¦
¦ ¦ ¦углерод (17) ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦2.3. Физическое ¦керамика (19) и ¦силициды, диэлектрические¦
¦осаждение из ¦стекла с малым ¦слои (15), алмазоподобный¦
¦паровой фазы, ¦коэффициентом ¦углерод (17) ¦
¦полученной ¦линейного расширения ¦ ¦
¦лазерным нагревом ¦(14) ¦ ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦углерод-углерод, ¦диэлектрические слои (15)¦
¦ ¦композиционные ¦ ¦
¦ ¦материалы с ¦ ¦
¦ ¦керамической или ¦ ¦
¦ ¦металлической ¦ ¦
¦ ¦матрицей ¦ ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦металлокерамический ¦диэлектрические слои (15)¦
¦ ¦карбид вольфрама ¦ ¦
¦ ¦(16), карбид кремния ¦ ¦
¦ ¦(18) ¦ ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦молибден и его сплавы¦диэлектрические слои (15)¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦бериллий и его сплавы¦диэлектрические слои (15)¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦материалы окон ¦диэлектрические слои ¦
¦ ¦датчиков (9) ¦(15), алмазоподобный ¦
¦ ¦ ¦углерод (17) ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦2.4. Физическое ¦суперсплавы полимеры ¦сплавы на основе ¦
¦осаждение из ¦(11) и композиционные¦силицидов, сплавы на ¦
¦паровой фазы, ¦материалы с ¦основе алюминидов (2), ¦
¦полученной ¦органической матрицей¦MCrAlX (5) бориды, ¦
¦катодно-дуговым ¦ ¦карбиды, нитриды, ¦
¦разрядом ¦ ¦алмазоподобный углерод ¦
¦ ¦ ¦(17) ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦3. Твердофазное ¦углерод-углерод, ¦силициды, карбиды, смеси ¦
¦диффузионное ¦композиционные ¦перечисленных выше ¦
¦насыщение (10) ¦материалы с ¦материалов (4) ¦
¦ ¦керамической или ¦ ¦
¦ ¦металлической ¦ ¦
¦ ¦матрицей ¦ ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦титановые сплавы (13)¦силициды, алюминиды, ¦
¦ ¦ ¦сплавы на основе ¦
¦ ¦ ¦алюминидов (2) ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦тугоплавкие металлы и¦силициды, оксиды ¦
¦ ¦сплавы (8) ¦ ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦4. Плазменное ¦суперсплавы ¦MCrAlX (5), ¦
¦напыление ¦ ¦модифицированный диоксид ¦
¦ ¦ ¦циркония (12), смеси ¦
¦ ¦ ¦перечисленных выше ¦
¦ ¦ ¦материалов (4), ¦
¦ ¦ ¦истираемый никель- ¦
¦ ¦ ¦графитовый материал, ¦
¦ ¦ ¦истираемый никель-хром- ¦
¦ ¦ ¦алюминиевый сплав, ¦
¦ ¦ ¦истираемый алюминиево- ¦
¦ ¦ ¦кремниевый сплав, ¦
¦ ¦ ¦содержащий полиэфир, ¦
¦ ¦ ¦сплавы на основе ¦
¦ ¦ ¦алюминидов (2) ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦алюминиевые сплавы ¦MCrAlX (5), ¦
¦ ¦(6) ¦модифицированный диоксид ¦
¦ ¦ ¦циркония (12), силициды, ¦
¦ ¦ ¦смеси перечисленных выше ¦
¦ ¦ ¦материалов (4) ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦тугоплавкие металлы и¦алюминиды, силициды, ¦
¦ ¦сплавы (8) ¦карбиды ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦коррозионностойкие ¦MCrAlX (5), ¦
¦ ¦стали (7) ¦модифицированный диоксид ¦
¦ ¦ ¦циркония (12), смеси ¦
¦ ¦ ¦перечисленных выше ¦
¦ ¦ ¦материалов (4) ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦титановые сплавы (13)¦карбиды, алюминиды, ¦
¦ ¦ ¦силициды, сплавы на ¦
¦ ¦ ¦основе алюминидов (2), ¦
¦ ¦ ¦истираемый никель- ¦
¦ ¦ ¦графитовый материал, ¦
¦ ¦ ¦истираемый никель-хром- ¦
¦ ¦ ¦алюминиевый сплав, ¦
¦ ¦ ¦истираемый алюминиево- ¦
¦ ¦ ¦кремниевый сплав, ¦
¦ ¦ ¦содержащий полиэфир ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦5. Нанесение ¦тугоплавкие металлы и¦оплавленные силициды, ¦
¦шликера ¦сплавы (8) ¦оплавленные алюминиды ¦
¦ ¦ ¦(кроме резистивных ¦
¦ ¦ ¦нагревательных элементов)¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦углерод-углерод, ¦силициды, карбиды, смеси ¦
¦ ¦композиционные ¦перечисленных выше ¦
¦ ¦материалы с ¦материалов (4) ¦
¦ ¦керамической или ¦ ¦
¦ ¦металлической ¦ ¦
¦ ¦матрицей ¦ ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦6. Осаждение ¦суперсплавы ¦сплавы на основе ¦
¦распылением ¦ ¦силицидов, сплавы на ¦
¦ ¦ ¦основе алюминидов (2), ¦
¦ ¦ ¦алюминиды, ¦
¦ ¦ ¦модифицированные ¦
¦ ¦ ¦благородным металлом (3),¦
¦ ¦ ¦MCrAlX (5), ¦
¦ ¦ ¦модифицированный диоксид ¦
¦ ¦ ¦циркония (12), платина, ¦
¦ ¦ ¦смеси перечисленных выше ¦
¦ ¦ ¦материалов (4) ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦керамика (19) и ¦силициды, платина, смеси ¦
¦ ¦стекла с малым ¦перечисленных выше ¦
¦ ¦коэффициентом ¦материалов (4), ¦
¦ ¦линейного расширения ¦диэлектрические слои ¦
¦ ¦(14) ¦(15), алмазоподобный ¦
¦ ¦ ¦углерод (17) ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦титановые сплавы (13)¦бориды, нитриды, оксиды, ¦
¦ ¦ ¦силициды, алюминиды, ¦
¦ ¦ ¦сплавы на основе ¦
¦ ¦ ¦алюминидов (2), карбиды ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦углерод-углерод, ¦силициды, карбиды, ¦
¦ ¦композиционные ¦тугоплавкие металлы, ¦
¦ ¦материалы с ¦смеси перечисленных выше ¦
¦ ¦керамической или ¦материалов (4), ¦
¦ ¦металлической ¦диэлектрические слои ¦
¦ ¦матрицей ¦(15), нитрид бора ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦металлокерамический ¦карбиды, вольфрам, смеси ¦
¦ ¦карбид вольфрама ¦перечисленных выше ¦
¦ ¦(16), карбид кремния ¦материалов (4), ¦
¦ ¦(18) ¦диэлектрические слои ¦
¦ ¦ ¦(15), нитрид бора ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦молибден и его сплавы¦диэлектрические слои (15)¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦бериллий и его сплавы¦бориды, диэлектрические ¦
¦ ¦ ¦слои (15), бериллий ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦материалы окон ¦диэлектрические слои ¦
¦ ¦датчиков (9) ¦(15), алмазоподобный ¦
¦ ¦ ¦углерод (17) ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦тугоплавкие металлы и¦алюминиды, силициды, ¦
¦ ¦сплавы (8) ¦оксиды, карбиды ¦
+------------------+---------------------+-------------------------+
¦7. Ионная ¦высокотемпературные ¦присадки хрома, тантала ¦
¦имплантация ¦подшипниковые стали ¦или ниобия ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦титановые сплавы (13)¦бориды, нитриды ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦бериллий и его сплавы¦бориды ¦
¦ +---------------------+-------------------------+
¦ ¦металлокерамический ¦карбиды, нитриды ¦
¦ ¦карбид вольфрама (16)¦ ¦
-------------------+---------------------+--------------------------
Примечания к таблице:
1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий
2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов
3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия
4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые;
при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице.
5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, x - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:
а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;
б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;
в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия
6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20 град. C)
7. Термин "коррозионностойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта
8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал
9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний
10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2.
11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны
12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются
13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20 град. C)
14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают
стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (20 град. C)
-7 -1
коэффициент линейного расширения 10 K или менее
15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл
16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома-никель
17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы
18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением
19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, а также в сочетании с другими компонентами
Технические примечания к таблице:
Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера
Особые примечания:
а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;
б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;
в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.
Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.
Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:
а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;
б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;
в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;
г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой разряд, который инициируется на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку
Особое примечание.
Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку
д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса
3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:
а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.
Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757 град. C) до 1375 К (1102 град. C) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия
4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости
Особые примечания:
а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;
б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20 град. C) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с.
5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия
6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку
Особые примечания:
а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;
б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ)
7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением
Некоторые пояснения к таблице
Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:
1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:
1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:
1.1.1. Состав раствора:
1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;
1.1.2. Время обработки;
1.1.3. Температура ванны;
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;
1.3. Параметры цикла термообработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. Состав атмосферы;
1.3.1.2. Давление;
1.3.2. Температура термообработки;
1.3.3. Время термообработки;
1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:
1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:
1.4.1.1. Состав крошки, дроби;
1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;
1.4.1.3. Скорость крошки;
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;
1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;
1.5. Параметры маски:
1.5.1. Материал маски;
1.5.2. Расположение маски
2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:
2.1. Параметры атмосферы:
2.1.1. Состав;
2.1.2. Давление;
2.2. Время;
2.3. Температура;
2.4. Толщина;
2.5. Коэффициент преломления;
2.6. Контроль состава покрытия
3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби;
3.1.2. Размер дроби;
3.1.3. Скорость дроби;
3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;
3.3. Параметры цикла термообработки:
3.3.1. Параметры атмосферы:
3.3.1.1. Состав;
3.3.1.2. Давление;
3.3.2. Температура и время цикла;
3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки
4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:
4.1. Критерии для статистической выборки;
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.1. Увеличения;
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности;
4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):
4.3.1. Коэффициент отражения;
4.3.2. Коэффициент пропускания;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние
5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:
5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):
5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;
5.1.2. Состав газа-носителя;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температура - время - давление циклов;
5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;
5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:
5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав газа-реагента;
5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;
5.2.5. Температура - время - давление циклов;
5.2.6. Управление пучком и подложкой;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:
5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;
5.3.2. Состав газа-носителя;
5.3.3. Температура - время - давление циклов;
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.4.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;
5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;
5.5. Для осаждения распылением:
5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;
5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;
5.5.3. Состав газа-реагента;
5.5.4. Напряжение смещения;
5.5.5. Температура - время - давление циклов;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Управление деталью (подложкой);
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Управление пучком и подложкой;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.6.4. Температура - время - давление циклов;
5.7. Для ионного осаждения:
5.7.1. Управление пучком и подложкой;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.7.4. Температура - время - давление циклов;
5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения
-------------+--------------------------------------+---------------
¦ N п/п ¦ Наименование ¦ Код ТН ВЭД ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦ Категория 3. ЭЛЕКТРОНИКА ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1 ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечания: ¦
¦1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в ¦
¦пункте 3.1, других, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - ¦
¦3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны ¦
¦или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое ¦
¦оборудование, определяется по контрольному статусу такого ¦
¦оборудования ¦
¦2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах ¦
¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются ¦
¦неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения ¦
¦функций другого оборудования, определяется по контрольному ¦
¦статусу такого оборудования ¦
+------------------------------------------------------------------+
¦Особое Примечание. ¦
¦В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может ¦
¦определить контрольный статус другого оборудования, этот статус ¦
¦определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в ¦
¦пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если ¦
¦интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или ¦
¦микросхемой микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и ¦
¦имеющими длину слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее ¦
¦статус контроля должен определяться в соответствии с пунктом ¦
¦3.1.1.1.3 ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1 ¦Электронные компоненты: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1 ¦Нижеперечисленные интегральные ¦ ¦
¦ ¦микросхемы общего назначения: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.1 ¦Интегральные схемы, спроектированные ¦8542 ¦
¦ ¦или относящиеся к классу радиационно ¦ ¦
¦ ¦стойких, выдерживающие любое из ¦ ¦
¦ ¦следующих воздействий: ¦ ¦
¦ ¦ 3 ¦ ¦
¦ ¦а) суммарную дозу 5 x 10 Гр (Si) ¦ ¦
¦ ¦ 5 ¦ ¦
¦ ¦[5 x 10 рад] или выше ¦ ¦
¦ ¦ 6 ¦ ¦
¦ ¦б) мощность дозы 5 x 10 Гр (Si)/с ¦ ¦
¦ ¦ 8 ¦ ¦
¦ ¦[5 x 10 рад/с] или выше; или ¦ ¦
¦ ¦в) флюенс (интегральный поток) ¦ ¦
¦ ¦нейтронов (соответствующий ¦ ¦
¦ ¦ 13 ¦ ¦
¦ ¦энергии в 1 МэВ) 5 x 10 н/кв.см или ¦ ¦
¦ ¦более по кремнию или его эквивалент ¦ ¦
¦ ¦для других материалов ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание. ¦
¦Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл ¦
¦- диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре) ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.2 ¦Микросхемы микропроцессоров, ¦8542 ¦
¦ ¦микросхемы микроЭВМ, микросхемы ¦ ¦
¦ ¦микроконтроллеров, изготовленные из ¦ ¦
¦ ¦полупроводниковых соединений ¦ ¦
¦ ¦интегральные схемы памяти, аналого- ¦ ¦
¦ ¦цифровые преобразователи, ¦ ¦
¦ ¦цифроаналоговые преобразователи, ¦ ¦
¦ ¦электронно-оптические или оптические ¦ ¦
¦ ¦интегральные схемы для обработки ¦ ¦
¦ ¦сигналов, программируемые ¦ ¦
¦ ¦пользователем логические устройства, ¦ ¦
¦ ¦интегральные схемы для нейронных ¦ ¦
¦ ¦сетей, заказные интегральные схемы, ¦ ¦
¦ ¦функции которых неизвестны или не ¦ ¦
¦ ¦известно, распространяется ли статус ¦ ¦
¦ ¦контроля на аппаратуру, в которой ¦ ¦
¦ ¦будут использоваться эти интегральные ¦ ¦
¦ ¦схемы, процессоры быстрого ¦ ¦
¦ ¦преобразования Фурье, электрически ¦ ¦
¦ ¦перепрограммируемые постоянные ¦ ¦
¦ ¦запоминающие устройства (ЭППЗУ), ¦ ¦
¦ ¦память с групповой перезаписью или ¦ ¦
¦ ¦статические запоминающие устройства с ¦ ¦
¦ ¦произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) работоспособные при температуре ¦ ¦
¦ ¦окружающей среды выше 398 К (+125 ¦ ¦
¦ ¦град. C) ¦ ¦
¦ ¦б) работоспособные при температуре ¦ ¦
¦ ¦окружающей среды ниже 218 К (-55 град.¦ ¦
¦ ¦C); или ¦ ¦
¦ ¦в) работоспособные во всем диапазоне ¦ ¦
¦ ¦температур окружающей среды от 218 К ¦ ¦
¦ ¦(-55 град. C) до 398 К (+125 град. C) ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦Примечание. ¦
¦Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы, ¦
¦применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных ¦
¦поездов ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.3 ¦Микросхемы микропроцессоров, ¦ ¦
¦ ¦микросхемы микроЭВМ, микросхемы ¦ ¦
¦ ¦микроконтроллеров, имеющие любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
+------------+--------------------------------------+--------------+
¦3.1.1.1.3.1 ¦Изготовлены на полупроводниковых ¦8542 21 45; ¦
¦ ¦соединениях и работающие на тактовой ¦8542 21 500 0;¦
¦ ¦частоте, превышающей 40 МГц; или ¦8542 21 83; ¦
¦ ¦ ¦8542 21 850 0;¦
¦ ¦ ¦8542 60 000 ¦
Стр.1 ... | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | ... Стр.28
карта новых документов |